WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Слабополевое магнитосопротивление двумерных электронов в гетероструктурах In0.53Ga0.47As / InP... Описанные механизмы позволяют качественно опи- Low-field magnetoresistance of the сать все наблюдавшиеся в эксперименте особенности, selectively-doped In0.53Ga0.47As / InP однако количественное описание их возможно только heterostructures with two-dimensional при уточнении зависимости величины встроенного элекelectrons in the persistence трического поля от распределения зарядов в селективно photoconductivity state легированных гетероструктурах и их перераспределения в режиме замороженной фотопроводимости, а также D.D. Bykanov, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, уточнения теоретических выражений, описывающих слаT.A. Polyanskaya, I.G. Savel’ev бую локализацию электронов в двух подзонах размерноA.F.Ioffe Physicotechnical Institute, го квантования при различных соотношениях характерRussian Academy of Sciences, ных времен в системе, включая время межподзонного 194021 St.Petersburg, Russia рассеяния.

Работа выполнена при финансовой поддержке фондов

Abstract

Low-field magnetoresistance has been studied in INTAS-RFFI (грант 95-IN/RU-533) и РФФИ (грант 98selectively-doped In0.53Ga0.47As / InP heterostructures with two02-18396).

dimensional electron gas. State of the system was varied by the interband light, which allowed to transfer samples into the persistence photoconductivity state. Parameters H and Hs characСписок литературы terizing phase and spin coherency, respectively, were determined [1] А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев. and analyzed both at low 2DEG density, which corresponds to the ФТП, 31, 459 (1997).

first subband filing, and at the outset of the second subband filling.

[2] Sh. Iwabuchi, Y. Nagaoka. J. Phys. Soc. Jap., 58, 1325 (1989).

Charges redistribution under persistence photoconductivity state [3] Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, and relaxation processes in the second subband (even at the outset И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22, 1948 (1988).

of filling) allowed to describe all observed experimental features.

[4] А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 26, (1992).

[5] S. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 19, 6433 (1979).

[6] A.M.Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel’ev, A.Ya. Shik, J. Cryst. Growth, 146, 153 (1995).

[7] К.Б. Ефетов. ЖЭТФ, 78, 2017 (1980); S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 63, 707 (1980).

[8] Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 788 (1981).

[9] М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60, 1954 (1971).

[10] F.G. Pikus, G.E. Pikus. Phys. Rev. B, 51, 16 928 (1995).

[11] B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitskii. J. Phys. C, 15, 7367 (1982).

[12] G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955).

[13] Yu.L. Bychkov, E.I. Rashba. J. Phys. C, 17, 6093 (1984).

[14] A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel’ev.

Semicond. Sci. Techn. 13, 384 (1998).

[15] T. Ando. J. Phys. Soc. Jap., 51, 3842 (1982).

[16] F. Stern, S.D. Sarma. Phys. Rev. B, 30, 840 (1984).

[17] J. Yoshida. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 154 (1986).

[18] G.M. Gusev, Z.D. Kvon, I.G. Neizvestnyi, V.N. Ovsuk. Sol. St.

Commun., 46, 169 (1983).

Редактор Т.А. Полянская 6 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.