WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

состояний в изученной нами квазиодномерной системе 80, 3, 191 (1991).

и вызван наличием примесей, дефектов и искажений [6] J. Richard, M. Vandevyver, P. Lesieur, A. Barraud, K. Holczer.

J. Phys. D: Appl. Phys. 19, 12, 2421 (1986).

в линейных проводящих цепочках молекул TCNQ, по [7] I.F. Shchegolev. Phys. Stat. Sol. (a) 12, 1, 9 (1972).

которым происходит распространение заряда. При этом [8] H.W. Helberg, M. Dressel. J. Phys. I France 6, 12, наблюдаемое изменение проводимости с температурой (1996).

качественно и количественно согласуется с моделью [9] V. Chernov, L. Galchenkov, S. Ivanov, P. Monceau, I. Pyataiлокализации в квазиодномерной системе со слабым kin, M. Saint-Paul. Solid State Commun. 97, 1, 49 (1996).

беспорядком, предложенной в [18]. Аппроксимация [10] Л.А. Галченков, С.Н. Иванов, Ф.Я. Надь, В.П. Чернов, экспериментальных результатов теоретическими Т.С. Берзина, В.И. Троицкий. Биол. мембраны 7, 10, зависимостями из этой работы позволила установить (1990).

времена электрон-фононного (in(193.5K) =6 · 10-14 s) [11] А.М. Дыхне. ЖЭТФ 59, 1(7), 110 (1970).

[12] О.В. Коновалов, И.И. Пятайкин. Не опубликовано.

При проведении расчета TMD мы предполагали, что величина [13] F. Rustichelli, S. Dante, P. Mariani, I.V. Myagkov, V.I. Troitsky.

константы электрон-фононного взаимодействия в Qn(TCNQ)2 такая Thin Solid Films 242, 1–2, 267 (1994).

же, как и в кристаллах TTF–TCNQ: 0.23 [27].

[14] T.J. Kistenmacher, T.E. Phillips, D.O. Cowan. Acta Cryst. B 30, Заметим, что расчет TMD в пленках при = 1.3 дает TMD = 205 K, что близко к экспериментальному значению TMD = 193.5K. 3, 763 (1974).

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Электронная локализация в проводящих пленках Ленгмюра–Блоджетт [15] L.A. Galchenkov, S.N. Ivanov, F.Ya. Nad’, V.P. Chernov, T.S. Berzina, V.I. Troitsky. Synth. Met. 42, 1–2, 1471 (1991).

[16] А.А. Гоголин, В.И. Мельников, Э.И. Рашба. ЖЭТФ 69, 1(7), 327 (1975).

[17] В.Н. Пригодин, Ю.А. Фирсов. Письма в ЖЭТФ 38, 5, (1983).

[18] Э.П. Нахмедов, В.Н. Пригодин, А.Н. Самухин. ФТТ 31, 3, 31 (1989).

[19] Z.H. Wang, A. Ray, A.G. MacDiarmid, A.J. Epstein. Phys.

Rev. B 43, 5, 4373 (1991).

[20] D. Jrome, H.J. Schulz. Adv. Phys. 31, 4, 299 (1982).

[21] E.B. Starikov. Int. J. Quant. Chem. 66, 1, 47 (1998).

[22] Е.Б. Стариков. Частное сообщение.

[23] E.M. Conwell. Phys. Rev. B 22, 4, 1761 (1980).

[24] S.K. Khanna, E. Ehrenfreund, A.F. Garito, A.J. Heeger. Phys.

Rev. B 10, 6, 2205 (1974).

[25] T. Wei, P.S. Kalyanaraman, K.D. Singer, A.F. Garito. Phys. Rev.

B 20, 12, 5090 (1979).

[26] A.A. Bright, A.F. Garito, A.J. Heeger. Phys. Rev. B 10, 4, (1974).

[27] A.J. Berlinsky. Contemp. Phys. 17, 4, 331 (1976).

[28] Л.Н. Булаевский, В.Л. Гинзбург, Г.Ф. Жарков, Д.А. Киржниц, Ю.В. Копаев, Е.Г. Максимов, Д.И. Хомский. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости / Под ред.

В.Л. Гинзбурга, Д.А. Киржница. Наука, М. (1977). 400 с.

[29] S. Ishibashi, M. Kohyama. Phys. Rev. B 62, 12, 7839 (2000).

[30] K. Lee, R. Menon, C.O. Yoon, A.J. Heeger. Phys. Rev. B 52, 7, 4779 (1995).

[31] А.А. Гоголин, С.П. Золотухин, В.И. Мельников, Э.И. Рашба, И.Ф. Щ Письма в ЖЭТФ 22, 11, 564 (1975).

еголев.

[32] Y. Ishizaki, M. Izumi, H. Ohnuki, K. Kalita-Lipinska, T. Imakubo, K. Kobayashi. Phys. Rev. B 63, 13, 134 (2001).

[33] Л.П. Горьков, О.Н. Дорохов, Ф.В. Пригара. ЖЭТФ 85, 4(10), 1470 (1983).

10 Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.