WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

центрами, связанными с медью, тогда как в формиро- Список литературы вании желтой полосы (570 нм) возможно участие как [1] V.S. Khomchenko, V.E. Rodionov, Yu.A. Tzyrkunov. Proc. 7th центров меди, так и самоактивированных центров свечеInt. Symp. SID (Minsk, Belarus, 1998) p. 218.

ния. В литературе имеются сведения о наблюдении такой [2] L.J. Berezhinsky, V.S. Khomchenko, V.E. Rodionov, спектральной полосы как в самоактивированных [15], так Yu.A. Tzyrkunov. Book of Ext. Abstr. 5th Int. Conf. Sci.

и в легированных медью [1,13,14] пленках сернистого Technol. of Display Phosphors (San Diego, USA, 1999).

цинка. Относительно полосы излучения max = 485 нм [3] Y.A. Ono. Electroluminescent Displays (London, World можно с определенной уверенностью утверждать, что Scientific Publ. Co, 1995) p. 170.

она не относится к излучению центров меди. Эта полоса, [4] L.F. Zharovsky, L.V. Zavyalova, G.S. Svechnikov. Thin Sol.

по имеющимся у нас данным, может быть отнесена к Films, 128 (3,4), 241 (1985).

самоактивированному свечению ZnS или, возможно, к [5] L.V. Zavyalova, A.I. Beletski, G.S. Svechnikov. Semicond. Sci.

свечению неизвестных примесных центров. Наличие сиTechnol., 14, 446 (1999).

них, зеленых, желтых полос излучения свидетельствует о [6] L.V. Zavyalova, G.S. Svechnikov. Displays, 18, 73 (1997).

наличии в пленках ZnS : Cu различных типов центров све- [7] И. Стары. Экстракция хелатов (М., Мир, 1964) с. 392.

[8] В.М. Бырько. Дитиокарбаматы (М., Наука, 1984) с. 342.

чения, связанных с медью, в которых компенсация заряда [9] D.M. Frigo, O. Khan, P.O. Brien. J. Cryst. Growth, 96, Cu+ осуществляется различными дефектами структуры (1989).

ZnS. Появление таких центров обусловлено отсутствием [10] Jinman Huang, Yi Yang et al. Appl. Phys. Lett., 70, 18 (1997).

соактиватора, как правило, вводимого для компенсации [11] V. Khomchenko, V. Rodionov, P. Lytvyn, O. Lytvyn, заряда меди в связи с неизовалентным характером внеI. Prokopenko, Yu. Tsyrkunov. Proc. 8th Int. Simp. SID (Novy дрения ее в ZnS.

Svet, Ukraine, 1999).

Обнаруженные нами различия в соотношении ин[12] Г.А. Жолкевич, В.Д. Дудник, Опт. и спектр., 20, 687 (1966).

тенсивностей полос в спектрах излучения структур на [13] А.М. Гурвич. Введение в физику кристаллофосфоров стеклянной и керамической подложках, по-видимому, (М., Наука, 1971).

могут быть обусловлены различием кристаллической [14] Dong-II KIM, Sung-Ho Choi, Chong-Ook Park. J. Mater. Sci.:

структуры (размеров зерен), а значит, и структурных Mater. Electron. (Korea), 9, 31 (1998).

дефектов в этих пленках (рис. 1, a, b). Для пленок [15] R. Mach, G.U. Reinsperger et al. J. Cryst. Growth, 117, ZnS : Cu, полученных методом EBE, такая зависимость (1997).

недавно также обнаружена [11].

Редактор Л.В. Шаронова Наблюдаемые особенности спектров излучения при фото- и электровозбуждении могут быть обусловлены Growth of ZnS : Cu luminescent thin films различной пространственной локализацией энергии возby a chemical method буждения по объему пленки при наличии различного типа неоднородно распределенных центров свечения, а S.V. Svechnikov, L.V. Zavyalova, N.N. Roshina, также различными способами передачи энергии возбуV.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, L.I. Berezhinsky, ждения центрами свечения при различных типах возбуI.V. Prokopenko, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, ждения.

Yu.V. Kolomzarov, Yu.A. Tzyrkynov Таким образом, показано, что впервые химическим безвакуумным MOCVD-методом из хелатных металлор- Institute of Physics of Semiconductor, ганических соединений — дитиокарбаматов цинка и National Academy of Sciences of Ukraine, меди — путем совместного их пиролиза при температуре 252650 Kiev, Ukraine 260-300C получены электролюминесцентные пленки Special Technological and Design Office ZnS : Cu. Установлено, что они имеют более упоря- of Institute of Physics of Semiconductor, доченную структуру и менее рельефную поверхность, National Academy of Sciences of Ukraine, чем пленки, полученные методом электронно-лучевого 252650 Kiev, Ukraine испарения в вакууме. Структура пленок, нанесенных на гладкую поверхность аморфных подложек стекла,

Abstract

For the first time bright photoluminescent ZnS : Cu thin характеризуется более крупными кристаллитами, чем на films have been produced with a nonvacuum chemical method.

шероховатой поверхности поликристаллической керамиThis films were grown by simultaneous pyrolysis of zinc and ки. Обнаружена сильная зависимость интенсивности изcopper dithiocarbamates on glass and ceramic substrates at the лучения от температуры подложки и концентрации меди.

temperature 260-300C. Structural and luminescence properties Предпочтительной для получения пленок является темwere investigated. Films structure depended on the substrate пература 300C. Концентрационные зависимости фото- и employed. The photo- and electroluminescence spectra contained электролюминесценции различны. Для электролюминесthe bands typical for copper: the blue, the green, and the yellow.

ценции предпочтительное содержание меди составляет The ratio of the band intensities is determined by conditions of Cs 0.2 вес %. В результате исследования спектров obtaining the films. This makes it possible to change the emission фото- и электролюминесценции установлено, что пленки color from blue up to white.

содержат характерные для меди центры синего, зеленого и желтого излучения.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.