WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансия–кислород в кремнии © Л.Ф. Макаренко¶ Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия (Получена 9 февраля 2000 г. Принята к печати 30 марта 2000 г.) Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах кремния n-типа 60 проводимости, выращенных по методу Чохральского и облученных гамма-квантами Co. Проведен анализ применимости модели моновалентного дефекта с уровнем вблизи Ec-0.17 эВ для описания свойств A-центра в кристаллах n-Si. Показано, что модель не согласуется с имеющимися экспериментальными данными.

Высказано предположение, что A-центр имеет в верхней половине запрещенной зоны два уровня: акцепторный вблизи Ec-0.16 эВ и донорный вблизи Ec-0.20 эВ. Это предположение согласуется с данными, полученными с использованием магнитно-спектроскопических методов.

Структура комплекса кислород-вакансия в кремнии Результаты работ, посвященных емкостным исследо(A-центр) известна уже давно [1], но многие его свойства ваниям радиационных дефектов в кремнии, также не позволяют судить об адекватности модели моновалентного все еще не находят удовлетворительного объяснения.

Одним из таких свойств является чрезвычайно высо- дефекта. Параметры A-центра, определенные различными авторами, имеют весьма большой разброс, который, кая рекомбинационная активность A-центра, проявляена наш взгляд, превышает ожидаемый. Так, в [7] для мая вследствие весьма больших сечений захвата как HA приводят значение 0.15 эВ, а в материалах для электронов (n), так и дырок (p) [2]. Согласно [2,3], кремниевых детекторов HA = 0.19 эВ [8]. Кроме теория многофононных переходов не позволяет объястого, влияние электрического поля p-n-перехода на нить столь высокие значения сечений захвата носитескорость эмиссии электронов с акцепторного уровня лей на акцепторное состояние A-центра (по крайней A-центра [9,10] затрудняет интерпретацию данных, помере для p). Причины такого несоответствия теории лученных при исследовании барьерных структур с рази экспериментальных данных все еще не ясны. Одна личными концентрациями примесей.

из них может заключаться в непримеримости теории Таким образом, имеющиеся экспериментальные данмногофононных переходов к вакансионным центрам [2].

ные не позволяют утверждать, что модель моновалентноОднако, возможно, несоответствие возникает из-за того, го дефекта достаточна для описания функции заполнения что наши представления об A-центре в кремнии n-типа A-центра в кремнии n-типа проводимости. Следователькак о простом моновалентном дефекте не соответствуют но, эта модель должна рассматриваться только как гиподействительности.

теза, требующая проверки. Такая проверка и составляет Эти представления возникли прежде всего на оснопредмет настоящей работы.

вании данных холловских измерений, из которых было Исследовался монокристаллический кремний n-типа, установлено, что A-центр имеет акцепторный уровень выращенный по методу Чохральского, с удельным EA(-/0) Ec-0.17 эВ [4,5]. Чаще всего (см. [16]) сопротивлением 20 Ом·см, концентрацией кислорода цитируется значение энергии ионизации, полученное [O]= 0.9 1018 см-3 и углерода [C]= 5 1016 см-3.

Вертхеймом в [4]: EA = 0.160 + 1.1 · 10-4 T, эВ, где, Измерялись температурные (T = 78-320 K) зависимокак обычно, EA = Ec - EA(-/0). В работе [5] был сти коэффициента Холла (RH). Концентрация носитепроведен более детальный анализ данных холловских лей заряда (n) рассчитывалась по стандартной формуле измерений. Оказалось, что значения энтальпии (HA) n = AH(T )/eRH, где AH(T ) — холл-фактор. Темпераи энтропии (SA) ионизации A-центра, полученные для турная зависимость холл-фактора аппроксимировалась материалов, имеющих разные соотношения между кон- полиномом, аналогично тому, как это делалось в [5,11].

Для введения A-центров образцы облучались гаммацентрациями доноров и компенсирующих радиационных дефектов, могут существенно различаться. Поэтому на- квантами Co. Доза облучения выбиралась в соответствии с условием слабой компенсации, чтобы концентраряду с определением значений HA и SA желательно ция A-центра (NA) была меньше концентрации легируюпроводить какую-либо оценку адекватности описания щей примеси фосфора (NP). Согласно многочисленным экспериментальных данных при помощи используемой экспериментальным данным [2,12–14], в слабо легирофункции заполнения. К сожалению, такой оценки не ванных (n < 1016 см-3) кристаллах кремния n-типа, выбыло сделано в полной мере ни в указанных выше, ни ращенных по методу Чохральского и облученных гаммав многочисленных последующих работах, посвященных квантами Co, A-центр является превалирующим элекизучению A-центра при помощи эффекта Холла.

трически активным дефектом, а концентрация остальных ¶ центров с уровнями в верхней половине запрещенной Fax: (017)E-mail: makarenko@fpm.bsu.minsk.by зоны пренебрежимо мала.

Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса... Численная аппроксимация DH в настоящей работе выбиралась в виде 2 ni ni+H = kTi +, (2) NA Fi Fi+где ni = nexp(Ti) - nexp(Ti-1) и Fi = Fexp(Ti) - Fexp(Ti-1), а nexp(Ti) и Fexp(Ti) есть экспериментально определенные значения концентрации и уровня Ферми соответственно. Такая аппроксимация позволяет частично сглаживать колебания H, возникающие вследствие случайных ошибок эксперимента.

Максимальное значение H для одновалентного дефекта с SA = 0 должно быть практически равно единице [17,18]. Однако для A-центра максимальное значение H существенно ниже единицы (см. рис. 2).

Это может свидетельствовать о том, что S < 0 [18].

Действительно, зависимость H(F), рассчитанная для значений HA и SA, приведенных в [4], значительно лучше согласуется с экспериментальными данными, чем Рис. 1. Температурные зависимости концентрации носителей аналогичная зависимость, рассчитанная для HA = F1/заряда в кристалле кремния сразу после облучения гаммаи SA = 0 (см. рис. 2). Но ни та ни другая кривая, квантами Co дозой = 2.5 · 1017 см-3 (1) и после отжига рассчитанные по одноуровневой модели, не могут удопри 352C в течение 15 (2) и 40 мин (3).

влетворительно описать экспериментальные данные во всем исследуемом интервале температур. Так, например, если кривая A хорошо описывает высокотемпературную часть экспериментальной зависимости, то кривая B — На рис. 1 приведены температурные зависимости контолько ее низкотемпературную часть.

центрации электронов n(T) для одного из исследованных образцов, измеренные как сразу после облучения, так и после нескольких циклов изотермического отжига при 352C. В результате облучения вводится радиационный дефект с уровнем вблизи Ec-0.18 эВ, обозначаемый далее как E (0.18). Простейший способ идентификации дефектов из холловских данных заключается в определении его уровня по положению уровня Ферми (F1/2) при температуре, для которой функция заполнения дефекта равна 1/2, и, следовательно, соответствует концентрация электронов n = (Nnet - Nlow)/(Nnet и Nlow указаны на рис. 1). Во всех кристаллах для E (0.18) получено значение F1/2 = Ec-0.183 эВ, которое согласуется с данными работ [4,11]. Температура и постоянная времени отжига E (0.18) также согласуются с результатами, полученными при исследовании A-центра методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и инфракрасной (ИК) спектроскопии [15–16], что служит дополнительным подтверждением идентификации исследуемого центра как комплекса Рис. 2. Зависимости величины H от расстояния между кислород–вакансия. дном зоны проводимости (Ec) и уровнем Ферми (F). Обозначения экспериментальных кривых те же, что и на рис. 1.

Вначале проведем анализ применимости одноуровнеРасчетные кривые H вычислялись на основании уравнения вой модели, используя дифференциальную методику [17].

электронейтральности по одноуровневой модели для значений Согласно [17], параметры дефекта можно определить из HA = 0.183 эВ и SA = 0 (A) и с параметрами, взятыми зависимости от уровня Ферми (F) величины из [4]: HA = 0.160 эВ и SA = -1.25k эВ/K (B); а также по модели дивалентного центра с параметрами, взятыми из [21]:

H1 = 0.158 эВ и S1 = -0.5k эВ/K, H2 = 0.205 эВ и 4 dn DH = kT. (1) S2 = 0.4k эВ/K (C).

NA dF Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1164 Л.Ф. Макаренко описания его свойств неприменима. Первое предположение, по-видимому, маловероятно с точки зрения физического смысла величин HA и SA [20]. Из второго следует необходимость использования более сложной модели для описания функции заполнения A-центра.

В [21] была предложена новая модель, в которой A-центр рассматривается как амфотерный дефект с акцепторным уровнем вблизи Ec-0.16 эВ и донорным вблизи Ec-0.20 эВ. Как видно из рис. 2 и 3, эта модель хорошо объясняет особенности экспериментальных зависимостей как H(F), так и (T ). Она позволяет также объяснить данные холловских измерений в кристаллах кремния, облученных большими дозами гамма-квантов (см. работу [22], в которой для A-центра наблюдался разброс энергий активации от 0.16 до 0.20 эВ). Кроме того, это предположение согласуется и с данными, полученными другими методами.

Рис. 3. Температурные зависимости величины (T ). Обо- Простейшим тестом применимости модели двухвазначения экспериментальных кривых те же, что и на рис. 1.

лентного дефекта к A-центру являются, по-видимому, Прямыми показаны зависимости EA(T ), построенные по данные ЭПР спектроскопии. A-центр является парамагданным работ [4] — HA = 0.160 эВ, SA = -1.25k эВ/K (W) нитным только в отрицательно заряженном состоянии и [5] — HA = 0.146 эВ, SA = -2.3k эВ/K (S&T ); а кривая (центр Si-B1) [1]. Тогда в соответствии с данной моделью M рассчитана по модели дивалентного центра с параметрами, концентрация центров Si-B1 в кристаллах кремния, вывзятыми из [21]: H1 = 0.158 эВ и S1 = -0.5эВ/K, ращенных по методу Чохральского, должна быть равна H2 = 0.205 эВ и S2 = 0.4эВ/K.

(Nnet - Nlow)/2. В то же время из рис. 1 следует, что уменьшение концентрации примесных атомов фосфора в парамагнитном состоянии будет пропорционально веПричина несоответствия расчетных и экспериментальличине Nnet - Nlow. Таким образом, следует ожидать, что ных зависимостей H(T ) становится ясной из рассморост амплитуды сигнала ЭПР, связанного с Si-B1, будет трения температурных изменений величины составлять только половину от уменьшения сигнала, свяNc Nnet - n занного с донорами фосфора, что хорошо солгласуется с (T ) =kT ln, (3) экспериментальными данными [23].

n n - Nlow Если у A-центра имеется донорный уровень, то после где Nc — эффективная плотность состояний в зоне облучения величина Nnet должна была бы возрасти до проводимости. Согласно [19], для моновалентного деirr значения Nnet = NP + NA, и после окончания ионизации фекта (T ) = E(T ) = HA - TSA. Если речь не A-центра мы наблюдали бы увеличение концентрации идет об очень низких температурах, и если начальная и носителей заряда на величину NA по сравнению с исходконечная температуры измерений не отличаются более ной концентрацией примеси фосфора. Поскольку такого чем в 2–3 раза, то величины HA и SA можно считать увеличения не наблюдается, мы должны предположить, практически постоянными и зависимость E(T ) будет что одновременно с A-центром при облучении образулинейной [20]. Это предположение обычно принимается ется еще один акцепторный дефект с практически той как постулат и может использоваться в качестве критеже самой скоростью введения. Более того, как следует рия применимости одноуровневой модели.

из рис. 1, этот акцепторный центр должен также отжиЭкспериментальные кривые exp(T ) представлены на гаться совершенно идентично A-центру. Хотя, на перрис. 3. Здесь же построены зависимости EA(T ), полувый взгляд, такая корреляция кажется маловероятной, ченные в работах [4,5]. Как следует из рисунка, формула однако логически ее можно ожидать для генетически Вертхейма представляет собой линейную аппроксимасвязанных радиационных дефектов. Более того, именно цию зависимости exp(T ) во всем исследуемом интервале такое поведение обнаружено из данных релаксационной температур, а прямая, построенная согласно данным спектроскопии глубоких уровней (DLTS) для E(0.18) и работы [5], есть очень хорошая линейная аппроксималовушки для дырок H(0.42) [12].

ция, но только ее низкотемпературного участка. Однако Предполагается, что центр H(0.42) связан с комвидно, что в целом экспериментальные кривые exp(T ) не плексом CiOi [23–25]. В свою очередь корреляция в могут быть описаны линейным законом. Следовательно, пространственном распределении A-центра и комплекдля объяснения экспериментальных данных холловских измерений необходимо предположить, что либо энергия са CiOi согласуется с результатами работы [26] об ионизации A-центра имеет аномальную нелинейную за- электронных переходах между этими центрами в облувисимость от температуры, либо используемая модель ченном кремнии. Именно результатом действия этого Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса... межпримесного механизма рекомбинации можно объяс- Testing validity of monovalent defect нить аномально высокую рекомбинационную активность model for oxygen–vacancy complex комплекса кислород–вакансия в кремнии.

in silicon Таким образом, в настоящей работе показано, что L.F. Makarenko представления об A-центре в кремнии, как о дефекте, имеющем только один акцепторный уровень в верхней Belarus state University, половине запрещенной зоны, не соответствует экспе220050 Minsk, Belarus риментальным данным измерений коэффициента Холла.

Более удовлетворительной является модель, согласно

Abstract

Temperature dependecies of charge carrier concentraкоторой A-центр в кремнии имеет акцепторный уроtion has been investigated on Czochralski-grown n-type silicon вень вблизи Ec-0.16 эВ и донорный уровень вблизи crystals irradiated by Co-60 gamma-rays. The validity of the model Ec-0.20 эВ. of a monovalent defect with the energy level near Ec-0.17 eV has been examined to describe A-center properties in n-Si. This model is shown to be inconsistent with experimental data available. It it Список литературы suggested that the A-center should have two levels in the upper part of Si band gap: an acceptor level is about Ec-0.16 eV and a [1] G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961).

donor one is about Ec-0.20 eV. This suggestion is consistent with [2] А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991).

data obtained with the help of magnetic spectroscopy methods.

[3] С.М. Дикман. ФТП, 26, 1427 (1992).

[4] G.K. Wertheim. Phys. Rev., 106, 1272 (1958).

[5] E. Sonder, L.C. Templeton. J. Appl. Phys., 31, 1279 (1960).

[6] В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1980) с. 95.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.