WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

слое LT -GaAs, можно оценить по ширине области обед[8] П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, нения и известному уровню легирования мелкими доноА.Ю. Егоров, В.М. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев.

рами:

ФТП, 30, 924 (1996).

na = nW = 0.8 1012 см-2. (4) [9] P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996).

Оценки, сделанные по формулам (3) и (4), показы[10] K. Kreher. Phys. St. Sol. A, 135, 597 (1993).

вают, что ne na, т. е. при комнатной температуре [11] D.C. Look, D.C. Walters, M.O. Manasreh, J.R. Sizelove, с помощью внешнего смещения удается осуществить C.E. Stutz, K.R. Evans. Phys. Rev., B, 42, 3578. (1990).

эмиссию электронов, аккумулированных в слое LT-GaAs [12] H. Fujioka, E.R. Weber, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 66, в исходном состоянии. 2834 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1174 П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский...

[13] D.C. Look, Z.Q. Fang, H. Yamamoto, J.R. Sizelove, M.G. Mier, E. Stutz. J. Appl. Phys., 76, 1029 (1994).

[14] C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.S. Tan. Appl. Phys. Lett., 69, 2543 (1996).

[15] T.C. Lin, T. Okumura. Jpn. J. Appl. Phys., 1630 (1996).

[16] S. Hong. R. Reifenberger, D.B. Janes, D. McInturff, J.M. Woodal. Appl. Phys. Lett., 68, 2258 (1996).

[17] J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997).

[18] P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul’nikov, V.M. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, S.G. Konnikov.

Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997) p. 841.

Редактор В.В. Чалдышев Electron accumulation in GaAs layers grown at low temperatures and containing arsenic clusters P.N. Brounkov, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.A. Suvorova, S.G. Konnikov, A.V. Chernigovskii, V.V. Preobrazhenskii†, M.A. Putyato†, B.R. Semyagin† A.F. Ioffe Physico-technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia † Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

Capacitance spectroscopy was used to investigate properties of Au/GaAs Schottky barrier structures, where a thin GaAs layer grown at low temperature (LT-GaAs) was sandwiched between two uniformly doped n-GaAs layers grown at statndard temperatures. We found electron accumulation in LT -GaAs surrounded by two depletion regions in adjacent n-GaAs layers.

Emission of electrons from LT -GaAs at 300 K resulted in a long plateau in capacitance-voltage characteristic. It has been shown that presence of the 0.1 µm thick layer of LT-GaAs gives rise to an increase in the breakdown electric field up to 230 kV/cm that is much higher than typical values for standard Au/n-GaAs structures.

Fax: (812) 2471017 (Brounkov) E-mail: pnbru@charm.ioffe.rssi.ru Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.