WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

симметрии A1, d, e, f — симметрии T2 с энергиями, [5] N. Binggeli, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. Lett., 75, взятыми в порядке возрастания. Карты g и h соот(1995).

ветствуют представлениям E и T1. Для трехмерных [6] A.K. Ray, B.K. Rao. J. Phys.: Cond. Matter., 9, 2859 (1997).

представлений приводятся карты плотности только для [7] Л.И. Куркина, О.В. Фарберович. ФТТ, 38, 1416 (1996).

первой компоненты. Остальные могут быть получены [8] J.C. Grossman, L. Mitas. Phys. Rev. B, 52, 16 735 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, обусловленные тетраэдрическими... [9] S.N. Khana, P. Jena. Phys. Rev. B, 51, 13 705 (1995).

[10] D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. Lett., 60, 2187 (1988).

[11] J. Dabrowsky, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 40, 1039 (1989).

[12] С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30, 2195 (1996).

[13] С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 39, №8, 13 (1996).

[14] Р.А. Эварестов. Квантово-химические методы в теории твердого тела (Л., Изд-во ЛГУ, 1982).

[15] R.A. Evarestov, V.P. Smirnov. J. Phys.: Cond. Matter., 9, (1997).

Редактор В.В. Чалдышев Licalized states near the GaAs band gap associated with tetrahedral arsenic clusters S.N. Grinyaev, V.A. Chaldyshev Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.