WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

структурных дефектов до порога неустойчивости. Все by J.S.Williams and J.M.Poate (Academic Press, 1984).

индивидуальные субкаскады, создаваемые атомами моле[2] A.I. Titov, C.E. Christodoulides, G. Carter, M.J. Nobes. Rad.

кулярного тока, находятся внутри среднестатистического Eff., 41, 109 (1979).

каскада, т. е. в объеме эллипсоида вращения с малыми [3] J.A. Davies, G. Foti, L.M. Home, J.M. Mitchell, K.B. Winterbon. Phys. Rev. Lett., 34, 1441 (1975).

полуосями 30 нм. Число субкаскадов, одновременно [4] G. Foti, G. Vitali, J.A. Davies. Rad. Eff., 32, 187 (1977).

создаваемых в пределах такого эллипсоида ионом N+, [5] D.A. Thompson, R.S. Walker. NIM, 132, 281 (1976).

вдвое больше, чем для N+.

[6] D.W. Stevanovic, N.P. Tognetti, G. Carter, В итоге возрастает практически вдвое заполненность C.E. Christodoulides, A.M. Ibrahim, D.A. Thompson.

среднестатистического каскада одновременно созданныRad. Eff., 71, 91 (1983).

ми дефектами, при этом не исключено и перекрытие [7] И.А. Аброян, Л.М. Никулина. ФТП, 30, 1893 (1995).

субкаскадов. Такая коррелированность субкаскадов во [8] A. Grob, J.J. Grob, A. Golanski. NIM, B19/20, 55 (1987).

времени и пространстве, благодаря которой они ”помо- [9] Li Xiagin, Lin Chenglu, Yang Gengin, Zhou Zuyao, гают” друг другу в разрушении кристалла, и приводит к Zou Shichang. NIM, B55, 589 (1991).

[10] E. Kotai, N.Q. Khanh, J. Gylai. In: Ion Beam Modification of появлению наблюдаемого молекулярного эффекта.

Materials, ed by J.S.Williams, R.G.Elliman and M.C.Ridgway Аналогичные представления были использованы нами (Academic Press, 1996) p. 823.

и в работе [7] при обсуждении результатов исследования [11] И.А. Аброян. Изв. РАН. Сер. физ., 60, № 7, 62 (1996).

молекулярного эффекта для ионов N+ при бомбардиров[12] И.А. Аброян, А.И. Титов. В сб.: Труды 2-го Советскоке Si, предварительно облученного ионами аргона. В [7] американского семинара по ионной имплантации уже высказывалось предположение, что необходимым (Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1979) с. 335.

условием для молекулярного эффекта на легких ионах [13] И.А. Аброян, А.И. Титов. В сб.: Ионная имплантация является подготовленность кристалла к структурному в полупроводниках и других материалах. Материалы 7-й Международной конференции, Вильнюс, 25–фазовому переходу. Здесь этому предположению полусентября 1983 г. (Вильнюс, 1985) с. 128.

чено прямое подтверждение (см. рис. 2).

[14] И.А. Аброян, Л.М. Никулина, А.И. Титов. ФТП, 19, (1985).

[15] M. Dbeli, F. Ames, R.M. Ender, M. Suter, H.A. Synal, Заключение D. Vetterli. NIM, B106, 43 (1995).

[16] А.И. Титов. Автореф. докт. дис. (Л., ЛПИ, 1989).

[17] A.I. Titov, G. Carter. NIM, B119, 491 (1996).

Сформулированы требования, обеспечивающие [18] D.A. Thompson, P.S. Walker. Rad. Eff., 37, 113 (1978).

эквивалентность облучения сравнительно легкими (M 20 а.е.м.) атомарными и молекулярными ионами. Редактор Т.А. Полянская Экспериментально исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации ионов N+ и N+ в Molecular effect during light ion 1 эквивалентных условиях при T = 300 K. Установлено, implantation in semiconductors что при низких уровнях повреждения кристаллической I.A. Abroyan, L.M. Nikulina решетки, когда относительная концентрация дефектов меньше 15%, в эквивалентных условиях ион N+ State Technical University, создает столько же дефектов сколько два иона 195251 St.Petersburg, Russia N+. При nd > 0.15 эффективность повреждения Si ионами возрастает: на участке крутого подъема Fax: (812)зависимости nd() ион N+ создает примерно в 6 раз 2 E-mail: abroyan@aphs.hop.stu.neva.ru больше дефектов, чем ион N+. Доза аморфизации a, выраженная в атом/см2, при имплантации ионов N+ в 1.5 раза меньше, чем для N+. Эти особенности 2 воздействия молекулярных ионов можно рассматривать как результат фазового перехода, происходящего в сильно нарушенной, но еще кристаллической матрице полупроводника.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.