WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

[16] A.V. Fedorov, A.V. Baranov, Y. Masumoto. Sol. St. Commun., Важнейшим вопросом, возникающим в связи с об122, 139 (2002).

суждаемым в работе механизмом внутризонной релак[17] U. Bockelmann, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42, 8947 (1990).

сации, является вопрос о надежном эксперименталь- [18] H. Benisty. Phys. Rev. B, 51, 13 281 (1995).

[19] A.V. Uskov, K. Nishi, R. Lang. Appl. Phys. Lett., 74, ном наблюдении таких процессов. Для ответа на него (1999).

необходимо проанализировать возможное проявление [20] E. Evans, D.L. Mills. Phys. Rev. B, 8, 4004 (1973).

внутризонной релаксации квантовых точек, обуслов[21] N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989).

ленной взаимодействием с плазмон-фононными модами [22] B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 49, 17 253 (1994).

легированной части гетероструктуры, в каком-либо оп[23] F. Comas, C. Trallero-Giner, M. Cardona. Phys. Rev. B, 56, тическом эксперименте. Так, например, релаксационные 4115 (1997).

процессы в самоорганизованных квантовых точках часто [24] A. Mooradian, A.L. McWhorter. Phys. Rev. Lett., 19, исследуются методом фотолюминесценции [10,30]. Вна(1967).

стоящее время имеются предварительные эксперимен[25] R.H. Ritchie, R.E. Wilems. Phys. Rev., 178, 372 (1969).

тальные данные по фотолюминесценции самоорганизо- [26] J. Harris. Phys. Rev. B, 4, 1022 (1971).

ванных квантовых точек, встроенных в двойную гетеро- [27] L. Kleinman. Phys. Rev. B, 7, 2288 (1973).

[28] K. Vahala. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 523 (1988).

структуру [31], из которых следует, что новый механизм [29] Д.А. Варшалович, А.Н. Москалев, В.К. Херсонский. Кванрелаксации действительно существует и приводит к потовая теория углового момента (Л., Наука, 1975).

явлению двух отчетливых спектральных линий L+ и L-.

[30] K.H. Schmidt, G. Mederios-Ribero, M. Oestreich, P.M. Prtroff, Поскольку в легированных элементах гетерострукG.H. Dhler. Phys. Rev. B, 54, 11 346 (1996).

туры могут существовать не только объемные, но и [31] A.V. Baranov, A.V. Fedorov, I.D. Rukhlenko, Y. Masumoto.

поверхностные плазмон-фононные возбуждения, несоPhys. St. Sol. (c), 0, 1217 (2003).

мненный интерес представляет вопрос об их роли в Редактор Т.А. Полянская процессах внутризонной релаксации носителей заряда в квантовых точках. Это интересная проблема будет Plasmon-phonon assisted charge carrier рассмотрена в следующей работе.

relaxation in quantum dots В заключение авторы считают своим приятным долA.V. Fedorov, A.V. Baranov гом поблагодарить Российский фонд фундаментальных исследований (проект № 02-02-17311) и программу S.I. Vavilov State Optical Institute, INTAS (гранты N 01-2100 и N 01-2331) за финансовую 199034 St. Petersburg, Russia поддержку работы.

Abstract

A new mechanism of the intraband charge carrier relaxation of quantum dots embedded in heterostructures at a Список литературы relatively long distance between the quantum dot and doped areas [1] L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. Science, 275, 649 (1997). of the heterostructure is discussed. The relaxation process is [2] T. Itakura, Y. Tokura. Phys. Rev. B, 67, 195 320 (2003).

determined by a coupling between the quantum dot electronic [3] K. Yano, T. Ishii, T. Sano, T. Mine, F. Murai, T. Hashimoto, subsystem and plasmon-phonon excitations of the heterostructure T. Koboyashi, T. Kure, K. Seki. Proc. IEEE, 87, 633 (1999).

doped areas via an electric potential induced by the excitations.

[4] M. Dutta, M.A. Stroscio. Abvances in semiconductor It is shown that this type of interaction (with bulk plasmon-LOlasers and applications to optoelectronics (World Scientific, phonon modes) is only possible due to their spatial dispersion. The Singapore, 2000).

relaxation rate estimations indicate that the considered mechanism [5] A.V. Baranov, V. Davydov, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto.

is effective enough even in case the distance between the quantum J. Lumines., 87-89, 503 (2000).

dot and the heterostructure doped area is as big as 100 nm. In this [6] X-Q. Li, Y. Arakawa. Phys. Rev. B, 57, 12 285 (1998).

way, the mechanism becomes dominating.

[7] X-Q. Li, H. Nakayama, Y. Arakawa. Phys. Rev. B, 59, (1999).

[8] F. Gindele, K. Hild, W. Langbain, U. Woggon. Phys. Rev.

B, 60, 2157 (1999).

[9] T. Inoshita, H. Sakaki. Phys. Rev. B, 46, 7260 (1992).

[10] R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A. Hoffman, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.