WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Увеличение коэффициента поглощения в длинноволновой области спектра с ростом уровня легирования Рис. 3. a) Спектральная зависимость коэффициента экс- обычно связывают с поглощением на свободных носитетинкции для ПДА THD в длинноволновой области при разлях. Действительно, с ростом проводимости материала личных уровнях легирования. 1 — нелегированный образец поглощение в длинноволновой области монотонно уве( < 10-9 S/cm). 10-4 (2) и 10-3 S/cm (3).

личивается как для ПА, так и для ПДА THD (рис. 3, a).

b) Спектральная зависимость оптической плотности для полиИз рис. 3, b видно, что для легированного ПА зависиацетилена при различных уровнях легирования [5]. (S/cm):

мости () с хорошей точностью параллельны в очень 1 —1, 2 —6, 3 — 15, 4 — 30, 5 — 40.

широкой области 400 3000 cm-1, что также характерно для поглощения на свободных носителях.

Качественная разница с поглощением в ”классических” фией, представленной на рис. 3 в [10]). Следует, однако, полупроводниках состоит, однако, в том, что в обычных учитывать два обстоятельства. Во-первых, монокристалполупроводниках (Si, Ge, GaAs и т. д.) с увеличенилы, составлявшие макроскопический образец, в [1,2] быем длины волны падающего света поглощение ли ориентированы совершенно хаотически. Во-вторых, растет 2. Этот факт обусловлен достаточно как показывают наши предварительные исследования, фундаментальной причиной: чем меньше энергия фотограница между монокристаллами, даже расположенными на, тем меньший импульс должен получить ”свободный параллельно, представляет собой потенциальный барьер, носитель” от решетки (фононы) или примеси, чтобы препятствующий обмену свободными носителями мепоглотить квант света. Из рис. 3, b видно, что для ПА жду соседними фибриллами, принадлежащими к разным реализуется противоположная ситуация: если исключить монокристаллам. Таким образом, к отмеченным выше отдельные полосы, поглощение падает с ростом длины трем механизмам переноса, характерным для полиаволны (см. также [12]). Как видно из рис. 3, a, для ПДА цетилена, в ПДА, по-видимому, прибавляется четверTHD эта тенденция выражена еще более резко. Этот тый — межкристаллический перенос между соседними факт также свидетельствует в пользу предположения, что фибриллами, принадлежащими соседним кристаллитам.

подавляющая часть носителей, созданных в результате Можно надеяться, что более упорядоченное расположелегирования, сосредоточена в изолированных кластерах ние микрокристаллов и удачный способ ”нарушения” и ”мертвых концах”.

межкристаллических границ позволят в дальнейшем существенно увеличить проводимость ПДА THD при том Работа поддержана Российским фондом фундаменже методе легирования. тальных исследований (грант № 96-03-32462-a).

Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1166 Е.Г. Гук, М.Е. Левинштейн, В.А. Марихин, Л.П. Мясникова Список литературы [1] В.А. Марихин, Е.Г. Гук, Л.П. Мясникова. ФТТ 39, 4, (1997).

[2] Е.Г. Гук, М.Е. Левинштейн, В.А. Марихин, Л.П. Мясникова, С.Л. Румянцев. ФТТ 39, 4, 778 (1997).

[3] Handbook of conducting polymers / Ed. T.A. Skotheim.

Marcel Dekker, N. Y.–Basel. (1986). V. 2.

[4] C.R. Fincher, Jr., M. Ozaki, M. Tanaka, D. Reebles, L. Lauchlan, J. Heeger. Phys. Rev. B20, 4, 1589 (1979).

[5] J. Tanaka, M. Tanaka. In: Handbook of conducting polymers / Ed. T.A. Skotheim. Marcel Dekker, N. Y.–Basel (1986). V. 2.

P. 1269.

[6] Н.В. Агринская, Е.Г. Гук, Л.А. Ремизова, И.Н. Хахаев. ФТТ 37, 2, 546 (1995).

[7] N.V. Agrinskaya, E.G. Guk, I.A. Kudryavtsev, O.G. Lublinskaya. Nonlinear Opt. 12, 301 (1995).

[8] К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, М. (1986). 660 с.

[9] R.R. Chance, D.S. Boudreaux, J.L. Bredas, R. Sibey. In:

Handbook of conducting polymers / Ed. T.A. Skotheim.

Marcel Dekker, N. Y.–Basel (1986). V. 2. P. 825.

[10] A.I. Heeger. Ibid. V. 2. P. 729.

[11] R.H. Boughman, K.C. Jee. Macromolec. Rev. 12, 219 (1978).

[12] J.F. Rabolt, T.C. Clarce, G.B. Street. J. Chem. Phys. 71, 11, 6414 (1979).

Физика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.