WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

кому (более чем в 5 раз) возрастанию интенсивности [12] B.C. Chung, M. Gershenzon. J. Appl. Phys., 72, 651 (1992).

ФЛ во всем спектральном диапазоне, что, по-видимому, [13] A.V. Andrianov, D.E. Lacklison, J.W. Orton, D.J. Dewshir, связано с увеличением внешнего квантового выхода, об- S.E. Hooper, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Technol., 11, (1996).

условленного ростом шероховатости поверхности образ[14] R. Dingle, D.D. Sell, S.E. Stokowski, M. Ilegems. Phys. Rev.

цов. В случае слоя GaN с пленкой SiO2 шероховатость B, 4, 1211 (1971).

поверхности по крайней мере не изменяется, при этом [15] R. Dingle, M. Ilegems. Sol. St. Commun., 9, 175 (1971).

увеличения интенсивности ФЛ не наблюдается.

4. Низкотемпературные спектры ФЛ вблизи края фун- Редактор Л.В. Шаронова даментального поглощения образцов GaN после КВТО существенно изменяются:

Study of GaN thin layers exposed to а) наблюдается уширение экситонной D0X-полосы и high-temperature rapid thermal annealing сдвиг ее на 2 4 мэВ в низкоэнергетичную область N.I. Katsavets, G.M. Laws, I. Harrison, E.C. Larkins, спектра в случае КВТО незащищенных пленок GaN, неT.M. Benson, T.S. Cheng†, C.T. Foxon† большое сужение и сдвиг в высокоэнергетичную область спектра на 34 эВ — в случае пленок GaN, защищенных ZAO «Semiconductor devices», слоем SiO2;

192281 St. Petersburg, Russia б) КВТО незащищенных пленок GaN в атмосфере N2 Department of Electrical and Electronic Engineering, приводит к существенному увеличению интенсивности University of Nottingham, примесных излучательных переходов вблизи края фундаNottingham NG7 2RD, England † ментального поглощения, в то время как КВТО образцов, Department of Physics, University of Nottingham, защищенных слоем SiO2, — к значительному уменьNottingham NG7 2RD, England шению; влияния КВТО в атмосфере Ar на примесные переходы не обнаружено.

Abstract

A detailed study of rapid thermal annealing influence in flowing N2 or Ar gases on thin GaN layers grown by molecularНастоящая работа была частично поддержана Короbeam epitaxy techniques on sapphire substrates was carried out.

левским научным обществом Великобритании (The Royal After rapid thermal annealing the crystal surface quality of the GaN Society), обеспечившим финансовую поддержку научноlayers improved. Low temperature photoluminescense impurity го визита Н.И. Кацавца в Ноттингемский университет, recombination at the band edge of these samples significantly и Российским фондом фундаментальных исследований increases after their annealing in flowing N2 gas. Rapid thermal (грант № 96-02-17203).

annealing of coated samples with SiO2 film results in reduction of Кроме того, авторы хотели бы поблагодарить Д.М. Деthe photoluminescence impurity recombination.

мидова и А.В. Андрианова за полезное обсуждение экспериментальных результатов.

Список литературы [1] S. Stripe, H. Mocros. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992).

[2] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. Japan. J. Appl.

Phys., 28, L2112 (1989).

[3] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. Japan. J. Appl.

Phys., 31, L139 (1992).

[4] M.A. Khan, Q. Chen, R.A. Skogman, J.N. Kuznia. Appl. Phys.

Lett., 66, 2046 (1995).

[5] J.C. Zolper, M.H. Crawford, A.J. Howard, J. Rames, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996).

[6] J.C. Zolper, H.H. Tan, J.S. Williams, J. Zou, D.J. Cockayne, S.J. Pearton M.H. Crawford, R.E. Karlicek. Appl. Phys. Lett., 70, 2729 (1997).

[7] T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.