WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

отклонения от равновесия в условиях роста, остаточные примеси распределены в кристаллах неравномерно с тенденцией к образованию примесно-дефектных конгломератов с высокой концентрацией некоторых не являются центрами их зарождения. Небольшое (несипримесей (хлор) в областях размером порядка сотни стематическое) увеличение примесной интенсивности микрометров. Детальный механизм их образования пока наблюдалось вблизи межзеренных границ. Для внутрине ясен. С уверенностью можно сказать, что ни единичзеренного же объема, как правило, было характерно ные дислокации, ни двойниковые границы раздела не наличие в спектрах лишь интенсивной краевой полосы.

являются центрами их зарождения. Небольшое (несиОднако и эти области кристалла все же полностью стематическое) увеличение примесной интенсивности не свободны от дефектов. При сильном „увеличении“ наблюдалось вблизи межзеренных границ. Концентрация в этих областях (точки D, F, G, H на рис. 1) обнаруживапримесей в указанных областях, вероятно, приводит лись слабые полосы с максимумами 1.49, 1.47, 1.44, 1.к определенной очистке внутризеренного объема от и 1.36 эВ(в условиях эксперимента). Демонстрационная примесно-дефектных центров рекомбинации. Люминесподборка соответствующих спектров дана на рис. 6.

центные свойства кристаллов можно значительно улучУказанные полосы, очевидно, связаны с излучательными шить, подвергнув их продолжительному отжигу в папереходами на различные уровни семейства акцепторов рах кадмия. В следующей статье будет подробно расс энергией Ev + 0.15 эВ [1,16], которые, таким образом, смотрено влияние межзеренных границ и других скопи представляют слабый примесно-дефектный „фон“ в ис- лений протяженных дефектов на примесно-дефектный следованных кристаллах. ансамбль исследованных кристаллов.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Спектры микрофотолюминесценции теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях Авторы благодарны проф. А.А. Гиппиусу Microphotoluminescence spectra и проф. В.С. Багаеву за полезные замечания и интерес of cadmium telluride grown к работе.

by nonequilibrium methods Работа выполнена по проектам РФФИ № 01-02-V.V. Ushakov, Yu.V. Klevkov и № 00-02-17521 и программе „Ведущие научные школы P.N. Lebedev Physical Institute, РФ“, проект № 00-15-96568.

Russian Academy of Sciences, 119991 Moscow, Russia Список литературы

Abstract

Microphotoluminescence spectral analysis and imag[1] K. Zanio. Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Wiling were used to study the impurities and defects in cadmium lardson, A.C. Beer (N.Y.–San Francisco–London, Academic telluride crystals grown by nonequilibrium methods including Press, 1978) v. 13.

the low temperature synthesis and the compound refinemen [2] А.В. Квит. Ю. В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, in congruent sublimation, gasodynamic flow and high velocity А.В. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000).

of vapour condensation regimes at low temperature. Despite [3] Y. Klevkov, S. Medvedieff. Brevet (France) № 2782932.

the strongly nonequilibrium growth the studied polycrystalline [4] А.М. Гукасян, В.В. Ушаков, А.А. Гиппиус, А.В. Марков.

1-2 mm grain size material had a high intensity low temperature ФТП, 26, 525 (1992).

exciton luminescence that was relatively uniformly distributed over [5] T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev., 45, the ingot. At the same time, a tendency to forming background (1992).

impurity–defect conglomerates with high concentrations of some [6] T. Taguchi, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Jap. J. Appl. Phys., 12, impurities localized in crystal regions of the size about hundred (1973).

micrometers has been observed.

[7] B. Furgolle, M. Hoclet, M. Vandevyver, Y. Marfaing, R. Triboulet. Sol. St. Commun., 14, 1237 (1974).

[8] C.E. Barnes, K. Zanio. J. Appl. Phys., 46, 3959 (1975).

[9] C.B. Norris, C.E. Barnes. Rev. Phys. Appl., 12, 219 (1977).

[10] W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weiger, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz.

Phys. Rev. B, 51, 10 619 (1995).

[11] G. Brunthaler, W. Jantsch, U. Kaufmann, J. Schneider. J. Phys.

C, 1, 1925 (1989).

[12] D.M. Hofmann, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B, 45, 6247 (1992).

[13] J.E. Espinosa, J.M. Gracia, H. Navarro, A. Zehe, R. Triboulet.

J. Luminesc., 28, 163 (1983).

[14] J. Lee, N.C. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers. J. Appl. Phys., 78, 5669 (1995).

[15] D. Grecu, A.D. Compaan, U. Jayamaha, D.H. Rose. J. Appl.

Phys., 88, 2490 (2000).

[16] M. Samimi, B. Biglary, M. Hage-Ali, J.M. Koebl, P. Siffert.

Nucl. Instr. Meth., A283, 243 (1989).

[17] J. Lee, N.C. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers. Phys. Rev. B, 49, 1668 (1994).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.