WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ловушек на нижнем интерфейсе (рис. 2). Кроме того, [8] L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets, S. Tyaginov, S. Shin, в структурах с подслоем PT наблюдается увеличение J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett. 87, 192 (2005); Л. Делимова, И. Грехов, Д. Машовец, С. Шин, концентрации Pb в пленке PZT. Можно предположить, Ю.-М. Коо, С.-П. Ким, Я. Парк. ФТТ 48, 6, 0000 (2006).

что свинец от нижнего интерфейса диффундирует по [9] В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптемежзеренным границам пленки PZT, что в свою очелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 6, редь может приводить к значительному увеличению 160 (1996).

токов утечки, наблюдавшемуся в слоях с подслоем PT [10] J.-G. Yoon, B.S. Kang, J.D. Kim, T.W. Noh, T.K. Song, (рис. 1). Высказанное предположение хорошо корреY.K. Lee, J.K. Lee. Integrated Ferroelectrics 53, 401 (2003).

лирует с экспериментальными данными по измерению токов утечки в образцах технологически содержащих избыток свинца.

В структурах с подслоем PT уменьшение толщины пленки PZT от 100 до 80 nm приводит только к увеличению емкости, величина которой обратно пропорциональна толщине пленки. Остальные параметры структур (tg, токи утечки, плотность ловушек), как и следовало ожидать, не зависят от толщины, что свидетельствует о хорошей воспроизводимости результатов измерений и расчетов (см. таблицу).

На интерфейсах с иридиевым электродом в процессе старения также образуются оксидные слои, приводящие к уменьшению емкости структур и изменению плотности ловушек. Аналогичные результаты наблюдались в работе [10], где было предложено использовать в качестве электродов оксид иридия, который, по мнению авторов, может обеспечить стабильность характеристик конденсаторных структур. Исследование верхних интерфейсов с платиновыми и иридиевыми электродами показало преимущество использования платины, обеспечивающей стабильность границы раздела (рис. 4). Кроме того, интерфейс Pt/PZT характеризуется минимальной плотность ловушек (см. таблицу и рис. 3).

В заключение отметим, что изменение характеристик конденсаторных структур в процессе старения может быть связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов.

Список литературы [1] J.F. Scott, C.A. Paz de Araujo. Science 246, 1400 (1989).

[2] J.F. Scott. Ferroelectrics Rev. 1, 1, 1 (1998).

[3] J.K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho, Y.K. Lee, S. Shin, Y. Park.

J. Semicond. Technol. Sci. 2, 3, 205 (2002).

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.