WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекционных лазеров © А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, А.В. Лунев, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt Berlin, D-10623 Berlin, Germany (Получена 23 марта 1998 г. Принята к печати 23 марта 1998 г.) Предложен новый метод, позволяющий увеличить поверхностную плотность полупроводниковых квантовых точек, формируемых молекулярно-пучковой эпитаксией на основе эффектов самоорганизации. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров на основе массивов квантовых точек с различной поверхностной плотностью. Показано, что использование более плотного массива квантовых точек позволяет значительно снизить пороговую плотность тока в области больших потерь, увеличить максимальное усиление, а также максимальную мощность выходного излучения.

В последнее время в физике полупроводников суще- не может быть призвольно большим и ограничено пластвует устойчивый интерес к системам с пониженной стической релаксацией напряжения, а также эффектом размерностью — так называемым квантовым проволокам латерального связывания соседних КТ [11]. В настояи квантовым точкам (КТ). Теоретически показано, что щей работе мы сообщаем о новом способе увеличения вследствие трехмерного квантования носителей исполь- плотности массива КТ в плоскости роста. Показано, зование КТ в активной области инжекционного гетерочто использование указанного метода при формировании лазера должно привести к существенному снижению помассива КТ в активной области лазерного диода привороговой плотности тока, уменьшению ее температурной дит к значительному улучшению его характеристик.

чувствительности [1], а также к увеличению удельного При помощи просвечивающей электронной микрои дифференциального усиления [2]. К настоящему врескопии (ПЭМ) было обнаружено, что поверхностная мени достигнут большой прогресс в создании гетеролаплотность КТ (In, Al)As в матрице AlGaAs оказывается зеров на основе КТ, образующихся вследствие влияния равной (1 2) · 1011 см-2 [12], что в два-четыре раза спонтанной трансформации упруго напряженного слоя превосходит значение 5 · 1010 см-2, наблюдаемое для на массив трехмерных островков [3,4]. В частности, КТ (In, Ga)As, сформированных при таких же условиях сообщалось о рекордно низких пороговых плотностях и эффективных толщинах осажденного In-содержащего тока (Jth) 63 и 18 А/см2 при комнатной и криогенной темслоя [13]. Данный эффект может быть объяснен меньпературах соответственно в лазере с активной областью шим темпом миграции адсорбированных атомов Al по на основе КТ (In, Ga)As в матрице (Al, Ga)As [5], а также поверхности растущего кристалла. Однако КТ (In, Al)As 12 А/см2 при 77 K в системе КТ InAs, осажденных в являются слишком широкозонными и их применение матрице InGaAs, решеточно-согласованной с подложкой в качестве области рекомбинации лазера затруднено InP [6]. Однако указанные низкие значения Jth до сильным термическим выбросом носителей из КТ в энернастоящего времени реализовывались лишь в образцах с гетически слабо удаленные состояния матрицы. Было бы четырьмя сколотыми гранями, в образцах с полосковым желательно совместить высокую плотность КТ (In, Al)As резонатором наблюдалось заметное возрастание порогои большую энергию локализации КТ (In, Ga)As в составе вой плотности тока [7].

активной области. Ранее было показано, что при осаждеБыло показано, что в лазерах на КТ наблюдается нии нескольких рядов с КТ, разделенных спейсерными суперлинейный рост Jth при увеличении потерь на вывод слоями толщиной порядка высоты островков, формироизлучения (out), по-видимому, вследствие насыщения вание КТ последующих рядов происходит в точности над усиления, обусловленного конечным числом состояний вершинами островков предыдущего ряда [14]. Подобное в массиве КТ [8]. Следовательно, поверхностная конценвертикальное связывание КТ есть следствие влияния трация КТ (NQD) является одним из ключевых факторов, неоднородного распределения полей напряжений на поопределяющих Jth лазеров на основе КТ. Увеличение верхностный потенциал атомов In и Ga [15]. ЕстественNQD массива КТ, использованного в качестве активной но предположить, что вертикальное связывание будет области, позволило бы ослабить влияние насыщения происходить и в случае, если в качестве первого ряда усиления за счет повышения максимально достижимого или нескольких начальных рядов использованы точки значения усиления. Таким образом, это привело бы к (In, Al)As, а затем произведено осаждение нескольких снижению Jth в полосковых лазерах.

слоев КТ (In, Ga)As. В результате массив КТ (In, Ga)As Для увеличения плотности КТ ранее был предложен метод многократного осаждения нескольких рядов то- проявляет повышенную поверхностную плотность NQD, чек [9,10]. Однако число рядов повторных осаждений задаваемую КТ (In, Al)As (рис. 1).

Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики... нии составных ВСКТ (In, Al)As/(In, Ga)As в активную область инжекционного гетеролазера. Таким образом, длина волны генерации будет близка к энергии оптического перехода КТ (In, Ga)As, в то время как поверхностная плотность массива ВСКТ будет задаваться плотностью КТ (In, Al)As.

Лазерная структура (в дальнейшем LAS1) с активной областью на основе описанного выше составного массива ВСКТ (In, Al)As/(In, Ga)As в матрице Al0.15Ga0.85As Рис. 1. Схематическое изображение массивов квантовых точек была выращена в стандартной геометрии двойной гев матрице AlGaAs. a — вертикально связанные квантовые точтероструктуры с раздельным ограничением электронки (In, Ga)As; b — квантовые точки (In, Al)As; c — составные ной и световой волн. Температура подложки при вывертикально связанные квантовые точки (In, Al)As/(In, Ga)As.

ращивании эмиттерных слоев и волноводов AlxGa1-xAs (x = 0.15 0.6) составляла 700C. Лазерные диоды, схематически показанные на рис. 3, были изготовлены как в полосковой контрукции типа ”мелкая меза”, так и Исследуемые структуры были выращены методом в геометрии с четырьмя сколотыми гранями. Контакты молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) в установке Riber 32P с твердотельным источником As4. В сере- к лазерным диодам формировались напылением и вплавлением (при температуре 450C) металлических слоев дине слоя Al0.15Ga0.85As толщиной 200 нм, отделенного от поверхности и подложки короткопериодными сверх- AuTe/Ni/Au и AuZn/Ni/Au к подложке n+-GaAs и контактному слою p+-GaAs соответственно. Меза-структура решетками AlAs/GaAs, размещалась активная область.

Активная область одной из структур представляла со- пассивировалась химически и защищалась слоем Al2Oтолщиной 0.2 мкм методом магнетронного напыления.

бой массив вертикально связанных квантовых точек Исследования электролюминесценции проводились как (ВСКТ) (In, Ga)As, разделенный спейсерами AlGaAs при импульсной (частота 5 кГц, длительность импультолщиной 5 нм. Вторая структура содержала одиночный массив КТ, сформированный осаждением слоя (In, Al)As, сов 200 нс), так и непрерывной накачке. Длина волны и, наконец, активная область последней структуры со- генерации для всех исследуемых лазерных диодов была держала массив КТ, сформированный осаждением слоя близка к 0.85 мкм, что совпадало с максимумом пика (In, Al)As и последующим трехкратным осаждением слоев (In, Ga)As со спейсерами толщиной 5 нм. Переход от послойного к островковому росту наблюдался непосредственно в процессе выращивания по возникновению штриховой картины в дифракции быстрых электронов на отражение. Все три структуры выращивались в стандартном для МПЭ режиме обогащения по элементу V группы. Температура подложки составляла 480C во время осаждения активной области и прикрывающего слоя AlGaAs толщиной 100 нм и 600C для остальной части структуры. Исследования фотолюминесценции проводились при возбуждении Ar+-лазером, плотность мощности накачки составляла 100 Вт/см2.

На рис. 2 представлены спектры фотолюминесценции (ФЛ) описанных выше структур. Из рисунка отчетливо видно, что ”предосаждение” КТ (In, Al)As приводит к коротковолновому сдвигу максимума спектра ФЛ. Ранее было показано, что положение максимума линии ФЛ сильно зависит от размеров островков, который задается эффективной толщиной осажденного (In, Ga)As [16].

Коротковолновый сдвиг максимума ФЛ указывает на уменьшение размеров КТ, что при условии одинаковоРис. 2. Спектры фотолюминесценции (PL) структур, сого количества осажденного материала должно приводержащих квантовые точки в матрице Al0.15Ga0.85As. Плотдить к увеличению поверхностной плотности островков ность мощности накачки 100 Вт/см2. 1 — вертикально свя(In, Ga)As. Из данного рисунка видно, что, как и занные квантовые точки (In, Ga)As, полученные трехкратным отмечалось ранее, сами КТ (In, Al)As обладают более осаждением (In, Ga)As; 2 — вертикально связанные кванвысокой энергией межзонного перехода по сравнению товые точки (In, Al)As/(In, Ga)As, полученные осаждением с КТ (In, Ga)As, следовательно, только последние будут (In, Al)As и последующим трехкратным осаждением (In, Ga)As;

определять энергию оптического перехода при помеще- 3 — квантовые точки (In, Al)As.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1116 А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов...

потерь (in). Для LAS2 данные величины составляют in 60%, in 5см-1, а для LAS1 in 70%, in 2.5см-1.

Искомая зависимость модального усиления КТ от тока накачки, нормированная на число слоев КТ (In, Ga)As, равное 3 или 10 для случаев LAS1 и LAS2 соответственно, приведена на рис. 5. Из данного рисунка видно, что для достижения малых значений усиления в структуре Рис. 3. Схематическое изображение исследуемого лазера на основе массива составных квантовых точек (In, Al)As/(In, Ga)As в матрице AlGaAs.

ФЛ структуры LAS1, регистрируемого после удаления верхнего контактного слоя методом химического травления, свидетельствуя о том, что лазерная генерация Рис. 4. Зависимость пороговой плотности тока (Jth) при происходит через основное состояние КТ.

300 K от обратной длины полоскового резонатора (1/L) для На рис. 4 показана зависимость пороговой плотности структур LAS1 и LAS2, содержащих соответственно массив тока от обратной длины резонатора (1/L) при комнатной составных квантовых точек (In, Al)As/(In, Ga)As (1) и квантотемпературе для данного лазера, а также для сравневых точек InGaAs (2) в матрице Al0.15Ga0.85As. Ширина пония приведена аналогичная зависимость для лазерной лосков 100 мкм. Данные для 1/L = 0 соответствуют образцам структуры, содержащей 10 рядов ВСКТ (In, Ga)As в с четырьмя сколотыми гранями.

матрице AlGaAs, сформированных без предосаждения КТ (In, Al)As (в дальнейшем структура LAS2) [17]. При малых потерях на вывод излучения, что соответствует случаю больших длин резонатора, пороговые плотности тока обеих структур практически одинаковы, а при бесконечной длине резонатора (геометрия с четырьмя сколотыми гранями) пороговая плотность тока структуры LAS2 оказывается меньше. Однако при уменьшении длины резонатора пороговая плотность тока структуры LAS2 растет значительно быстрее, чем в случае структуры LAS1. Чтобы определить причины подобного поведения определим зависимость оптического усиления от тока накачки. Ее можно построить, используя данные рис. 3 и учитывая, что на пороге лазерной генерации модальное усиление (gmod) совпадает с суммарными потерями, 1 gmod = in + out = in + ln, (1) L R а также используя зависимость внешней квантовой эффективности (dif) от длины резонатора. Анализ зави- Рис. 5. Зависимость модального усиления (gmod) от плотности симости 1/dif = f (L) позволяет определить величины тока накачки (J) для структур LAS1 (1) и LAS2 (2), приведенных на один слой квантовых точек.

внутренней квантовой эффективности (in) и внутренних Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики... КТ за счет увеличения NQD приводит к уменьшению заселенности состояний матрицы при одном и том же уровне накачки, что в свою очередь позволяет уменьшить паразитные токи и перегрев структуры, вызванный рекомбинацией через более высоко лежащие состояния, а это является важным моментом для достижения высокой выходной мощности излучения.

Таким образом, в настоящей работе показана возможность увеличения поверхностной концентрации КТ.

Обнаружено, что использование в качестве активной области инжекционного лазера более плотных массивов ВСКТ, сформированных посредством ”предосаждения” КТ (In, Al)As, приводит к увеличению максимального усиления, а также к увеличению максимальной мощности излучения до 1.5 Вт в непрерывном режиме. Дальнейший прогресс в использовании Al-содержащих КТ в качестве центров стимулированного формирования КТ (In, Ga)As мы связываем с определением оптимального числа рядов КТ (In, Al)As, процентного содержания Al Рис. 6. Ватт-амперные характеристики структур LAS1 (1) и толщины спейсерных слоев, а также с оптимизаи LAS2 (2), снятые в непрерывном режиме при температуре цией режимов выращивания массивов составных КТ теплоотвода 15C. Длина полосков 1000 мкм, ширина 100 мкм.

(In, Al)As/(In, Ga)As.

Работа выполнялась при поддержке РФФИ (грант 9602-17824) и проекта INTAS-96-0467.

LAS1 необходима более высокая плотность тока накачки, что обусловлено увеличением тока прозрачности по сравнению со структурой LAS2 вследствие увеличения Список литературы плотности КТ, в которых необходимо создать инверсную заселенность. Токи прозрачности Jtr, соответствующие [1] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982).

нулевому усилению, определены экстраполяцией экспе[2] M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu. J. Quant. Electron., риментальных зависимостей g(J) как равные 45 и 7 А/смQE-22, 1915 (1986).

в структурах LAS1 и LAS2 соответственно.

[3] L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux.

Увеличение тока накачки приводит к быстрому наAppl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985).

сыщению усиления в структуре LAS2, в то время как [4] P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlatt. Mictostruct., 15, N 1, в случае структуры LAS1 усиление продолжает расти 15 (1994).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.