WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками ¶ © Н.В. Крыжановская, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, + + М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt, D-10623 Berlin, Germany (Получена 29 декабря 2005 г. Принята к печати 16 января 2006 г.) Исследованы температурные зависимости лазерных характеристик GaAs/(AlGa)xOy-микродиска диаметром 6 мкм, изготовленного при помощи оптической литографии, сухого травления пучком ионов Ar+ и селективного окисления Al0.97Ga0.03As-слоя, формирующего основание микродиска. В качестве активной области микродиска использовались InAs/InGaAs-квантовые точки. Продемонстрирована лазерная генерация в области 1.3 мкм при комнатной температуре с пороговой мощностью оптической накачки 180 мкВт.

Добротность мод микродиска составляет около 104.

PACS: 42.55.Sa, 73.63.Kv, 78.67.Hc 1. Введение обеспечивает высокую механическую стабильность и теплопроводность [6].

Интерес к исследованию оптических микродисковых Нами исследованы температурные зависимости лазеррезонаторов обусловлен возможностью создания на их ных характеристик микродисков, в которых в качестве основе маломощных и высокоскоростных оптоэлектрон- активной области использовались InAs/InGaAs-квантоных устройств. В микродисковых резонаторах благода- вые точки. Микродиски были получены с помощью меря эффекту полного внутреннего отражения возникают тода оптической литографии, сухого травления пучком моды „шепчущей галереи“, распространяющиеся вдоль ионов Ar+ и селективного окисления. Показано, что периферии диска [1]. Высокая добротность и малый качество микродисков, полученных при помощи данной эффективный объем мод шепчущей галереи позволяют технологии, позволяет получить лазерную генерацию в получить малые пороговые токи лазерной генерации, а области 1.3 мкм при комнатной температуре от одиночтакже увеличение скорости излучательной рекомбина- ного микродиска.

ции на резонансных частотах (эффект Пурселя) [2,3].

С точки зрения приборных приложений микродиски с 2. Эксперимент активной областью на основе квантовых точек открывают возможности для создания источников одиночных Структуры были выращены методом молекулярнофотонов и других устройств, основанных на принципах пучковой эпитаксии в установке Riber 32 с тверквантовой электродинамики.

дотельным источником As на полуизолирующих подТрадиционные микродисковые лазеры представляют ложках GaAs (100). После осаждения буферного слоя собой диск диаметром 2-7 мкм, расположенный на GaAs выращивался слой Al0.97Ga0.03As толщиной 500 нм пьедестале, диаметр которого существенно меньше, для формирования основания микродиска. Активчем диаметр микродиска. Для их изготовления исная область помещалась в волновод GaAs толщипользуется электронно-лучевая литография и двухстуной 190 нм и представляла собой массив самооргапенчатое селективное травление. Микродиски такой низующихся InAs/In0.15Ga0.85As-квантовых точек, излуконструкции продемонстрировали высокую добротность чающих при комнатной температуре на длине волмод Q 17 000 [4] и рекордное 12-кратное увеличение ны 1.3 мкм [7]. Для предотвращения утечки неравноскорости излучательной рекомбинации [5]. В то же весных носителей волновод ограничивался с обеих стовремя такие приборы обладают существенными недорон барьерами Al0.3Ga0.7As, толщины которых составистатками: низкой механической стабильностью и малой ли 20 нм.

эффективностью отвода тепла от активной области.

Для обеспечения вертикального ограничения оптиБолее перспективной представляется конструкция, в которой микродиск расположен на широком (AlGa)x Oy ческого поля в микродисках проводилось латеральное селективное оксидирование слоя Al0.97Ga0.03As. Так пьедестале, полученном методом селективного окислекак показатель преломления получающегося оксидного ния AlGaAs-слоя высокого состава по алюминию, что слоя (AlGa)xOy существенно меньше ( 1.55), чем ¶ E-mail: kryj@mail.ioffe.ru показатель преломления GaAs ( 3.5), в направлении Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске... роста структуры формировался эффективный волновод воздух/GaAs/(AlGa)xOy. Оптическое ограничение с остальных сторон диска обеспечивалось за счет скачка показателя преломления на границе полупроводник GaAs/воздух.

Применявшаяся методика изготовления микродисков с помощью оптической литографии, сухого травления в пучке ионов Ar+ и селективного окисления детально описана в работе [8]. В данной работе исследовались микродиски диаметром 6 мкм с глубиной травления порядка 0.7 мкм. Оптическая накачка микродисков осуществлялась с помощью YAG : Nd-лазера, работающего на второй гармонике в непрерывном режиме ( = 532 нм, P = 3.3-470 мкВт). Лазерный луч фокусировался на одиночный микродиск с помощью объектива Olympus Plan View IR 100 с численной апертурой 0.85. Этот же объектив использовался и для сбора излучения от микродиска. С учетом того, что часть лазерного излучения отражается на верхнем (воздух–полупроводник) и нижнем (полупроводник–оксид) интерфейсах микродиска, мощность, поглощенная в микродиске (Peff), составляет около 65% от полной мощности лазерного луча [8]. Для исследований в температурном диапаРис. 1. Спектры излучения микродиска диаметром 6 мкм и зоне 5-300 K образцы помещались в гелиевый криоисходной структуры с квантовыми точками, полученные при стат проточного типа Oxford Microstat. Детектироватемпературе измерения 5 K. На вставке приведено изображение сигнала производилось с помощью охлаждаемой ние данного микродиска, полученное с помощью растровой Si-CCD камеры (100 1340 пикселей) со спектральэлектронной микроскопии.

ным разрешением 1 и охлаждаемого InGaAs-детектора Roper Scientific (1024 пикселей), спектральное разрешение 0.3.

чае является рассеяние на шероховатостях поверхности микродиска.

3. Результаты и обсуждение На рис. 3 представлены спектры микродиска и исходной эпитаксиальной структуры с квантовыми точками, На рис. 1 представлены спектры фотолюминесценполученные при температурах 5, 100, 200 и 300 K.

ции (ФЛ) микродиска диаметром 6 мкм, а также исТемпературный сдвиг спектрального положения резоходной структуры с InAs/InGaAs-квантовыми точками нансной линии микродиска обусловлен температурным при температуре 5 K. На вставке к рис. 1 приведеизменением его эффективного показателя преломления но изображение одиночного микродиска, полученное с и для линии A составляет 0.05 нм/K. В то же врепомощью растровой электронной микроскопии. Спектр мя температурный сдвиг положения линии излучения ФЛ InAs/InGaAs-квантовых точек неоднородно уширен основного состояния квантовых точек обусловлен измевследствие разброса квантовых точек по размеру, его нением ширины запрещенной зоны InAs и составляет полуширина составляет 30 мэВ. На спектре ФЛ, по 0.3 нм/K. Таким образом, с увеличением температулученном от микродиска, наблюдаются узкие линии, ры происходит рассогласование положения максимума соответствующие модам резонатора (моды „шепчущей спектра усиления основного состояния квантовых точек галереи“).

и положения линии A.

На рис. 2, a представлены спектры, полученные при Лазерная генерация на резонансной линии A сохраразличных плотностях накачки и температуре 5 K от одиночного микродиска диаметром 6 мкм. С увеличени- няется вплоть до 280 K (рис. 4), причем при температурах выше 180-200 K генерация осуществляется чеем плотности накачки происходит уменьшение ширины линии и переход к сверхлинейному росту интенсив- рез возбужденное состояние квантовых точек. Значение пороговой мощности слабо изменяется с увеличением ности, что соответствует режиму лазерной генерации (рис. 2, b). Величина пороговой мощности накачки Peff температуры до 180 K, а затем увеличивается с надля резонансной моды A составляет около 40 мкВт. клоном, описываемым характеристической температуДобротность этой резонансной моды, определенная как рой T0 = 65 K (Pth exp(T /T0)). Увеличение пороговой Q = /, равна 9900. Мы полагаем, что основным мощности с ростом температуры объясняется двумя фактором, ограничивающим добротность, в данном слу- причинами. Первой причиной является температурный Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1130 Н.В. Крыжановская, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева...

пороговое значение. Так как положение резонансной линии B близко к максимуму спектра фотолюминесценции квантовых точек при комнатной температуре, полученное значение пороговой мощности накачки ( 180 мкВт) Рис. 3. Спектры излучения микродиска диаметром 6 мкм Рис. 2. a — спектры излучения, полученные от микродиска (сплошные линии) и исходной эпитаксиальной структуры диаметром 6 мкм при различных уровнях накачки и темперас квантовыми точками (пунктир), полученные в широком туре 5 K. b — зависимость интенсивности и ширины линии A спектральном диапазоне при различных температурах при от мощности накачки.

мощности накачки P = 470 мкВт.

выброс носителей из квантовых точек и последующая излучательная или безызлучательная рекомбинация в матрице GaAs, а также на границах микродиска. Второй причиной увеличения пороговой мощности с ростом температуры является большое различие температурных сдвигов спектрального положения резонансной линии микродиска и положения линии излучения основного состояния квантовых точек. При низких температурах (T < 160 K) линия A находится в пределах спектра усиления основного состояния квантовых точек и температурный выброс носителей из точек мал, что обусловливает высокое значение характеристической температуры пороговой мощности накачки T0 = 400 K.

При комнатной температуре лазерная генерация наблюдается на резонансной линии B с длиной волны 1293 нм (рис. 5, a). На рис. 5, b приведены зависимости Рис. 4. Зависимости пороговой мощности генерации от теминтенсивности и ширины резонансной линии B от мощпературы для резонансной моды микродиска диаметром 6 мкм ности оптической накачки, из которых можно оценить ее с InAs/InGaAs-квантовыми точками.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске... микродисков, полученных при помощи оптической литографии, в будущем поколении нанофотонных приборов.

Работа выполнена при поддержке проекта SANDiE NMP4-CT-2004-500101, CRDF, SFB 296, программы Отделения физических наук РАН „Новые материалы и структуры“, программы фундаментальных исследований президиума РАН „Квантовые наноструктуры“, РФФИ № 05-02-19967.

Авторы благодарны В.М. Бусову и С.И. Трошкову за исследования структур методом растровой электронной микроскопии.

Список литературы [1] S.L. McCall, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan.

Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992).

[2] R.E. Slusher, A.F.J. Levi, U. Mohideen, S.L. McCall, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 63, 1310 (1993).

[3] C. Seassal, P. Rojo-Romeo, X. Letartre, P. Viktorovitch, G. Hollinger, E. Jalaguier, S. Pocas, B. Aspar. Electron. Lett., 37, 222 (2001).

[4] P. Micher, A. Kiraz, L. Zhang, C. Becher, E. Hu, A. Imamoglu.

Appl. Phys. Lett., 77, 184 (2000).

[5] B. Gayral, J.-M. Gerard, B. Sermage, A. Lemaitre, C. Duppuis.

Appl. Phys. Lett., 78, 2828 (2001).

[6] S.M.K. Thiyagarajan, D.A. Cohen, A.F.J. Levi, S. Ryu, R. Li, P.D. Dapkus. Electron. Lett., 35, 1252 (1999).

[7] Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов. ФТП, 33, 990 (1999).

Рис. 5. a — спектры излучения микродиска диаметром 6 мкм [8] С.А. Блохин, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Н.А. Мапри комнатной температуре и различных мощностях накачки.

леев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, b — зависимости интенсивности и ширины резонансной лиА.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, нии B от мощности оптической накачки.

Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг. ФТП, 40, 482 (2006).

Редактор Л.В. Беляков меньше значения, которое можно получить с помощью экстраполяции до 300 K зависимости, приведенной на рис. 4 для моды A ( 230 мкВт).

4. Заключение В диапазоне температур 5-300 K исследованы лазерные характеристики GaAs/(AlGa)xOy-микродиска с InAs/InGaAs-квантовыми точками. Получена лазерная генерация при комнатной температуре в области 1.3 мкм. Увеличение пороговой мощности с ростом температуры объясняется температурным выбросом носителей из квантовых точек, а также различием в температурных сдвигах максимума их плотности состояний и спектрального положения моды резонатора. Продемонстрирована высокая добротность мод микродиска (9900) и низкая пороговая плотность оптической накачки при комнатной температуре (180 мкВт), что открывает возможности использования Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1132 Н.В. Крыжановская, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева...

Room temperature lasing at 1.3 µm in microdisk with quantum dots N.V. Kryzhanovskaya, S.A. Blokhin, A.G. Gladyshev, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, E.M. Arakcheeva, E.M. Tanklevskaya, A.E. Zhukov, A.P. Vasil’ev, + E.S. Semenova, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, + V.M. Ustinov, E. Stock, D. Bimberg+ Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg, Russia NL Nanosemiconductor GmbH, 44263 Dortmund, Germany + Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt, D-10623 Berlin, Germany

Abstract

We study temperature dependencies of lasing parameters of 6 µmdiameter GaAs/(AlGa)xOy microdisc fabricated by using optical lithography, dry etching in Ar+ beam and selective oxidation of AlGaAs layer on top which the microdisc is situated.

Self-organised InAs/InGaAs are used as microdisc active area.

Room temperature lasing is demonstrated at 1.3 µmwith effective threshold excitation power of 160 µW. Microdisc quality factor is about 10 000.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.