WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

Мы исследовали коэффициент поглощения и веерные Springer Ser. Sol. St. Sci. (Springer Verlag, 1995) v. 110.

диаграммы для квантовых структур (In, Ga)As/GaAs экс- [16] Н.Д. Ильинская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян. ФТП, 27, 108 (1993).

периментально и теоретически. Анализ спектра погло[17] С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, щения с разложением на спектральные составляющие, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТП, 25, соответствующие как дискретным состояниям, так и кон(1991).

тинуумам, позволил нам получить удовлетворительное [18] R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesколичественное и качественное согласие при B = 0.

vizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitzin, B.S. Yavich. Semicond.

Используя рассчитанные зависимости энергий связи разSci. Technol., 10, 611 (1995).

личных экситонных состояний от магнитного поля, мы [19] F.S. Zhang, H. Luo, N. Dai, N. Samarth, M. Dobrowolska, восстановили истинную ”динамику” уровней Ландау и J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 47, 3806 (1993).

[20] R.P. Seisyan, M.E. Sasin, S.I. Kokhanovskii, M.R. Vladimirova, нашли эффективные массы носителей в исследуемых A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevskii, V.M. Ustinov. In: Proc. 23-d структурах. Теоретические исследования состояний легInt. Conf. on the Physics of Semiconductors (Berlin, 1996).

кой дырки в квантовых ямах типа II позволили нам [21] A. Ribayrol, D. Coquillat, A.V. Kavokin, J.P. Lascaray, заключить, что наблюдаемый экситон с легкой дыркой H.P. Zhou, C.M. Sottomayor-Torres, B. Lunn, D.E. Ashenford.

является пространственно прямым. Высокое значение Proc. 3-d Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined силы осциллятора экситона LH1E1 и появление дублетSystems (Montpellier, France, 1993).

ной структуры вблизи экситонного резонанса с легкой Редактор Л.В. Шаронова дыркой находятся в хорошем согласии с нашими теоретическими предсказаниями. Из общего рассмотре”Coulomb well” effect in absorption and ния следует также вероятная модель поведения спектра magnetoabsorption spectra of strained при более существенном отклонении гетероструктуры в (In, Ga)As/GaAs heterostructures тип II.

A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, Мы хотим выразить благодарность Е.Л. Ивченко за M.E. Sasin, R.P. Seisyan, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, полезные обсуждения. Исследование, описанное в этой A.E. Zhukov, S.V. Gupalov публикации, стало возможным частично благодаря гранA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, ту № R58300 Международного научного фонда. Эта Russian Academy of Sciences, работа также обеспечивалась Российским фондом фун194021 St. Petersburg, Russia даментальных исследований, проект № 96-02-17935.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.