WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

различаются энергиями уровней квантовых состояний в Это соответствует изменению энергии термической акОКТ, которые характеризуются различным смещением тивации для уровня, соответствующего пику HD2(100), Штарка. Кроме того, в ОКТ-структуре на подложке GaAs от 217 до 288 эВ, а пику HD1(100) от 239 до 156 мэВ, с ориентацией (100) наблюдалась полевая зависимость а затем до 215 мэВ. Положение пика ED1(100) с ростом энергии термической активации для эмиссии дырок абсолютной величины U (рис. 3, кривая 5) смещалось в с этого квантового состояния в ОКТ и установлено область высоких температур, и при U = -0.75 В энерналичие интерфейсного состояния на гетерогранице гия термической активации уровня, соответствующего смачивающий слой–ОКТ, для которого также наблюдали этому DLTS-пику, составляла 192 мэВ, а сечение захвата сильное смещение Штарка. Эти различия в свойствах электрона 8.0 · 10-13 см2. Наблюдаемые зависимости подвух структур могут быть связаны с различиями в геоложения DLTS-пиков, возникающих в результате эмисметрической форме ОКТ [17], условиях формирования сии дырок с состояний квантовых точек, от величины ОКТ [3] и обусловлены разной ориентацией поверхности приложенного к структуре напряжения смещения U для подложки, на которой выращивались гетероструктуры с ОКТ-структуры на подложке (311)A GaAs связываются ОКТ [18]. Особенностью формирования ОКТ-структур с проявлением эффекта смещения Штарка для уровней на подложках (100) GaAs могут быть также наличие энергии квантового состояния в ОКТ [4–5]. Как было точечных дефектов решетки, расположенных вблизи установлено в работе [5], смещение Штарка в этом ОКТ [1–3], и потенциального барьера для захвата нослучае, по-видимому, определяется комбинацией элексителей [9–10,19].

трического поля p-n-перехода и пьезоэлектрического поля, возникающего в эпитаксиальных слоях GaAs при Работа выполнена при поддержке научной программы их росте на подложках с высоким индексом Миллера, „Физика твердотельных наноструктур“ и РФФИ (проект и не превышает 10 мэВ. В случае ОКТ-структуры на № 00-02-16848).

подложке (100) GaAs зависимости положения DLTSпиков, возникающих в результате эмиссии дырок, от Список литературы величины приложенного к структуре напряжения смещения U (рис. 3) были подобны тем, что ранее наблюда[1] М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, лись для структур с двумя вертикально-сопряженными А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, квантовыми точками, которые также выращивались на 1249 (1997).

подложках (100) GaAs [12]. Эти зависимости связыва[2] M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, лись с двумя явлениями, которые могут проявляться N.A. Cherkashin, V.V. Emtsev. Physica B: Condens Matter, в структурах с ОКТ и давать противоположный вклад 273–274, 959 (1999).

[3] М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, в величины энергии термической активации с ростом Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. ФТП, 34, электрического поля, определяемые из DLTS-измерений:

200 (2000).

1) полевым эффектом, понижающим барьер для тер[4] A. Patan, A. Levin, A. Polimeny, F. Schindler, P.C. Main, моэмиссии [16];

L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 77, 2979 (2000).

2) эффектом Штарка, смещающим уровни энергии [5] M. Gurioli, S. Sanguinetti, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 78, квантового состояния в ОКТ [4–8].

931 (2001).

Для этой ОКТ-структуры наблюдалось существенное [6] P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, увеличение смещения Штарка для основного состояния J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O’Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, дырок в ОКТ, оно становилось 60 мэВ. Появилась такP.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, же сильная полевая зависимость энергии термической A.G. Gillis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84 (4), активации для эмиссии дырок с этого состояния, что (2000).

5 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1092 М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких [7] A. Lemaitre, A.D. Ashmore, J.J. Finley, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Hopkinson, T.F. Krauss. Phys. Rev. B, 63, 161 309 (R) (2001).

[8] W. Sheng, J.-P. Leburton. Appl. Phys. Lett., 78, 1258 (2001).

[9] М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35, 1228 (2001).

[10] M.M. Sobolev, V.M. Lantratov. Physica B: Condens. Matter, 308–310, 1113 (2002).

[11] М.М. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B: Condens.

Matter, 340–342, 1103 (2003).

[12] М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005).

[13] М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999).

[14] A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977).

[15] П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991).

[16] S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert.

J. Appl. Phys., 67, 3016 (1995).

[17] W. Sheng, J.-P. Leburton. Physica E, 17, 50 (2003).

[18] M. Henini. III-Vs Review, 11, 48 (1998).

[19] H.L. Wang, F.H. Yang, S.L. Feng, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang, X.D. Wang. Phys. Rev. B, 61, 5530 (2000).

Редактор Л.В. Шаронова The Stark shift of hole states in single InAs/GaAs quantum dots grown on (100) and (311)A substrates M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, N.K. Polyakov, A.A. Tonkikh Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.