WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

При этом до появления сплошного кристаллического слоя межкристаллическая область по-прежнему заполнена связующей АФ. Действительно, анализ светлопольных (рис. 7, b) и темнопольных (рис. 7, c) изображений указывает на формирование контраста в межкристаллических областях на основании диффузного рассеяния электронов. Именно по этой причине межкристаллическое пространство на темнопольных изображениях всегда затемнено. Вместе с тем темнопольные исследования совместно с микродифракционными исследоваРис. 7. Структура слоев Al, полученных при Tc = 500C, ниями указывают на присутствие одинаковой текстуры Pg = 8 · 10-8 и PAr = 3-0.8Pa: a — начальный этап только на локальных областях слоя, что, по-видимому, зарождения кристаллов на поверхности АФ; b —светлопольобъясняется разориентирующим воздействием аморф- ное изображение структуры; c — темнопольное изображение ной прослойки. структуры.

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1136 В.И. Перекрестов, А.В. Коропов, С.Н. Кравченко выраженно. Так, было установлено, что по мере наращивания островковых структур на стекле происходит изменение окраски слоев от синего до розового и затем до белого цвета. Такая закономерность изменения окраски объясняется соответствующим увеличением размеров периодичности статистически однородной островковой структуры, на которой происходит дифракция оптических лучей. При этом переход к белому цвету происходит при нарушении этой периодичности вследствие срастания некоторых островков. Наряду с этим яркость цвета и его изменение при конденсации на KCl и ситалл выражены в меньшей степени.

Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы.

1) В случае осаждения слабопересыщенных паров Al отсутствует классический вариант образования структуРис. 8. Гранулированная пленка Al: Tc = 500C, Pg = 10-6 и ры каналов при срастании островков и последующее PAr 7-9Pa (a); время осаждения 30 min; b —РЭМ-изобраускоренное зарастание этих каналов с появлением пежение гранулированной пленки.

ремычек [7].

2) Расчеты краевого угла островков на основании изложенных теоретических представлений хорошо согласуются с физикой процессов формирования островсвязи. С другой стороны, малые энергии связи адатомов ковых структур.

с поверхностью осаждения усиливают их реиспарение 3) Используя конденсацию слабопересыщенных паров и миграционные возможности. Неравнство Es < Ea, и варьируя Pg, PAr и Tc, можно эффективно управлять по-видимому, также объясняет переход от объемного к технологическим процессом с целью получения различплоскому росту кристаллов при образовании АФ (рис. ных по структуре слоев нанокристаллов.

и 7, b). Наиболее эффективно подавляются процессы диффузионной коалесценции и срастания островков, Список литературы если диффузионный поток адатомов в направлении из межкристаллического пространства на кристалл, а [1] Л.С. Палатник, М.Я. Фукс, В.М. Косевич. Механизм обратакже поток реиспарившихся из межкристаллического зования и структура конденсированных пленок. Наука, М.

пространства атомов в сумме равны потоку атомов, (1972). 318 с.

который осаждается на это же межкристаллическое [2] Ю.Ф. Комник. Физика металлических пленок. Размерные пространство. Однако и в этом случае при Tc < 420C и структурные эффекты. Атомиздат, М. (1979). 264 с.

кристаллы должны расти в плоскости подложки, что [3] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998).

неизбежно приведет к образованию сплошного кристал- [4] В.С. Коган, А.А. Сокол, В.М. Шулаев. Влияние вакуумных условий на формирование структуры конденсатов. Струклического слоя. Тенденцию к образованию такого слоя тура металлических пленок, легированных газами: Обзор.

можно существенно снизить, если энергия связи атомов ЦНИИатоминформ, М. (1987). Ч. 2.

с боковой гранью кристалла будет уступать энергии [5] А.В. Коропов, П.Н. Остапчук, В.В. Слезов. ФТТ 33, 10, связи атомов на поверхности кристалла, ориентирован2835 (1991).

ной примерно параллельно фронту осаждаемого потока.

[6] А.В. Коропов, В.В. Сагалович. Поверхность 2, 17 (1990);

Такой вариант соотношений энергий связи возможен, по5, 55 (1989); 6, 50 (1987).

скольку, как показывают эксперименты, обычно боковые [7] Технология тонких пленок (справочник) / Под ред.

грани кристаллов более обогащены примесями [4] и, поЛ. Майселла, Р. Гленга. Советское радио, М. (1977). Т. 2.

видимому, в связи с этим не происходит образования 663 с.

сплошного кристаллического слоя, а наблюдается уве- [8] В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко. Вопросы атомной личение объемности островков даже после осаждения науки и техники 4, 80 (2001).

[9] Дж.П. Хирс, С.Дж. Хруска, Г.М. Паунд. В сб.: МонокриAl в течение 4 часов (рис. 2, c).

сталлические пленки. Мир, М. (1966). С. 15.

Поскольку при магнетронном распылении поверх[10] В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко, А.В. Павлов. ФММ 88, ность конденсации облучается потоком вторичных элек5, 72 (1999).

тронов [11], повышая тем самым Tc, важную роль в [11] Б.С. Данилин. Применение низкотемпературной плазобразовании островковых структур, очевидно, играет мы для нанесения тонких пленок. Энергоатомиздат, М.

также теплопроводность материала подложки. Видимо, (1989). 328 с.

в силу более низкой теплопроводности стекла по сравнению с ситаллом и KCl рост на нем статистически однородных островковых структур происходит более Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.