WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, результаты, полученные в данной работе, свидетельствуют о том, что существенная доля примеси кремния при молекулярно-лучевой эпитаксии 4. Заключение GaAs входит в решетку в виде комплексов с собственными точечными дефектами. Механизм образования комРезультаты, полученные в данной работе, позволяют плексов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, вырасделать следующие выводы.

щиваемых из газовой фазы, т. е. в условиях достаточно 1. При молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs атомы низких температур роста, окончательно не установлен.

кремния входят в решетку не только в виде простых Зависимость концентрации комплексов от ориентации доноров SiGa, но также в виде элементарных акцепторов поверхности роста говорит о том, что их формирование SiAs и более сложных дефектов — комплексов типа происходит на стадии кристаллизации слоя. Ранее при SiGa-SiAs, SiGa-VGa и SiAs-VAs.

исследовании процессов роста и легирования GaAs 2. Концентрация различных типов примесных дефекв хлоридной и МОС-гидридной системах нами был предтов в слоях зависит от уровня легирования и ориентации ложен механизм, согласно которому примесно-ваканповерхности роста.

сионные комплексы образуются в результате захвата ад3. Амфотерные свойства кремния проявляются на грасорбированных двухатомных примесных молекул. Этот ни (111)А сильнее, чем на грани (100).

механизм, по-видимому, является достаточно общим 4. Формирование примесных дефектов происходит на для всех примесей, образующих прочные двухатомные стадии кристаллизации слоя и определяется структурой молекулы, что было подтверждено термодинамическими ростовой поверхности.

расчетами состава адсорбционных слоев и эксперименРабота выполнена при поддержке Российского фонда тальными данными по кинетике захвата примесей S, Te, фундаментальных исследований, грант № 01-02-17280.

Sn, Ge [9,10,17,18]. Можно предположить, что подобный механизм комплексообразования имеет место и при росте слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии. Низкая Список литературы температура МЛЭ и сильная сегрегация примеси на границе кристалл– адсорбционный слой будут увеличи[1] Y. Okano, H. Seto, H. Katahama et al. Jap. J. Appl. Phys., 28, вать вероятность как образования сложных ассоциатов L151 (1989).

в адсорбционном слое, так и их захвата в растущий [2] F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci.

слой без предварительной диссоциации. Для уточнения Technol., 7, 1504 (1992).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В... [3] A. Chin, P. Martin, P. He et al. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 Effect of growth conditions on Si (1991).

incorporation into the A and B sublattices [4] W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys.

of GaAs during molecular-beam epitaxy Lett., 47, 826 (1985).

[5] Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Э.Р. Ляпин, В.В. Сарайкин, I.A. Bobrovnikova, M.D. Vilisova, I.V. Ivonin, Ю.В. Хабаров. ФТП, 35 (4), 421 (2001).

L.G. Lavrentieva, V.V. Preobragenski+, M.A. Putjato+, [6] L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66 (21), B.R. Semjagin+, S.V. Subach, S.E. Toropov 2846 (1995).

[7] T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai et al. Microelectronics J., 30, V.D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Institute, 471 (1999).

634050 Tomsk, Russia [8] В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров.

Tomsk State University, ФТП, 32 (11), 1320 (1998).

634050 Tomsk, Russia [9] I.A. Bobrovnikova, L.G. Lavrentieva, M.P. Rusaikin, + Institute of Semiconductor Physics M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 123, 529 (1992).

Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, [10] И.А. Бобровникова, Л.Г. Лаврентьева, С.Е. Торопов. ФТП, 630090 Novosibirsk, Russia 20 (9), 1701 (1986).

[11] К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. В кн.: Опто

Abstract

Effect of the impurity concentration and crystalloэлектроника и полупроводниковая техника, под ред.

graphic surface orientation on the Si incorporation into the A С.В. Свечникова (Киев, Наук. думка, 1982) вып. 1, с. 39.

and B sublattices of GaAs during molecular-beam epitaxy has [12] К.С. Журавлев, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, Б.Р. Семягин, been investigated. Epitaxial layers have been grown on GaAs Т.С. Шамирзаев. Тез. докл. 8-й Всес. конф. по росту substrates of (100), 2(100), 4(100), 8(100) orientations at кристаллов (Харьков, 1992) т. 1, с. 218.

520C, and on the substrates of (111)A, 2(111)A, 5(111)A, [13] Nguen Hong Ky, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 6(111)A and 8(111)A orientations at 480C. Concentration of (1998).

Si has been varied from 1017 to 1019 sm-3. It is shown, using [14] E.W. Williams. Phys. Rew., 168, 922 (1968).

electrical and photoluminescence methods, that Si is incorporated [15] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов.

into the both sublattices of GaAs not only as simple donors and ФТП, 30, 1123 (1996).

acceptors (SiGa, SiAs), but also as more complicated defects — the [16] Y. Imura, D. Yui, M. Kawabe. Extended abstracts of the SiGa–SiAs, SiGa-VGa and SiAs-VAs complexes. Concentrations of 18th Int. Conf. on Solid State Deviсes and Materials (Tokyo, various forms of impuritiy in the layers depend on the doping level 1986) p. 623.

and crystallographic surface orientation. Amphoteric properties of [17] Л.Г. Лаврентьева, И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова. Изв.

Si seem to be more remarkable for the (111)A, than for the (100) вузов. Материалы электрон. техники, № 4, 35 (1998).

orientation. It is shown, that impurity defects formation occurs [18] А.Е. Куницын, В.В. Чалдышев, С.П. Вуль, В.В. Преобраduring the crystallization of the GaAs layer and is determined by женский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 33 (10), the surface structure.

(1999).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.