WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

При более или менее равномерном распределении этих Другой вид имеет зависимость IPL(h) для центров D1 центров в дефектной области шириной z(D1) =50 нм в ГКЯ (кривая 3). При стравливании поверхностного объемная концентрация N(D1) 1019 см-3. Это знаслоя IPL сначала увеличивается почти в 3 раза и резко чение вполне согласуется с данными о концентрации падает, когда h приближается к глубине залегания второй дейтерия в поверхностном барьерном слое GaAs дейКЯ. Центры D1 локализованы, таким образом, в тонком терированных гетероструктур GaAs/InGaAs со сверхреповерхностном слое толщиной < 50 нм, а возможно — в шеткой из КЯ [6]. Однако в области самой сверхрешетки еще более тонком слое вблизи второй КЯ. Участок роста концентрация дейтерия снижалась почти на 2 порядка, IPL на кривой 3 обусловлен удалением образовавшегося тогда как наша оценка относится скорее ко второму, чем вблизи поверхности сильнодефектного слоя, создающего к первому барьерному слою.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами... Концентрация центров D3 в однородном слое GaAs [12] R. Rahbi, B. Pajot, J. Chevallier, A. Marbeuf, R.C. Logan, M. Gavand. J. Appl. Phys., 73, 1723 (1993).

значительно меньше. Если вероятности излучательной [13] И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, рекомбинации на центрах D1 и D3 не сильно разЮ.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, личаются, то с учетом того что z(D3) = 103 нм, (1994).

N(D3) 1016 см-3.

[14] В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, И.А. Карпович. ФТП, 27, Пассивирующее действие водорода при обработке ГКЯ (1993).

в СПР не простирается дальше третьей КЯ, т. е. ограРедактор В.В. Чалдышев ничено глубиной 90 нм. Об этом можно судить по резкому спаду эффекта усиления ФЛ от второй к третьей КЯ (рис. 1, кривая 2). Слабое усиление краевой ФЛ Defect generation and passivation GaAs в ГКЯ вполне может быть обусловлено снижением in the strained quantum well GaAs/InGaAs суммарной скорости рекомбинации в приповерхностной heterostructures under hydrogen области.

plasma treatment I.A. Karpovich, A.V. Anshon, D.O. Filatov Заключение University of Nizhnii Novgorod, Проведенное исследование показывает, что встроен603600 Nizhnii Novgorod, Russia ные в приповерхностной области слоя GaAs напряженные квантово-размерные гетерослои InGaAs задержива

Abstract

Effect of treatment of the quantum well GaAs/InGaAs ют диффузию водорода и генерируемых на поверхности heterostructures in a high-frequency glow discharge hydrogen дефектов в объем. Это явление оказывает определяю- plasma on their photoluminescence and capacitive photovoltage щее влияние на пространственное распределение, тип spectra has been studied. Quantum-size strained heterolayers have been shown to suppress diffusion of hydrogen and defects into the и концентрацию образующихся водородных комплекstructures, and this leads to considerable difference in spatial distriсов. Непосредственно вблизи поверхности доминирует bution and in generation mechanisms of the recombination-active образование рекомбинационно-активных комплексов, и and passivated hedrogen-defect complexes in the heterostructures значительный эффект пассивации дефектов можно поas compared to homogeneous layers.

лучить лишь в области полупроводника, расположенной E-mail: fdp@phys.unn.runnet.ru (Filatov) за первой квантовой ямой, при определенных условиях обработки.

Авторы выражают благодарность Б.Н. Звонкову за предоставление структур и И.Г. Малкиной за помощь в проведении отдельных экспериментов.

Работа выполнялась при финансовой поддержке Госкомвуза РФ (грант 94-7.10-3005).

Список литературы [1] M. Stavola. Acta Phys. Pol. A, 82, 585 (1992).

[2] R. Rahbi, B. Pajot, J. Chevallier, A. Marbeuf, R.C. Logan, M. Gavand. J. Appl. Phys., 73, 1723 (1992).

[3] E.M. Omeljanovsky, A.V. Pakhomov, A.Y. Polyakov.

Semicond. Sci. Technol., 4, 947 (1989).

[4] Y.-L. Chang, I.-H. Tan, E. Hu, J. Merz, V. Emeliani, A. Frova.

J. Appl. Phys., 75, 3040 (1994).

[5] Ю.А. Бумай, Б.С. Явич, М.А. Синицин, А.Г. Ульяшин, Н.В. Шлопак, В.Ф. Воронин. ФТП, 28, 276 (1994).

[6] S.M. Lord, G. Roos, J.S. Harris, N.M. Johnson. J. Appl. Phys., 73, 740 (1992).

[7] Y.C. Chen, J. Singh, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, (1993).

[8] И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, 1745 (1996).

[9] И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП. 26, 1886 (1992).

[10] Y.-L. Chang, M. Krishnamurthy, I.-H. Tan, T. Hu, J. Merz, P.M. Petroff, A. Frova, V. Emiliani. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 170 (1993).

[11] G. Lukovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.