WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

[31] M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 16, [61] A.I. Yakimov, C.J. Adkins, R. Boucher, A.V. Dvurechenskii, 11 969 (1995).

A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Phys. Rev. B, 59, 12 [32] Ф.В. Гаспарян, З.Н. Адамян, В.М. Арутюнян. Кремниевые (1999).

фотоприемники (Ереван, Изд-во Ереван. ун-та, 1989).

[62] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins.

[33] А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Phys. St. Sol. (b), 218, 105 (2000).

О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 68, 125 (1998).

[63] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakov[34] А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, lev, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. Phys. Rev. B, 61, 10 О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 72, 267 (2000).

(2000).

[35] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pche[64] А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, В.А. Кудрявцев, lyakov, A.A. Nenashev. Phys. Rev. B, 62, R16283 (2000).

Ж.В. Смагина. Письма ЖЭТФ, 72 (3), 190 (2000).

[36] А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М., Изд-во АН СССР, 1957). Редактор Т.А. Полянская [37] А.М. Данишевский, А.А. Кастальский, Б.С. Рывкин, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 10, Type 2 Ge/Si quantum dots (1969).

A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov [38] A.F. Gibson, P.N.D. Maggs. J. Phys. D: Appl. Phys., 7, (1974).

Institute of Semiconductor Physics, [39] С.С. Ищенко, С.М. Окулов, А.А. Климов, З.Д. Ковалюк.

Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, ФТП, 17, 1230 (1983).

630090 Novosibirsk, Russia [40] I. Lo, W.C. Mitchel, R. Kaspi, S. Elhamri, R.S. Newrock. Appl.

Phys. Lett., 65, 1024 (1994).

Abstract

We report the results on the electronic structure of [41] J.-P. Cheng, I. Lo, W.C. Mitchel. J. Appl. Phys., 76, 667 (1994).

[42] I. Lo, S.J. Chen, Y.C. Lee, L.W. Tu, W.C. Mitchel, M. Ahoujja, spatially indirect excitons, many-particle excitonic complexes, and R.E. Perrin, R.C. Tu, Y.K. Su, W.H. Lan, S.L. Tu. Phys. Rev.

negative interband photoconductivity in arrays of Ge/Si type B, 57, R6819 (1998).

quantum dots. These data have been compared with the well [43] С.А. Казьмин, В.И. Кайданов, С.С. Шевченко. ФТП, 19, known results for type 2 AIIIBV and AIIBVI-based heterostructures (1985).

with quantum dots. Fundamental physical phenomena were found [44] И.И. Засавицкий, Б.Н. Мацонашвили, В.Т. Трофимов. ФТП, to be the result of an increase in the binding energy of excitons 23, 2019 (1989).

in quantum dots as compared with that of free excitons in bulk [45] A.G. De Oliveira, G.M. Ribeiro, D.A.W. Soares, H. Chacham.

homogeneous materials. The above said thus accounts for the Appl. Phys. Lett., 64, 2258 (1994).

blueshift of interband excitonic transitions due to many-particle [46] В.Г. Кустов. ФТП, 10, 2215 (1976).

complexed generation (charged excitons, biexitons), as well as the [47] A.I. Yakimov, A.I. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov.

trapping of equilibrium carriers by localized states induced by the Thin Sol. Films, 380, 82 (2000).

charged quantum dot electric field.

[48] А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 187 (2001).

[49] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenkii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii.

Appl. Phys. Lett., 75, 1413 (1999).

[50] P. Boucaud, V.Le. Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, D. Bouchier.

Appl. Phys. Lett., 74, 401 (1999).

[51] S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien, J.-M. Gerard, V. ThierryMieg. Appl. Phys. Lett., 71, 2785 (1997).

9 Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.