WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

го, наложение продольного магнитного поля изменяет Асимметрия поведения пиков на рис. 4, b объясняется наличием в квадратичной по магнитному полю добав- правила отбора при межподзонных переходах, приводя к слабому поглощению поляризованной вдоль 2D слоя ки H, за счет которой уровни могут расходиться на несколько мэВ. компоненты поля. Также следует отметить высокую чув5. Таким образом, в продольном магнитном поле ре- ствительность спектра поглощения двойных квантовых ализуется новый механизм уширения линий поглоще- ям со слабой туннельной связью, имеющую место при ния, который сильно зависит как от величины этого достаточно слабых электрических и магнитных полях.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Влияние продольного магнитного поля на межподзонные переходы электронов... Поэтому использование ИК спектроскопии в продольных магнитных полях представляет интерес для определения параметров энергетического спектра и характера релаксации электронов в асимметричных гетероструктурах.

Список литературы [1] Intersubband Transitions in Quantum Wells, ed. by E. Rosencher, B. Vinter, B. Levine (N.Y., Plenum Press, 1992).

[2] Quantum Well Intersubband Transition: Physics and Devices, ed. by H.C. Liu, B.F. Levine, J.Y. Anderson (Kluwer Academic, Dordrecht. 1994).

[3] C. Sitori, F. Capasso, J. Faist, S. Scandolo. Phys. Rev. B, 50, 8663 (1994).

[4] А.Г. Петров, А.Я. Шик. ФТП, 27, 1047 (1993).

[5] А.И. Луканин, З.И. Урицкий. ФТП, 13, 2286 (1979).

[6] Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985).

[7] T. Jungwirth, L. Smrka. J. Phys. C, 5, L217 (1993); W. Xu.

Phys. Rev. B, 51, 9770 (1995).

[8] R.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 66, 959 (1995).

[9] J. Dempsey, B.I. Halperin. Phys. Rev. B, 47, 4674 (1993).

[10] P. Boucaud, F.H. Julien, D.D. Yang, J.-M. Lourtioz, E. Rosencher, P. Bois, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 57, (1990).

[11] G.S. Boebinger, A. Passener, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys.

Rev. B, 43, 673 (1991).

[12] S.K. Lyo. Phys. Rev. B, 50, 4965 (1994).

[13] O.E. Raichev, F.T. Vasko. Phys. Rev. B, 53, 1522 (1996).

[14] E. Dupont, D. Delacourt, M. Papuchon. Appl. Phys. Lett., 63, 2514 (1993).

Редактор В.В. Чалдышев Effect of in-plane magnetic field on intersubband transitions of electrons in asymmetric heterostructures F.T. Vasko, G.Ya. Kis Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences, 252650 Kiev, the Ukraine

Abstract

IR-absorption spectrum due to intersubband transitions of the electrons in asymmetric heterostructures under inplane magnetic field are calculated. The single quantum well under transverse electric field, the stepped quantum well and the double quantum well with the tunnel–coupled excited levels are considered. Calculations show that the in-plane magnetic field presence results in both the nondissipative broadening of absorption peaks (due to different modifications of the dispersion equation for electrons on different levels) and the absorption of the normal incident IR-radiation (due to changes in the selection rules).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.