WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Были исследованы факторы, влияющие на увеличение Рис. 5. Экспериментальная и аппроксимационная согласпорога генерации. Как известно, существует прямая зано [21] температурные зависимости пороговой мощности нависимость величины пороговой мощности генерации от качки (Iexp и Iappr) для лазера на основе структуры B, а th th квадрата энергии кванта испускаемого света (hm)2, шитакже температурные зависимости обратной квантовой эфрины линии фотолюминесценции на полувысоте FWHM фективности спонтанного излучения 1/sp, ширины линии ФЛ и обратной квантовой эффективности 1/sp [21]. Исслена половине высоты FWHM, квадрата энергии испускаемых довались температурные зависимости положения пика фотонов (hm)2. На вставке — температурная зависимость ФЛ hm при низком уровне возбуждения и при порогоположения пика излучения при низком уровне возбуждения вой плотности мощности накачки (вставка к рис. 5). Обе He–Cd-лазером (1) и при пороговой плотности мощности зависимости отражают температурный сдвиг ширины накачки N2-лазером (2) для той же структуры.

запрещенной зоны активной области. Таким образом, вклад энергетического положения максимума ФЛ в увеличение пороговой плотности мощности довольно ловая расходимость лазерного излучения на полувысоте мал. Определенная непосредственно из спектров ширина интенсивности составила 20-25 для всех структур.

полосы ФЛ FWHM также слабо увеличивается с роНа рис. 3 представлены зависимости выходной мощностом температуры, что указывает на малую дисперсию сти лазеров с разными длинами резонаторов от интенразмеров КД CdSe, и мало влияет на порог генерации.

сивности возбуждения. Лазерная генерация в структуре Наибольший вклад в увеличение порога генерации с рос тремя дробно-монослойными вставками CdSe наблюстом температуры оказывает квантовая эффективность далась до уровня интенсивности накачки, в 20-30 раз спонтанного излучения sp, определяемая как отношение превышающей пороговую, без явных признаков деграда- интегральной интенсивности спектра ФЛ к плотности ции. Максимальная импульсная мощность (более 20 Вт) мощности накачки. Уменьшение внутренней эффективбыла получена для этой же структуры при длине резо- ности происходит, очевидно, в результате уменьшенатора 330 мкм. ния электронного ограничения, увеличения вероятности Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного... температурной стабильностью с T0 = 195 K в диапазоне температур 20-225C. При этом их максимальная квантовая эффективность и максимальная импульсная мощность составляют 5% и 30 Вт соответственно.

Возбуждение лазера на основе соединений AIIBVI происходило в поперечной геометрии, при этом не использовалась какая-либо промежуточная оптика.

При приближении CdSe/ZnMgSSe-лазера к резонатору InGaN/GaN-лазера наблюдается сначала интенсивная люминесценция, а при дальнейшем приближении ( 200 мкм) с повышением плотности мощности накачки — генерация, при этом доля рассеянного излучения азотного лазера меньше 0.1% интенсивности излучения InGaN/GaN-лазера.

На рис. 6 представлен спектр генерации с четкой модовой структурой CdSe/ZnMgSSe-лазера при оптической накачке InGaN/GaN-лезером с МКЯ.

Рис. 6. Спектр генерации CdSe/ZnMgSSe-лазера при оптической накачке InGaN/GaN-лазером.

4. Заключение безызлучательной рекомбинации и внутренних потерь в Методом МПЭ выращены Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеры структуре с ростом температуры. с оптической накачкой и различной конструкцией акСпектры возбуждения люминесценции гетерострук- тивной области. Во всех структурах была достигнута тур с КД CdSe при комнатной температуре показали, что лазерная генерация в широком интервале температур и существует ярко выраженный максимум эффективности интенсивностей накачки без серьезных признаков дегравозбуждения в спектральном интервале 440-460 нм, дации. Лучшие характеристики получены в структуре, что хорошо соответствует диапазону поглощения в активная область которой включает в себя три плосковолноводе ZnSe/ZnSSe, обладающем при 300 K высокой сти КД CdSe. Полученные величины внешней квантовой эффективностью транспорта носителей заряда к КД эффективности (12%), характеристической температуры CdSe перпендикулярно слоям СР. Поглощение возбуж(330 K в интервале температур до 100C) и максимальдающего излучения в обкладочных слоях ZnMgSSe ной мощности излучения (20 Вт) являются одними из имеет намного меньшую эффективность как вследствие лучших среди опубликованных результатов для оптипространственной удаленности, так и вследствие значических лазеров на основе соединений AIIBVI. Впервые тельных флуктуаций потенциала и захвата на центры для оптической накачки CdSe/ZnMgSSe-лазера испольбезызлучательной рекомбинации. Поэтому оптическая зовался оптически накачиваемый InGaN/GaN-лазер с накачка лазеров с КД CdSe в КЯ ZnSe излучением с длимножественными КЯ, выращенный на подложке Si (111).

ной волны 450 нм должна быть более эффективной и Полученные результаты позволяют рассматривать иметь меньший порог, чем накачка излучением азотного возможность применения инжекционных лазеров на лазера ( = 337.1нм).

основе GaN в качестве источника оптической накачДля оптической накачки CdSe/ZnMgSSe-лазеров иски для получения компактного интегрального лазернопользовались InGaN/GaN-лазеры с множественными КЯ, го конвертора InGaN/GaN–Cd(Zn)Se/ZnMgSSe, излучавыращенные на подложках из сапфира (Al2O3) и кремющего в зеленой области спектра.

ния (Si), накачиваемые излучением азотного лазера и Работа выполнена при поддержке Программы миизлучающие в диапазоне длин волн 420-470 нм [22,23].

нистерства России „Физика твердотельных нанострукЛазерная генерация в структуре с активной областью в тур“, ИНТАС, РФФИ (грант № 03-02-17563) и виде вставок CdSe в ZnSe при комнатной температуре Белорусско-Российского проекта М-15. С.В. Иванов блабыла достигнута при использовании InGaN/GaN-лазера, годарит за поддержку Фонд содействия отечественной выращенного на подложке Si (111) и имеющего длину науке.

волны излучения 452-458 нм. Лазеры на подложках Si обладают более высокой мощностью по сравнению с лазерами той же длины волны, выращенными на Список литературы сапфире. Увеличение числа буферных слоев для релаксации напряжений, возникающих при росте на несо[1] E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuama, S. Kijima, A. Ishiгласованной по параметру решетки подложке, позволяbashi. Electron. Lettt., 34, 282 (1998).

ет повысить качество активной области этих лазеров [2] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, и понизить порог генерации до Ith = 30 кВт/см2 при T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jap. J. Appl. Phys., длине волны 455 нм. Лазеры характеризуются высокой 35, L74 (1996).

8 Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1140 И.В. Седова, С.В. Сорокин, А.А. Торопов, В.А. Кайгородов, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Е.В. Луценко...

[3] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, T. Mukai. Appl. Phys. Lasing in Cd(Zn)Se/ZnMgSSe Lett., 79 (13), 1948 (2001).

heterostructures pumped by emission [4] Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita.

of N2 and InGaN/GaN lasers Appl. Phys. Lett., 70 (8), 981 (1997).

[5] P.G. Eliseev, M. Osinski, J. Lee, T. Sugahara, S. Sakai.

I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Toropov, J. Electorn. Mater., 29, 332 (2000).

V.A. Kaygorodov, S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, [6] A. Valster, M.N. Finke, M.J.B. Boermans, J.M.M. Heijden, + + + E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, C.J.G.P. Spreuwenberg, C.T.H.F. Liedenbaum. Proc. 12th IEEE + + A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii, Y. Dikme, Int. Semiconductor Laser Conf. (Davos, 1990) PD-12.

H. Kalisch, A. Szymakowski, R.H. Jansen, [7] H. Hamada, K. Tominaga, M. Shono, S. Honda, K. Yodoshi, = B. Schineller, M. Heuken= T. Yamaguchi. Electron. Lett., 28, 18 334 (1992).

[8] Y. Kaneko, I. Nomura, K. Kishino, A. Kikuchi. J. Appl. Phys., Ioffe Physicotechnical Institute, 74 (2), 819 (1993).

Russian Academy of Sciences, [9] D.J. Mowbray, O.P. Kowalski, M. Hopkinson, M.S. Skolnick, 194021 St. Petersburg, Russia J.P.R. David. Appl. Phys. Lett., 65, 213 (1994).

+ Stepanov Institute of Physics of NAS Belarus, [10] C.J. Verie. Electron. Mater., 27, 782 (1998).

220072 Minsk, Belarus [11] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Le Institut fr Theoretische Elektrotechnik, bedev, P.S. Kop’ev, G.R. Posina, J.P. Bergman, B. Monemar.

RWTH, Aachen, Germany J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998).

= [12] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.V. Le- AIXTRON AG, Aachen, Germany bedev, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, F. Fischer, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett.,

Abstract

Laser generation and photoluminescence properties 73, 2104 (1998).

of green ( = 510-530 nm) Cd(Zn)Se/ZnMgSSe heterostructure [13] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Selasers with different designs of an active region have been dova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop’ev, Z.I. Alferov, A. Waag, investigated in wide temperature and excitation power ranges H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl.

under pulsed optical excitation. The minimum laser threshold Phys. Lett., 74, 498 (1999).

of 10 kW/cm2, maximum external quantum efficiency of 12% [14] D. Albert, J. Nurberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschunger, and maximum output power of 20 W have been achieved in G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 1957 (1999).

heterostructures with multiple CdSe quantum disc sheets (MQDS) [15] V.N. Jmerik, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, N.M. Shmidt, in the active region. The high temperature stability of threshold I.V. Sedova, S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev. J. Cryst. Growth, 214/215, 502 (2000). power densities (T0 = 330 K up to 100C) has been observed. An [16] S. Gundel, D. Albert. J. Nrberger, W. Faschinger. Phys. Rev.

integral converter with efficiency of 1%, consisting of the green B, 60, R 16271 (1999).

Cd(Zn)Se/ZnMgSSe MQDS laser optically-pumped by a blue [17] M.M. Zverev, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, D.V. Peregoudov, InGaN/GaN quantum well laser grown on a Si (111) substrate, S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev. Phys. St. Sol. B, 229 (1), 1025 (2002).

has been proposed and studied for the first time.

[17a] A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 75, 2626 (1999).

[18] E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, A.I. Stognij, A.L. Gurskii, V.A. Hryshanau, A.S. Shulenkov, G.P. Yablonskii, O. Schon, H. Protzmann, M. Lunenburger, B. Schineller, Y. Dikme, R.H. Jansen, M. Heuken. Phys. St.

Sol. C, 0, 272 (2002).

[19] T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, M. Ikeda. Appl. Phys. Lett., 80 (19), 3497 (2002).

[20] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40 (11), 939 (1982).

[21] Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1, с. 213.

[22] G.P. Yablonskii, M. Heuken. In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Pavesi, S. Gaponenko, and L. Dal Negro (Kluwer Academic Publishers, 2002) [NATO Sci. Ser. II.

Mathematics, Physics and Chemistry, v. 93, p. 455].

[23] G.P. Yablonskii, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, I.P. Marko, A.L. Gurskii, V.Z. Zubialevich, A.V. Mudryi, O. Schn, H. Protzmann, M. Lnenbrger, B. Schineller, M. Heuken, H. Kalisch, K. Heime. Appl. Phys. Lett., 79, 1953 (2001).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.