WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[7] I. Aberg, K. Deppert, M.H. Magnusson, I. Pietzonka, W. Seiуровней легирования [10]. Здесь rS — сопротивление fert, L.-E. Wernersson, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, растекания полупроводника за пределами области обед2976 (2002).

нения, равное [8] Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. ДроrS =, зодов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. Матер. совещ. „Нано4R(0) фотоника“ (Н. Новгород, Россия, март 2003) с. 363.

где — удельное сопротивление полупроводника. При [9] A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeout, D. Grischkowsky, a 0 f a-2/3, при a f a-1. На рис. C C D.T. Mclnturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., приведены результаты расчетов для GaAs. Видно, что 57, 1331 (1990).

[10] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, критическая частота сильно зависит от a и достигает 1984).

частот терагерцового диапазона даже при относительно [11] E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal–Semiconductor Conневысоком уровне легирования 1015-1016 см-3.

tacts (Clarendon Press, Oxford, 1988).

Редактор Т.А. Полянская 5. Заключение Проведены расчеты распределения потенциала в полупроводнике вокруг сферических и цилиндрических наноконтактов. Использовалось приближение полного обеднения. Проанализированы электрические свойства наноконтактов с малыми характерными размерами a S (S — ширина обедненной области в плоской геометрии).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Электрические свойства наноконтактов металл–полупроводник Electrical properties of metal–semiconductor nanocontacts N.V. Vostokov, V.I. Shashkin Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia

Abstract

Calculations of the potential in a semiconductor have been carried out about spherical and cylindrical metallic nanocontacts. An analysis of electric properties of nanocontacts of small characteristic dimensions a S (S being the width of depletion region in the planar geometry) has been made. Nanocontacts exhibit a weak capacitance dependence on the voltage and the fast response up to THz region, as well as more pronounced lowering of the Schottky barrier height due to the image forces as compared to the case of the planar geometry.

5 Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.