WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

структуре напыленной пленки следует вновь обратиться к рис. 1. Согласно общепринятым представлениям, перемагничивание ферромагнитного монокристалла путем Список литературы смещения доменных границ требует меньших затрат энергии, чем путем вращения вектора магнитного мо[1] T. Okuda, N. Koshizuka, H. Kobayashi, N. Kobayashi. J. Appl.

мента. В таком случае насыщение ЖФЭ-пленки должно Phys. 67, 4944 (1990).

достигаться в меньших полях, чем напыленной пленки, [2] Travendrarajah, M. Pardavi-Horvath, P.E. Wigen, M. Gomi.

IEEE Trans. Magn. 25, 4015 (1989).

не содержащей, по нашему предположению, магнитных [3] В.Ф. Шкарь, В.П. Денисенков, А.М. Гришин, А.А. Ялали, доменов. Однако данные эксперимента, представленные С.И. Харцев, Е.И. Николаев, В.Н. Саяпин. ФТТ 45, 12, на рис. 1, свидетельствуют об обратном. Полагаем, что (2003).

решающим фактором, определившим большую величи[4] N. Adachi, V.P. Denysenkov, S.I. Khartsev, A.M. Grishin.

ну Hs ЖФЭ-пленки, явилось наличие растягивающих J. Appl. Phys. 88, 5, 2734 (2000).

напряжений в этой пленке и обусловленной ими одно[5] В.Ф. Шкарь, Е.И. Николаев, В.Н. Саяпин, В.Д. Пойманов.

осной магнитной анизотропии в направлении нормали к ФТТ 46, 6, 1043 (2004).

поверхности пленки, имеющей ориентацию (111) (так [6] Е.И. Николаев, И.А. Красин. Кристаллография 33, 2, называемой индуцированной напряжениями анизотро(1988).

пии). Преодоление энергии этой анизотропии при на[7] Б.А. Беляев, С.Н. Кулинич, В.В. Тюрнев. Препринт ИФ магничивании пленки в ее плоскости должно приводить им. Киренского № 556Ф. Красноярск (1989).

к увеличению Hs. Поскольку указанные напряжения [8] Ферромагнитный резонанс / Под ред. С.В. Вонсовского.

Физ.-мат. лит., М. (1961).

возникают в результате различия в параметрах кристал[9] N. Adachi, T. Okuda, V.P. Denysenko, S.I. Khartsev, лографических решеток пленки ЖИГ (a0 = 1.2376 nm) A.M. Grishin. The 8th Intern. Conf. on Ferrites (ICF-8). Kyoto, и подложки ГГГ (a0 = 1.2382 nm), нивелирование этих Japan (2000).

различий должно привести к уменьшению поля насыщения пленки. С этой целью была выращена серия ЖФЭ-пленок ЖИГ с частичным замещением иона Fe3+ ионом Sc3+, имеющим больший ионный радиус. Результаты измерения величины Hs для пленок этой серии представлены на рис. 4; из них следует, что вследствие снижения напряжений за счет введения скандия поле насыщения пленки ЖИГ удается снизить до значений Hs = 2 Oe. Таким образом, можно считать, что низкая величина Hs напыленной пленки ЖИГ на рис. свидетельствует о практически полном отсутствии в ней напряжений, релаксация которых стала возможной благодаря фрагментарной структуре напыленной Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.