WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

is proposed. This method allows determination of the growth conditions so that compounds of certain composition could be obtained. On a basis of this technique the thermodynamic analysis Заключение of growth of GaxIn1-xPyAs1-y and GaPyAs1-y alloys is carried out.

Таким образом, в настоящей работе предложена методика термодинамического оприсания процесса выращивания четверных твердых растворов с 2-я летучими компонентами методом МПЭ; проведен теромодинамический анализ процесса выращивания соединений GaPyAs1-y и GaxIn1-xPyAs1-y. Показано, что учет влияния упругих напряжений, возникающих в случае псевдоморфного роста GaPyAs1-y на GaAs, на константы равновесия реакций образования бинарных соединений приводит к лучшему согласию экспериментальных и теоретических данных.

Авторы выражают благодарность С.В. Иванову и Н.Н. Леденцову за полезные дисскусии.

Данная работа выполнена при поддержке Linkage Grant of NATO ISEP.

Список литературы [1] Р. Хекингботом. В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга и К. Плога (М., Мир, 1989) с. 65.

[2] H. Seki, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 78, 342 (1986).

[3] A.S. Jordan, M. Ilegems. J. Phys. Chem. Sol., 36, 329 (1975).

[4] П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988).

[5] M.B. Panish, M. Ilegems. Prog. Sol. St. Chem., 7, 39 (1972).

[6] B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74, 255 (1993).

[7] S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Budza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop’ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, (1993).

Редактор Т.А.Полянская Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.