WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[12] Л.Ф. Бахтурова, В.В. Баковец, И.П. Домовесова, Б.М. Аюпов. ФТП, 27, 588 (1993).

[13] Г.Г. Закиров, Е.А. Никитина. Тез. докл. Всес. конф.

”Ионно-лучевая модификация материалов” (Каунас, 1989) с. 189.

[14] C. Jech, R. Kelly. J. Phys. Chem. Sol., 30, 465 (1969).

Редактор Л.В. Шаронова Investigation of porous silicon formed as a result of krypton ions implantation and laser annealing M.F. Galyautdinov, N.V. Kurbatova, E.Y. Buynova, E.I. Shtyrkov, A.A. Bukharaev Kazan Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 420029 Kazan, Russia.

Abstract

A new modification of porous silicon formed as a result of laser annealing (wave length of 694.3 nm, pulse width of 50 ns) of c-Si implanted with krypton ions in high doses (6 · 1014 2.4 · 1017 cm-2) was examined by ellipsometry.

The porous layer transformation depending on laser energy was observed by means of the scanning force microscopy.

Fax: 7(8432)76-50-75;

E-mail: mansur@ksc.iasnet.ru Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.