WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

меченных факторов показали важность их учета при [16] O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92(4), 1987 (2002).

моделировании РТД. Удовлетворительное согласование [17] W.R. Frensley. Phys. Rev. B, 36(3), 1570 (1987).

результатов расчета ВАХ с экспериментом получается [18] N.C. Kluksdahl, A.M. Kriman, D.K. Ferry, C. Ringhofer. Phys.

при учете всего комплекса факторов. Впервые включеRev. B, 39(11), 7720 (1989).

ние в модель важных свойств (формы разрыва зон и [19] K.L. Jensen, F.A. Buot. J. Appl. Phys., 65(12), 5248 (1989).

поверхностного заряда) гетерограниц приводит к выводу [20] B.A. Biegel, J.D. Plummer. Phys. Rev. B, 54(11), 8070 (1996).

[21] P. Zhao, D.L. Woolard, B.L. Gelmont, H.-L. Cui. J. Appl.

о необходимости более детального учета характеристик Phys., 94(3), 1833 (2003).

реальных гетеропереходов для адекватного моделирова[22] G. Klimeck, R. Lake, R.C. Bowen, W.R. Frensley, T.S. Moise.

ния РТД. В итоге неплохие результаты анализа могут Appl. Phys. Lett., 67(17), 2539 (1995).

быть достигнуты в рамках одночастичного приближения [23] R.C. Bowen, G. Klimeck, R.K. Lake, W.R. Frensley, T. Moise.

и метода эффективной массы с помощью одномерной J. Appl. Phys., 81(7), 3207 (1997).

модели. Дальнейшее усовершенствование предложенной [24] R. Lake, G. Klimeck, R.C. Bowen, D. Jovanovich. J. Appl.

комбинированной модели будет осуществляться по пути Phys., 81(12), 7845 (1997).

учета влияния нестационарных процессов с целью более [25] J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, J.N. Schulman. Proc.

адекватного описания области плато ВАХ и внутренней IEEE, 86(4), 641 (1998).

бистабильности РТД. [26] И.А. Обухов. Микросистемная техника, № 2, 23 (2001).

[27] Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, Авторы считают своим приятным долгом выразить ред. Л. Ченг, К. Плог (М., Мир, 1989).

искреннюю признательность проф. George I. Haddad, [28] J.P. Sun. Modeling of semiconductor quantum devices and its д-ру Gerhard Klimeck и канд. физ.-мат. наук И.А. Обухову application (Ph.D. Thesises, Dep. of EECS, Univ. of Michigan, за любезно предоставленные оттиски работ. Ann Arbor, 1993).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Комбинированная модель резонансно-туннельного диода [29] S. Mohan, J.P. Sun, P. Mazumder, G.I. Haddad. IEEE Trans., CAD-14(6), 653 (1995).

[30] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Элекромагнит. волны и электрон. системы, 7(3), 54 (2002).

[31] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 11-й Межд. конф.

„СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии“ (Севастополь, Украина, 2001) с. 443.

[32] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., №1(9)/2, 88 (2000).

[33] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000).

[34] Туннельные явления в твердых телах, ред. Э. Бурштейн, С. Лундквист (М., Мир, 1973).

[35] Nanostructure Physics and Fabrication, ed. M.A. Reed, W.P. Kirk (San Diego, Academic Press, 1989).

[36] Y. Zohta, T. Tanamoto. J. Appl. Phys., 74(11), 6996 (1993).

[37] И.И. Абрамов. Курс лекций „Моделирование элементов интегральных схем“ (Минск, БГУ, 1999).

[38] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., №2(14)/2, 170 (2002).

[39] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.А. Игнатенко, А.В. Королев, Е.Г. Новик, А.И. Рогачев. Микроэлектроника, 32(32), 124 (2003).

[40] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Низкоразмерные системы-2 (Гродно, ГрГУ, 2002) с. 21.

[41] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., №1(11)/3, 77 (2001).

[42] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 12-й Межд. конф.

„СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии“ (Севастополь, Украина, 2002) с. 464.

[43] И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 13-й Межд. конф.

„СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии“ (Севастополь, Украина, 2003) с. 534.

[44] T.B. Boykin, R.C. Bowen, G. Klimeck, K.L. Lear. Appl. Phys.

Lett., 75(9), 1302 (1999).

[45] M.V. Fischetti, S.E. Laux. Phys. Rev. B, 38(14), 9721 (1988).

[46] V.J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham. Phys. Rev. Lett., 58(12), 1256 (1987).

[47] C.Y. Huang. J.E. Morris, Y.K. Su. J. Appl. Phys., 82, (1997).

Редактор Т.А. Полянская Combined model of resonant tunneling diode I.I. Abramov, I.A. Goncharenko, N.V. Kolomejtseva Belorussian State University of Informatics and Radioelectronics, 220013 Minsk, Belorussia

Abstract

A combined model of resonant tunneling diode, based on semiclassical and quantum-mechanical (wave function formalism) approaches is proposed. In addition to certain factors, important properties of device heterojunction such as the shape of energy-band offset and interface charge were took into account. It was shown that satisfactory agreement of I-V characteristics with experiment can be obtained with the use of the model. The peak voltages are determined with a good accuracy when resistances of long passive regions and interface charge are included.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.