WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов © В.И. Туринов Научно-производственное предприятие „Исток“, 141190 Фрязино, Россия (Получена 21 августа 2003 г. Принята к печати 17 октября 2003 г.) На фотодиодах CdxHg1-x Te при исследовании туннельного тока Jt через уровни в запрещенной зоне определены их энергии залегания Et - Ev и концентрация Nt. Практически для всех фотодиодов характерно + наличие мелких акцепторных уровней с Et - Ev = 8-12 мэВ, создаваемых однозарядными вакансиями VHg.

В ряде фотодиодов были отмечены глубокие уровни Et = Ev + 0.26Eg, проявляющие себя как рекомбинационные. Были обнаружены еще и более глубокие уровни Et = Ev + 0.6Eg, которые могут вести себя и как рекомбинационные, и как глубокие ловушки с малым сечением захвата дырок.

В полупроводниковых твердых растворах CdxHg1-x Te трактовались в рамках модели одного туннельного томелкие акцепторные уровни вблизи валентной зоны ка It. В дальнейшем, при более детальном исследова+ Ev создают однозарядные вакансии VHg [1]. В работах нии, было обнаружено, что есть переходный диапазон смещений U, в котором вольт-амперные характеристики разных исследователей экспериментально определенные (ВАХ) имеют иные, незначительно отличающиеся от значения глубины залегания таких мелких акцепторных + свойственных току It наклоны, где действуют токи Jt.

уровней VHg колеблются от Et - Ev =(12.5 ± 2) мэВ Зависимости Jt(U) для туннельного тока через уровни для состава с x = 0.215 до Et - Ev = 9.2-10.8мэВ (в CdxHg1-x Te это, как правило, уровни собственных для x = 0.225 [2]. Есть также сообщения об уровточечных дефектов) можно использовать для опреденях с Et - Ev = 15 мэВ [1] и 5 мэВ [3]. Уровни с ления глубины залегания таких уровней, что и было такой энергией могут создавать и примесные атопредпринято в данной работе. Исследования были вымы [4]. Более интересными с точки зрения влияния полнены на фотодиодах, изготовленных на основе образположения уровней на электрофизические параметры цов p-CdxHg1-x Te с параметрами, которые для T = 78 K фотодиодов представляются глубокие уровни, действуприведены в таблице. Базовую n+-область создавали ющие в основном как рекомбинационные. Считаетлегированием ионами Zn++ с энергией E = 120 кэВ ся, что уровни с Et - Ev 60 мэВ (ширина запрещени дозой 1 · 1015 см-2. По оценкам глубина залегания ной зоны Eg 100 мэВ, температура T = 78 K) со++ n+-p-переходов составляла 0.5-0.8 мкм. В качестве здают двухзарядные вакансии ртути VHg [1]. В рамаскиидля защитыn+-p-переходов использовали пленботе [5] были систематизированы результаты исслеку ZnS. Омический контакт к n+-области создавали дования образцов Cdx Hg1-xTe методом DLTS (deep напылением индия, а к p-области — электрическим level transient spectroscopy) и получены зависимости осаждением золота. Образцы Cdx Hg1-xTe с одинаковой Et - Ev от состава (x) нелегированного CdxHg1-x Te в концентрацией дырок p (например, A1 и A2 в таблице) виде Et = Ev + 0.4Eg и Et = Ev + 0.75Eg. Центрами с были получены из одного и того же исходного образца Et = Ev + 0.4Eg и Ev + 0.75Eg, по предлагаемой моде(A) n-типа проводимости при разделении его на образцы ли [6], могут быть межузельные атомы Hg, Si, C, а меньших размеров и последующего инвертирующего также Cl в узлах Hg или антиструктурный дефект — проводимость в p-тип отжига этих образцов в одном и Te в подрешетке металла. По данным, полученным том же температурном режиме, как изложено в нашей методом DLTS, работы [7] и других сообщений этих же работе [13]. В технологическом процессе изготовления авторов в образцах CdxHg1-x Te с Eg = 96 мэВ донорный n+-p-переходов не имелось возможности проследить, из уровень имеет энергию ионизации Et - Ev = 43 мэВ, какого конкретно образца (например, A1 или A2) были акцепторный уровень — 35 мэВ [7–11], в CdxHg1-x Te изготовлены фотодиоды (2, 4, 5 и 7), поэтому в таблице с x = 0.219 есть уровни с Et - Ev = 46 и 52 мэВ [8].

они объединены в одну группу.

В фотодиодах на узкозонном CdxHg1-x Te уже при Выражение для туннельного тока через примесные относительно небольших обратных смещениях наблюуровни имеет следующий вид [10]:

дается туннельный ток зона–зона It [9], туннельный 2 4(2m)1/ n ток через „примесные“ уровни Jt [10] и туннельный Jt = qNt 3 mWt2 exp - (Eg - Et)3/n 3 qEm ток по поверхности [11]. Последний обычно стимулируют под специальным металлическим электродом, нанесенным на диэлектрический слой над областью E 1 - exp - dE, (1) пространственного заряда (ОПЗ) перехода, выходящей t на поверхность. В нашей статье [12] были представлены результаты предварительных исследований дифференци- где E — энергия туннелирующего электрона, измеренального сопротивления Rd на ряде фотодиодов, которые ная от края валентной зоны Ev на n+-стороне перехода;

1130 В.И. Туринов Параметры фотодиодов на CdxHg1-x Te Образец Номер pp, C, пФ Et - Ev, Nt, CdxHg1-x Te co, мкм Rd max, кОм/ - U, мВ Ubi, мВ фотодиода 1016 см-3 (U = 0) мэВ 1015 см-(p при 78 K) A1 2 10.0 5.6 / 405 1.3 171.6 47.3 38 0. A2 4 9.9 37 / 300 0.8 120.5 42.5 32 0.(1.1 · 1015 см-3) 5 9.8 55 / 135 0.6 132.9 35.6 8 0. 7 - 18.4 / 50 0.25 91.7 27.8 12 0. B3 9 - 35 / 135 0.3 73.5 43.2 40 0. B4 11 9.8 23 / 150 0.22 - 25.9 72 (1.5 · 1016 см-3) 12 10.1 1200 / 160 1.2 118.2 60.2 36 0. 14 9.9 32 / 126 0.11 63.7 29.4 76 9. C1 3 10.1 3.6 / 130 0.4 151.9 24.8 8/ 32 0.036 / 0.(1 · 1016 см-3) 18 10.8 8.7 / 90 1.5 217.3 32.6 36 0. 21 9.94 16.2 / 68 3.5 237 42.9 38 5. D1 10 11.6 12 / 65 1.0 - - 8 0. D2 13 11.48 23.5 / 48 - - - 36 0.(1.8 · 1016 см-3) 15 11.29 17.6 / 49 - - - 8 0. 16 11.28 27 / 69 - - - 36 0. 17 - 16.2 / 50 - - - 28 0.G1 8 - 15 / 47 1.1 235 26.3 22 0.(2.8 · 1016 см-3) 19 11.48 20.6 / 50 1.0 212.3 27.1 8/ 58 0.2 / 0.20 11.8 15 / 47 0.37 147.9 24.1 8/ 42 0.35 / 0.Примечание. Диаметр n+-p-переходов по фотошаблону 300 мкм.

q — заряд электрона; — приведенная постоянная В соотношении (2) неизвестными являются два паПланка; m — эффективная масса электрона в зоне раметра, Nt и Et - Ev, значения которых можно найти n проводимости; матричный элемент перехода из валент- путем их варьирования и достижения согласия теореной зоны Ev на примесный уровень Et - Ev составляет тической (2) с экспериментальной ВАХ фотодиодов в Wt2 = 1.2 · 10-23 эВ2 · см3 [14]; Em = qNaW /0s —мак- диапазоне смещений U, где действует туннельный ток симальное значение электрического поля резкого пере- через „примесные“ уровни. Значения Na = pp и Ubi были определены из вольт-фарадных (C-U) характеристик хода, в данном случае n+-p-перехода, зависит только от параметров Na (концентрация акцепторов в слабо леги- n+-p-переходов. Значения Eg при 78 K получены по рованной p-области) и W (ширина ОПЗ); 0 и s —ди- спектральным характеристикам фоточувствительности как Eg [эВ] =1.24/co [мкм], где co — граничная длиэлектрические проницаемости вакуума и полупроводнина волны спектральной характеристики фотодиода по ка соответственно; Eg — ширина запрещенной зоны поуровню 0.5 от максимума фоточувствительности (см.

лупроводника; = p + n - qU - Et - Eg, где p и n — таблицу).

уровни Ферми в p- и n+-области соответственно, U — На обратных ветвях экспериментальных ВАХ I(U), напряжение смещения, прикладываемое к переходу;

построенных в двойном логарифмическом масштабе, Nt = Nt/{1 +(1/2) exp[(-Eg + Et - p)/k0T ]} — эффексложно разделить токи It и Jt, так как они иметивная плотность занятых электронами уровней, а Nt — ют незначительно отличающиеся наклоны. Поэтому на концентрация уровней; t = Ft/{[2m(Eg - Et)]1/2}, n рис. 1-5 обратные ВАХ построены в полулогарифмичеFt = qE — сила электрического поля E, действующая на ском масштабе для дипапзонов U, в которых доминируэлектрон, находящийся на уровне Et - Ev в запрещенной ют туннельные токи Jt. При Et - Ev = 0 зависимости от зоне в ОПЗ перехода. Интеграл в соотношении (1) напряжения Jt совпадают с таковыми для It. В таблице порядка единицы, и его можно не рассчитывать.

приведены значения Et - Ev и Nt, определенные по Подставляя в (1) m/m0 = 0.075Eg[эВ] [15] и n этим ВАХ. Соответствующие значения Et - Ev и Nt Em =(2qNaUt/0s )1/2, Ut = Ubi + U, где Ubi — контактдля случаев, когда были зарегистрированы два уровня, ный потенциал, получим приведены в виде дроби.

3/В твердых растворах CdxHg1-x Te, согласно рабоJt = 8.9 · 10-25Nt Eg /(Eg - Et)3/те [16], валентные зоны Evi образованы из p-уровней 1/2 1/атомов Te, а зона проводимости Ec из s-уровней атомов exp -4.3 · 10-10Eg (Eg - Et)3/2/Na Ut1/2 (2) металла, Hg и Cd. В зонной модели Кейна [17], хоро(величина Jt измеряется в A / см2). шо описывающей такие узкозонные полупроводниковые Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов функции Ec обладают только симметрией s-функций, т. е.

вблизи k = 0 зона Ec состоит только из s-уровней Hg и Cd. Волновые функции зон Evi при k = 0 обладают только симметрией p-функций, а зона Ev1 (зона тяжелых дырок, определяющая в основном все электрофизические свойства материала p-типа проводимости) имеет симметрию p-функций и при k = 0, т. е. состоит в чистом виде из p-уровней атомов Te. При образовании электрически активных собственных точечных дефектов, например VHg или VCd, атомы Hg и Cd, покидая свои места в решетке, „уносят“ с собой s-электроны, и нескомпенсированные соседние атомы Te захватывают электроны для восстановления электрической нейтральности (от Рис. 1. Вольт-амперные характеристики фотодиодов на зон Evi отщепляются p-уровни атомов Te, а захваченный CdxHg1-x Te с x = 0.222: туннельные составляющие Jt. Образэлектрон как бы размазан по соседним атомам Te).

цы A1 и A2. 2, 4, 5, 7 — номера фотодиодов.

Иначе говоря, вакансии VHg и VCd проявляют себя как акцепторы. Соответствующие им уровни, отщепляясь от „своих“ зон, связаны с ними, и энергетический зазор E относительно „своей“ зоны изменяется при изменении, например, температуры или состава (x). По зависимости Рис. 2. Вольт-амперные характеристики фотодиодов на CdxHg1-x Te с x = 0.217: туннельные составляющие Jt. Образцы B3 и B4. 9, 11, 12, 14 — номера фотодиодов.

Рис. 4. Вольт-амперные характеристики фотодиодов на CdxHg1-x Te с x = 0.219: туннельные составляющие Jt. Образец G1. 8, 19, 19, 20, 20 — номера фотодиодов.

Рис. 3. Вольт-амперные характеристики фотодиодов на CdxHg1-x Te с x = 0.215: туннельные составляющие Jt. Образец C1. 3, 3, 18, 21 — номера фотодиодов.

материалы, как InSb и CdxHg1-x Te, основанной на (kp)-приближении теории возмущений, волновые функции валентных зон Evi и зоны проводимости Ec образоРис. 5. Вольт-амперные характеристики фотодиодов на ваны из смеси p- и s-функций. При волновом векторе CdxHg1-x Te с x = 0.214: туннельные составляющие Jt. Образэлектрона k = 0 (в центре зоны Бриллюэна) волновые цы D1 и D2. 10, 13, 15, 16, 17 — номера фотодиодов.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1132 В.И. Туринов E(x) можно определить, с какой зоной связан тот или иной уровень. Это можно видеть на энергетической диаграмме (рис. 6). Уровни с Et - Ev = 8мэВ связа+ ны с Ev (p-уровни Te, вакансии VHg). На диаграмме среди уровней с энергией ионизации 36 мэВ просматривается связь некоторых из них с зоной Ec в виде зависимости Et Ev + 0.26Eg и есть уровни, для которых Et - Ev на зависит от состава. Таким образом, в этой группе есть уровни, не имеющие отношения к центрам, указанным в работах [1,6]. Возможно, это вакансии VTe. Считается, что VTe тоже являются рекомбинационными центрами [18,19]. Наконец, глубокие уровни с Et - Ev = 58, 72 и 76 мэВ связаны с зоной Ec и укладываются на зависимость Et = Ev + 0.6Eg, близкую Рис. 7. Зависимость Rd max фотодиодов на CdxHg1-x Te от к зависимости Et = Ev + 0.75Eg [5]. Следует отметить, глубины залегания рекомбинационных уровней. Данные для что уровни с энергией Et - Ev = 79 мэВ, обнаруженные фотодиодов из таблицы.

в работе [20], могут быть связаны, по мнению авторов, и с поверхностными состояниями. В наших исследованиях такое возможно, но только в фотодиоде 11, поскольку в обратной ветви ВАХ этого фотодиода (см. [21], рис. 2) в 3 раза по сравнению с фотодиодом 14 и различию диапазоне средних напряжений, U -(50-200) мВ, до- во столько же раз емкости. Эти данные противоречат минировал поверхностный диффузионный ток в канале предположению, что уровни Et Ev + 0.6Eg связаны Ids [22]. Однако это противоречит данным [21] (рис. 4):

с поверхностными состояниями. Прямые исследования не наблюдалось характерного расплывания перехода по структур ZnS–CdHgTe также не подтвердили наличия поверхности при изменении U (примером служат спек- локальных уровней с такой энергией на границе разтральные характеристики и зависимости сигнала от ко- дела [23]. Следовательно, эти уровни расположены в ординаты чувствительной площадки фотодиода 18 [21]).

объеме самого материала CdHgTe и связаны либо с Вид спектральной характеристики фотодиода 19 в ко- примесью, либо с собственными точечными дефектами.

ротковолновой области (см. [21], рис. 5), небольшое Для установления их природы необходимы дальнейшие расплывание перехода при обратном смещении (см. [21], исследования с помощью, например, методов ядерного рис. 4) и ВАХ (см. [21], рис. 3) указывают, что роль магнитного резонанса или рентгеноструктурных метоповерхности в этом фотодиоде не выше, чем в других.

дов. На диаграмме рис. 6 показаны также уровни, опреБольшая емкость C(U = 0) фотодиода 19 по сравнению, деленные из температурных зависимостей удельного например, с фотодиодом 14, имеющим уровень такой сопротивления 0(T ) образцов до отжига и после отжига же глубины залегания Et Ev + 0.6Eg, обусловлена (табл. 1 в нашей работе [13]).

различием их по co(Eg) и по Na = pp (таблица). Это На рис. 7 показана зависимость Rd max от положения различие в Na при одинаковой концентрации вводимой уровней Et - Ev (Rd max — максимальное дифференцив n+-слой легирующей донорной примеси Nd приводит альное сопротивление в обратной ветви ВАХ фотодипри сравнимых Ubi к меньшей ширине ОПЗ перехо- одов; в таблице указаны напряжения, при которых Rd да W =(2s 0Ubi/qNa)1/2 в фотодиоде 19 примерно в достигает максимальной величины). Пик Rd max образуется на „изломе“ двух сменяющих друг друга доминирующих токов, Ids или Is (поверхностный генерационнорекомбинационный ток в коротком поверхностном канале [24]) и тока Jt (см. [21], рис. 1–3). Ток Jt непосредственно „течет“ через уровни Et - Ev (2). Ток Ids также зависит от энергии рекомбинационного уровня Et - Ev, но косвенно, через время жизни электронов n в приповерхностном слое порядка диффузионной длины электронов. Зависимость тока Is от энергии Et - Ev также косвенная, через скорость поверхностной рекомбинации S, поскольку эффективная длина диффузионного смещения носителей Leff в приповерхностном слое зависит как от S, так и от n в объеме полупроводника:

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.