WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Углубление уровня из-за влияния второй подзоны тем больше, чем сильнее перекрываются огибающие функ + arctg, (29) 2 8m2b2 (0) 2 ции 2D подзон и чем меньше эффективная масса во (E2 - E) - второй подзоне и энергетический зазор между подзонами. Аналогично можно учесть влияние состояний первой и грубая оценка энергии примесного состояния может подзоны на примесные (квазилокальные) уровни, отщебыть получена из решения трансцендентного уравнения пляющиеся от второй подзоны. В этом случае учет влияE - E1 + 4Ry(2)|B12(z0)|2 ния первой подзоны уменьшает энергию связи. Поправка мала в области внутреннего барьера, где огибающая второй подзоны имеет узел, и заметно больше в ямах, = 0. (30) 8m2b2 (0) 2 где 1D огибающие велики; в этом случае вклад второй (E2 - E) - подзоны по порядку величины может быть сравним с величиной энергии связи акцепторного состояния.

5. В качестве примера на рисунке приведена зависиНеобходимо отметить, что, вопреки весьма распромость (кривая 1) энергии связи акцепторного состояния страненному мнению о том, что энергия связи мелкоот положения примеси в НС Al0.3Ga0.7As–GaAs с двумя го акцептора всегда заметно превышает энергию свяКЯ шириной 5a и 3a и барьером шириной 4a, где a — постоянная решетки. Внешние барьерные слои зи донора [4], для таких распространенных НС, как предполагаются полубесконечными. Для данной НС рас- AlxGa1-xAs–GaAs, сравнительно легко привести приместояние между подзонами равно 32.1 мэВ, эффективная ры структур, в которых эти энергии сравнимы (см. римасса во второй подзоне отрицательна и по абсолютной сунок, кривая 1). Однако близко (по сравнению с подзовеличине равна 0.079m0, значение параметра bn принято нами проводимости) расположенные валентные подзоны Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Энергия связи кулоновских акцепторов в системах квантовых ям и, соответственно, более равномерное распределение 1D Binding energy of Coulomb acceptors in огибающих вдоль оси роста НС приводят к тому, что quantum well systems зависимость энергии связи от положения примеси в НС V.I. Belyavsky, M.V. Goldfarb, Yu.V. Kopaev оказывается более слабой как по сравнению с глубокими примесями [18], так и с мелкими донорами [19].

P.N. Lebedev Physical Institute В асимметричных системах КЯ огибающие функции of Russian Academy of Sciences, в области внутренних барьеров могут иметь величину, 117924 Mosсow, Russia сравнимую с их величиной в области КЯ. Поэтому Voronezh State Pedagogical Institute, учет различия диэлектрических свойств материалов КЯ 394043 Voronezh, Russia и барьеров может приводить к заметному изменению энергии связи, тем более, что разница диэлектрических

Abstract

Binding energy of Coulomb acceptor state in type-I проницаемостей материалов КЯ и барьеров в гетероheterostructure with a few coupled quantum wells is investigated структурах AlxGa1-xAs–GaAs при x 0.4 составляет as a function of the impurity position in a structure. It is shown около 10% и пренебрежимо малой, вообще говоря, не that there is an essential influence of the character of size-quantized является.

hole states on the binding energy value, particulary, in the case of arising of subbands with negative effective masses.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Министерства науки и технической политики России по программе ”Физика твердотельных наноструктур”.

Список литературы [1] H. Sakaki. Localization and Confinement of Electrons in Semiconductors. Springer Ser. Sol. St. Sci. (1991) v. 97, p. 2.

[2] R. Dingle, H. Stoermer, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Appl.

Phys. Lett., 33, 665 (1978).

[3] G. Bastaed. Phys. Rev. B, 24, 1714 (1981).

[4] A. Pasquarello, L.C. Andreani, R. Buczko. Phys. Rev. B, 40, 5602 (1989).

[5] W.T. Masselink, Y.-C. Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 28, 7373 (1983).

[6] S. Chaudhury, K.K. Bagaj. Phys. Rev. B, 29, 1803 (1984).

[7] G.C. Rune, P.O. Holtz, M. Sundatamet al. Phys. Rev. B, 44, 4010 (1991).

[8] G. Bastard, J.A. Brum, R. Ferreira. Sol. St. Phys., 44, (1990).

[9] A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, V.Yu. Kremlev.

Phys. Low-Dim. Structure, 5, 57 (1994).

[10] Ф.Г. Пикус. ФТП, 26, 45 (1992).

[11] В.И. Белявский, Ю.В. Копаев, С.Т. Павлов, С.В. Шевцов.

ФТТ, 37, 3147 (1995).

[12] В.И. Белявский, Ю.В. Копаев, С.Т. Павлов, С.В. Шевцов.

Письма ЖЭТФ, 61, 279 (1995).

[13] Y.-C. Chang, J.N. Shulman. Appl. Phys. Lett., 43, 536 (1983).

[14] Е.М. Ивченко, А.В. Кавокин. ФТП, 25, 1780 (1991).

[15] Y.C. Lee, W.N. Mei, K.C. Lin. J. Phys. C, 15, L469 (1982).

[16] M. Shinada, S. Sugano. J. Phys. Soc. Jpn., 21, 1936 (1966).

[17] Y. Fu, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 43, 12 626 (1991).

[18] В.И. Белявский, Ю.В. Копаев, Н.В. Корняков, С.В. Шевцов.

Письма ЖЭТФ, 61, 1004 (1995).

[19] В.И. Белявский, М.В. Гольдфарб, Ю.В. Копаев, С.В. Шевцов. ФТП (в печати).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.