WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

с ВСКТ была получена методом молекулярно-пучковй [12] М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, С.В. Зайцев, Н.Ю. Горэпитаксии на подложках n+-GaAs с ориентацией (100) в деев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, результате шестикратного осаждения 2 монослоев InAs, А.В. Сахаров, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульразделенных прослойкой GaAs толщиной в 40. DLTSников, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 670 (1997).

исследования показали, что в спектрах наблюдаются [13] Р.А. Сурис. В сб.: Материалы седьмой зимней школы по четыре пика, положение которых зависит от условий физике полупроводников (Л., 1975) с. 245.

преварительного изохронного отжига и оптической под[14] R. Wetzler, C.M.A. Kapteyn, R. Heitz, A. Wacker, E. Schll, светки. Полученные данные мы связали с эффектом куD. Bimberg. Phys. St. Sol. (b), 224, 79 (2001).

лоновского взаимодействия носителей, локализованных [15] A. Mtonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, на состояниях ВСКТ, и ионизованных точечных дефек666 (1977).

тов, расположенных в ближайшей окрестности ВСКТ, [16] H. Hasagawa, A. Majerfeld. Electron. Lett., 11, 286 (1975).

что позволило идентифицировать пики с состояния- [17] X. Letartre, D. Stivenard, M. Lanno. J. Appl. Phys., 69, (1991).

ми ВСКТ. Смещение пиков DLTS в высокотемператур[18] P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finную область спектра с ростом величины напряжения ley, J.A. Barker, E.P. O’Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, обратного смещения мы считаем проявлением квантовоP.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, размерного эффекта Штарка для состояний ВСКТ. Вид A.G. Gillis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, этих зависимостей дал нам основание идентифицировать (2000).

пики в спектрах DLTS со связанными и антисвязанны[19] H. Pettersson, C. Pryor, L. Landin, M.-E. Pistopl, N. Carlsson, ми, основными и возбужденными состояниями ВСКТ, W. Seifert, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 61, 4795 (2000).

которые были обозначены соответственно как 1s+, 1s- [20] S. Ghosh, B. Kochman, J. Singh, P. Bhattacharaya. Appl. Phys.

и 2p+. Lett., 76, 2571 (2000).

[21] C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P. Brunkov, Работа выполнена при поддержке научной проB.V. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Phys.

граммы „Физика твердотельных наноструктур“, РФФИ St. Sol. (b), 224, 57 (2001).

(проект 00-02-16848) и SCOPES 2000-2003 (про- [22] S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistopl, L. Samuelson, W. Seifert.

ект 7SUPJ 062392). J. Appl. Phys., 84, 3747 (1998).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1096 М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов [23] K. Schmalz, I.N. Yassievich, F. Collart, D.J. Gravesteijn. Phys.

Rev. B, 54, 16 799 (1996).

Редактор Т.А. Полянская Study of the Stark effect vertically coupled quantum dots in InAs/GaAs heterostructures M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.