WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

2.1.1. Линейное поглощение ((n, T) = const).

Наличие температурной зависимости равновесной Граница области неустойчивости на плоскости парамеконцентрации свободных электронов приводит к сужетров pm и D (рис. 1, a, сплошная линия) задается нию температурного интервала неустойчивости и сблиследующими выражениями:

жению температур переключения бистабильных состояний. Соответствующее превышение параметром a крити- (1) ческих значений приводит к исчезновению неустойчивоpm = pm (D) =exp 2 + при D >D, (П.1.1) D сти и бистабильности на кривой зависимости T от I.

D (2) pm = pm (D) =D(D - 1) exp Заключение D - В результате проведенного анализа исследованы услопри 1

ком, температурной зависимости времени релаксации и Граница области реализации оптической бистабильравновесного значения концентрации свободных зарядов ности на плоскости параметров pm и D (рис. 1, a, в зоне проводимости.

штриховая линия) задается выражением Показано, что для всех рассмотренных случаев температурная зависимость времени релаксации является (b) pm = pm (D) =e2D. (П.2) необходимым условием возникновения неустойчивости Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Оптическая бистабильность и неустойчивость в полупроводнике при температурной зависимости... 2.1.2 Нелинейное поглощение Список литературы Б. Температурная зависимость времени релаксации [1] Х. Гиббс. Оптическая бистабильность управления свеи коэффициента поглощения (n, t) =(T ).

том с помощью света (М., Мир, 1988).

Граница области неустойчивости на плоскости пара[2] Оптические вычисления, под ред. Р. Арратуна (М., Мир, метров pm и D (рис. 2, a, сплошная линия) задается 1993).

следующими выражениями:

[3] Н.Н. Розанов. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах (М., Наука, (1) pm =pm (D)=exp 2 + при D >D, (П.3.1) 1997).

D [4] Колебания и бегущие волны в химических системах, под ред. Р. Филда, М. Бургера (М., Мир, 1988).

(3) pm = pm (D) при 1

Physics of Vibrations, 50 (1), 21 (1995).

Последняя зависимость определяется параметрическими [6] О.С. Бондаренко, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. ФТТ, соотношениями 36 (1), 152 (1994).

T [7] О.С. Бондаренко, В.А. Трофимов. ДАН, 364 (5), 1 (1999).

D =, [8] Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982).

T T - 1 1 [9] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупровод (T+T0)ников (М., Наука, 1990).

[10] Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. Письма T T exp ЖТФ, 18 (24), 38 (1992).

pm =. (П.4) T T T [11] Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. Препринт - 1 - 1 + (T +T0)ИПМ им. М.В. Келдыша АН СССР, № 62 (1990).

Значение D параметра D определяется как решение Редактор Т.А. Полянская уравнения (3) (1) pm (D) =pm (D).

Semiconductor optical bistability and instability under the 2.2 Механизм рекомбинации Оже temperature-dependent time of relaxation 2.2.1. Линейное поглощение ((n, T) = const).

of free charge carriers and their Граница области неустойчивости на плоскости парамеequilibrium density тров pm и D для фиксированных значений параметров O.S. Bondarenko, T.M. Lysak, V.A. Trofimov и q (рис. 3, a, сплошная линия) задается следующими выражениями:

M.V. Lomonosov Moscow State University, 119899 Moscow, Russia ex (1) pm = pm (D) = (x+2)3 при D >D, (П.5.1) q x D (2) pm = pm (D) =33 exp q D - 5 D(D - 1) при 1

2D 2D D Значение D параметра D определяется как решение уравнения (1) (2) pm (D) =pm (D).

Граница области бистабильности на плоскости параметров pm и D (рис. 3, a, штриховая линия) задается выражением (b0) pm = pm (D) = ( 3) (1 + 3)2D exp(1 + 3). (П.6) q Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.