WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

нии) зависимости длины ННК от их диаметра 2R. (1–3) — данные получены на основе анализа трех РЭМ-изображений ННК GaAs с различных участков поверхности. Сплошная Список литературы кривая — расчет согласно (12) и (16) при s = 25 нм, R = 60 нм, H = 1000 нм, NW = 5 · 108 см-2, f = 10 000 нм, [1] G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, s = 2.5с, f = 4000 с, s = 0.553 нм2, f = 0.45 нм2, = 0.24, (2004).

= 0.2, D = 2.5 · 10-10 см2/с, Ds = 2.5 · 10-10 см2/с, = 0.3.

f [2] A.B. Greytak, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, C.M. Lieber. Appl.

Штриховая линия — расчет согласно (22) при s = 25 нм.

Phys. Lett., 84, 4176 (2004).

[3] M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2002).

H = 1000 нм, V /h = 1МС/с и T = 560C. Изображение [4] Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 291, 851 (2001).

получено методом растровой электронной микроскопии [5] S. Gradecak, F. Quin, Y. Li, H.-G. Park, C.M. Lieber. Appl.

Phys. Lett., 87, 173 111 (2005).

(РЭМ). Анализ РЭМ-изображений образца с различных [6] E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, участков поверхности позволил получить эксперименX. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 101, тальную зависимость высоты ННК L от их поперечного 14 017 (2004).

размера 2R, представленнуюна рис. 4. Этот размер для [7] R.S. Friedman, M.C. McAlpine, D.S. Ricketts, D. Ham, заостренных ННК брался как среднее арифметическое C.M. Lieber. Nature, 434, 1085 (2005).

между диаметром их основания и вершины. Там же при[8] Y. Huang, C.M. Lieber. Pure Appl. Chem., 76, 2051 (2004).

ведена расчетная зависимость длины ННК от диаметра, [9] D. Whang, S. Jin, C.M. Lieber. Jap. J. Appl. Phys., 43, полученная на основе общего выражения (12) и прибли- (2004).

женного выражения (22) из теоретической части работы. [10] R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1110 В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand [11] E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975). [37] T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, T. Watanabe.

J. Appl. Phys., 81, 7273 (1997).

[12] P.M. Petroff, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., [38] S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchhiya, H. Noge, H. Kano, 45, 620 (1984).

Y. Nagamune, T. Noda, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 76, [13] R. Bhat, E. Kapon, S. Simhony, E. Colas, D.M. Hwang, (1994).

N.G. Stoffel, M.A. Koza. J. Cryst. Growth, 107, 716 (1991).

[39] V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi B, 171, 345 (1992).

[14] K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77, 447 (1995).

Редактор Л.В. Шаронова [15] Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977).

On the role of adatom surface diffusion [16] D.N. Mcllroy, A. Alkhateeb, D. Zhang, D.E. Aston, A.C. Marin the formation of nanowires cy, M.G. Norton. J. Phys.: Condens. Matter, 16, R415 (2004).

[17] A.I. Persson, M.W. Larsson, S. Stengstrom, B.J. Ohlsson, V.G. Dubrovskii†, N.V. Sibirevv, R.A. Suris, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Nature materials, 3, G.E. Cirlin†v, V.M. Ustinov†, M. Tchernycheva‡, (2004).

J.C. Harmana‡ [18] Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, † St. Petersburg Physicotechnical Centre (1973).

for Research and Education, [19] D. Kashchiev. Nucleation: Basic Theory with Applications Russian Academy of Sciences (Oxford, Butterworth Heinemann, 2000).

195220 St. Petersburg [20] В.В. Мамутин. Письма ЖТФ, 25 (18), 55 (1999).

[21] V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E, 70, 031 604 Ioffe Physicotechnical Institute, (2004). Russian Academy of Sciences, [22] В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма 194021 St. Petersburg, Russia v ЖТФ, 30 (16), 41 (2004).

Institute of Analytical Instrumentation, [23] V. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G. Cirlin, Y. Musikhin, I. Soshni- Russian Academy of Sciences, kov, Y. Samsonenko, A. Tonkikh, V. Ustinov. Proc. SPIE, 190103 St. Petersburg, Russia 5946, 594 611 (2005).

‡ CNRS-LPN, Route de Nozay, [24] G.W. Sears. Acta Met., 3, 367 (1955).

91460 Marcoussis, France [25] W. Dittmar, K. Neumann. In: Crowth and perfection of crystals, ed. by R.H. Doremus, B.W. Roberts, D. Turnball,

Abstract

A theoretical model of the nanowire formation on N.Y. John (Wiley, 1958) p. 121.

surfaces acrivated by drops of the growth catalyst has been [26] V. Ruth, J.R. Hirth. J. Chem. Phys., 41, 31 (1964).

developed. The model takes into account the surface diffusion [27] S. Bhunia, T. Kawamura, S. Fujikawa, Y. Watanabe. Physica E, of adatoms to the nanowire top from the substrare surface and 24, 238 (2004).

from the nanowire sidewalls. An exact solution for the adatom [28] Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошниdiffusion flux from the substrate surface to nanowires is obtained ков, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, and analyzed in the limiting cases of a very small and a very 39 (5), 587 (2005).

large diffusion length of the adatom s. A general expression [29] V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, for the nanowire length L as a function of the drop radius R N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, and the growth conditions is derived. This expression can be 71, 205 325 (2005).

applied within a wide range of growth technologies. Theoretical [30] W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, results are compared to the experimental data of the L(R) J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, dependence of the GaAs nanowires grown by the molecular beam C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelepitaxy on the GaAs (111) B surface activated by Au, within son. J. Cryst. Growth, 272, 211 (2004).

the range R = 20-250 nm. It is shown that within a certain [31] L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, range of parameters the L(R) curve exhibits the 1/[R2 ln(s/R)] L. Long, U. Gsele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, dependence, which is qualitatively different from the classical (2004).

[32] V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, diffusion-like 1/R curve.

V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006).

[33] G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, N.K. Polyakov, V.G. Dubrovskii, V.M. Ustinov. Czech. J. Phys., 56 (1), 13 (2006).

[34] J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pr-Laperne, M.-N. MratCombes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 (2005).

[35] V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004).

[36] Справочник по специальным функциям, под ред.

М. Абрамовица, И. Стиган (М., Наука, 1979).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.