WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[5] V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, и становится значительно выше, чем для LAS2. Это M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul’nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitобусловлено возрастанием максимального усиления, доsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, стижимого на КТ, пропорционально плотности массиN.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, ва точек. Таким образом, в области малых усилений P. Werner, U. Gosele. J. Cryst. Growth, 175/176, 689 (1997).

наиболее важным является эффект тока прозрачности, [6] V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, и увеличение NQD приводит к возрастанию пороговой S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, N.N. Ledentsov, плотности тока. В области больших усилений более A.F. Tsatsul’nikov,.V. Volovik, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, важным оказывается насыщение усиления, и пороговая S.S. Ruvimov, Z. L.iliental-Weber, D. Bimberg. Electron. Lett.

плотность тока падает с увеличением NQD. Следует (1998) (в печати).

отметить, что аналогичное поведение наблюдается и для [7] S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, V.M. Ustinov, теоретически рассчитанных зависимостей усиления от A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, D. Bimberg.

плотности тока накачки для массива КТ с различной Superlatt. Mictostruct., 21, 559 (1997).

поверхностной плотностью [18].

[8] O.G. Schmidt, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M.H. Mao, Увеличение максимального усиления позволило также D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, увеличить максимальную мощность лазерного излучеM.V. Maximov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 32, ния. На рис. 6 приведены зависимости выходной мощN 14, 1302 (1996).

ности (P) на оба зеркала от тока накачки (I) для рассма[9] V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, триваемых структур. Для структуры LAS1 максимальная M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul’nikov, N.A. Bert, A.O. Kosogov, мощность составила 0.9 Вт, а для структуры с увеличенP.S. Kop’ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. Mater. Research ной поверхностной плотностью КТ LAS2 достигнутое Society [1995 Fall Meeting] (Boston, 1995) EE 3.6.

значение оказывается в 1.5 раза выше и составляет 1.5 Вт.

[10] Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., Отметим также, что увеличение плотности состояний 75, 2542 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1118 А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов...

[11] А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, вып. 7, 851 (1997).

[12] А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.А. Суворова, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 31, вып. 1, 110 (1997).

[13] S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51, N 20, 14 766 (1995).

[14] А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 30, вып. 9, 1682 (1996).

[15] N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev, S.V. Zaitsev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, вып. 12, 8743 (1996).

[16] А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алфёров, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30, вып. 8, 1345 (1996).

[17] A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.F. Tsatsul’nikov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater., 27, N 3, 106 (1998).

[18] L.V. Asryan, R.A. Suris. Proc. Int. Symp. ”Nanostructures:

Physics and Technology” (St. Petersburg, 1996) p. 354.

Редактор Л.В. Шаронова Effect of areal density of quantum dots in an active region on characteristics of injection lasers A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, B.V. Volovik, A.V. Lunev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.etersburg, Russia Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt Berlin, D-10623 Berlin, Germany

Abstract

We propose a new method to increase the areal density of semiconductor self-organised quantum dots being formed by molecular beam epitaxy. Characteristics of injection lasers based on quantum dot arrays with different areal densities are compared.

The denser array of quantum dots leads to a considerable reduction in the threshold current density at high losses and to the increase in the peak gain and maximum output power.

E-mail: kovsh@beam.ioffe.rssi.ru Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.