WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

поверхности подложки плоскостями (111) в процессе силицидообразования. На фасетках (111) растут эпитаксиально слои CoSi2(111) с B-ориентацией, что и привои наблюдается на опыте. Таким образом, обнаружендит к тому, что параллельными поверхности подложки ный рост зерен CoSi2 (221) обусловлен фасетированием оказываются плоскости (221) дисилицида кобальта. На поверхности исходного кристалла кремния плоскостяначальной стадии процесса формируемая пленка не ми (111) в процессе силицидообразования. Отметим, что является сплошной, и около 10% площади поверхности возникающая в таких условиях граница раздела CoSi2– Si подложки остается оголенной. Получение сплошных не является плоской, и ее шероховатость в значительной пленок CoSi2 с более совершенной структурой требустепени определяет рельеф растущей пленки.

ет после напыления кобальта дополнительного отжига Большое значение для практических приложений образца до более высоких температур.

тонких силицидных пленок имеет выявление области их термической стабильности. Известно, что высокотемпературный отжиг пленок дисилицида кобальта Список литературы приводит сначала к появлению оголенных участков подложки (pinholes), а затем к образованию островков [1] I. Goldfarb, G.A.D. Briggs. Phys. Rev. B60, 7, 4800 (1999).

CoSi2 [14,29]. Процесс термического разрушения [2] H.L. Meyerheim, U. Dobler, A. Puschmann. Phys. Rev. B44, 11, 5738 (1991).

слоя CoSi2 на кремнии мы исследовали на примере [3] D.D. Chambliss, T.N. Phodin, J.E. Rowe. Phys. Rev. B45, 3, пленки, полученной нанесением на кристалл 40 ML ко1193 (1992).

бальта. С этой целью образец подвергался ступенчатым [4] P.A. Bennett, S.A. Parikh, D.G. Cahill. J. Vac. Sci. Technol.

отжигам при возрастающих температурах (вплоть A11, 1680 (1993).

до T = 1200C), а в промежутках между циклами нагре[5] M. Sosnowski, S. Ramae, W.L. Broun, Y.O. Kim. Appl. Phys.

ва снимались дифракционные картины. При этом в них Lett. 65, 2943 (1994).

прослеживались заметные изменения. Примеры картин, [6] G. Rangelov, P. Augustin, J. Stober, Th. Fauster. Phys. Rev.

наблюдавшихся после двух из таких отжигов, показаны B49, 11, 7535 (1994).

на рис. 3, a и b. Интерпретация экспериментальных [7] O.P. Karpenko, S.M. Yalisove. J. Appl. Phys. 80, 11, данных проводилась с помощью компьютерного моде(1996).

лирования. Измеренные картины сравнивались с рас[8] H. Ikegami, H. Ikeda, S. Zaima, Y. Yasuda. Appl. Surf. Sci.

четными, полученными путем суммирования картин от 117/118, 275 (1997).

островков CoSi2 (221) и от оголенной подложки Si (100), [9] S.M. Yalisove, R.T. Tung, D. Lorentto. J. Vac. Sci. Technol. A7, которое проводилось с варьированием статистических 3, pt 1, 1472 (1989).

[10] J.R. Jimenez, L.J. Schowalter, L.M. Hsiung, K. Rajan, весов слагаемых. В качестве реперных картин от S. Hashimoto, R.D. Thompson, S.S. Iyer. J. Vac. Technol. A8, суммируемых фаз использовались экспериментальные 3, pt 2, 3014 (1990).

данные, представленные соответственно на рис. 1, a и c.

[11] L.J. Schowalter, J.R. Jimenez, L.M. Hsiung, K. Rajan, Сопоставление результатов расчетов с экспериментом S. Hashimoto, R.D. Thompson, S.S. Iyer. J. Crystal Growth проводилось с помощью факторов надежности подобно 111, 948 (1991).

тому, как это делалось ранее при исследовании процесса [12] C.W.T. Bulle-Lieuwma, A.H. van Ommen, J. Hornstra, силицидообразования на грани Si (111) [22].

C.N.A.M. Aussems. J. Appl. Phys. 71, 5, 2211 (1992).

Результаты проведенного анализа показали, что с [13] V. Scheuch, B. Voigtlander, H.P. Bonzel. Surf. Sci. 372, ростом температуры отжига действительно происходит (1997).

изменение морфологии пленки и постепенно оголяется [14] J.M. Gallego, R. Miranda, S. Molodsov, C. Laubschat, подложка. В частности, после отжига образца до темпеG. Kaindl. Surf. Sci. 239, 3, 203 (1990).

ратур 1000, 1120 и 1200C незанятые силицидом участ- [15] V. Buschmann, M. Rodewald, H. Fuess, G. van Tendeloo. J.

ки поверхности подложки занимают соответственно 8, Crystal Growth 191, 430 (1998).

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1130 М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, Н.С. Фараджев [16] R. Tung, F. Schrey, S.M. Yalisove. Appl. Phys. Lett. 55, 1, 2005 (1989).

[17] R. Stadler, C. Schwarz, H. Sirringhaus, H. von Kanel. Surf. Sci.

271, 355 (1992).

[18] B. Ilge, G. Palasantzas, J. de Nijis, L.J. Geerlings. Surf. Sci.

414, 279 (1998).

[19] N.S. Faradzhev, M.V. Gomoyunova, I.I. Pronin. Phys. LowDim. Struct. 3/4, 93 (1997).

[20] I.I. Pronin, M.V. Gomoyunova. Prog. Surf. Sci. 59, 1–4, (1998).

[21] М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. Завод. лаб. 67, 4, 24 (2001).

[22] М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, Н.С. Фараджев. ФТТ 43, 3, 549 (2001).

[23] I.I. Pronin, D.A. Valdaitsev, N.S. Faradzhev, M.V. Gomoyunova, P. Luches, S. Valeri. Appl. Surf. Sci. 175/176, 83 (2001).

[24] И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, М.В. Гомоюнова, Н.С. Фараджев, А.Г. Банщиков. ЖТФ 68, 12, 80 (1998).

[25] A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochim. Soc. 133, 666 (1986).

[26] U. Starke, W. Weiss, K. Heinz, G. Rangelov, Th. Fauster, G.R. Casto. Surf. Sci. 352–354, 89 (1996).

[27] И.И. Пронин, Н.С. Фараджев, М.В. Гомоюнова. ФТТ 40, 7, 1364 (1998).

[28] K. Rajan, L.M. Hsiung, J.R. Jimenez, L.J. Schowalter, K.V. Ramanathan, R.D. Thompson, S.S. Iyer. J. Appl. Phys.

70, 9, 4853 (1991).

[29] W. Weiss, U. Starke, K. Heinz, G. Rangelov, Th. Fauster, G.R. Casto. Surf. Sci. 347, 117 (1996).

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.