WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

случае, когда d = 1.6 мкм, а отношение d1/d2 изeff = V (1 - ), где V — проводимость в объеме меняется. В качестве параметра d при этом выбираматериала, — доля объема, занятого цилиндрами лись истинные значения толщины пленки PbTe для пространственного заряда. Величина eff в электронном интервала 0.5 d1/d2 10 и PbS для интервала полупроводнике определяется эффективными концентра0.1 d1/d2 2. В области, где эти интервалы цией neff и подвижностью µeff носителей заряда. В умеперекрываются, были получены одинаковые значения ренно неоднородных полупроводниках neff n, где n — эффективной подвижности µd(d1/d2) как при использосредняя конценрация по объему [9]. Поэтому в общем вании d1, так и при использовании d2. Построенная виде эффективная подвижность будет равна [9,13] указанным способом зависимость показана на рис. 3, кривая 3. Значения µd вблизи d1/d2 = 0.1 и 10 — µeff = µV (1 - ). (5) меньше экспериментальных. Это объясняется тем, что Выражение для доли объема, занимаемого цилин- когда толщина одного из участвующих в гетерострукдрами пространственного заряда через их радиус R и туре слоев становится малой, то для него сильнее поверхностную плотность дислокаций Ns имеет вид [15] сказывается рассеяние на поверхности, которое при = R2Ns. Если предположить, что в результате выра- этом случае заведомо не учитывается. Однако в больщивания гетерострутуры PbTe / PbS образовалась сетка шом интервале значений d1/d2 наблюдается хорошее дислокаций несоответствия как в одном, так и в другом соответствие экспериментальных данных с расчетныматериале, и в дальнейшем с увеличением толщины ми. Лучшее же соответствие наблюдается в интервале обоих слоев плотность дислокаций остается постоянной, 0.5 d1/d2 2, являющемся наиболее важным для то для учета зависимости доли объема, занимаемого практических задач.

дислокациями, от толщины, необходимо найти явный вид Таким образом, проведено исследование эффективной функции = f (d). Отношение объема, занимаемого подвижности носителей заряда в одиночных пленках цилиндрами к общему объему имеет вид и в двухслойных гетероструктурах PbTe / PbS различной толщины и конфигурации в диапазоне температур NR2a =, 100300 K. Выполнено сравнение экспериментальных Sd данных с результатами расчетов, выполенных при представлении гетероструктур в виде образцов со слоистыгде N — число цилиндров, a — характерный размер образца, S — площадь образца, d — его толщина. Это ми неоднородностями. Установлено хорошее согласие выражение можно преобразовать к виду расчетов с экспериментом в предположении о том, что при общей толщине структуры d = d1 + d2 0.5мкм R(d1 = d2) наблюдается рассеяние на поверхности, а = Nl, d при d 0.7 мкм существенную роль играет рассеяние на дислокациях. Для образцов с разной конфигурацией где Nl — линейная плотность дислокаций. Полагая d1/d2 (d = 1.6мкм) показано, что рассеяние носителей Nl Ns, окончательно имеем заряда на гетерогранице обусловлено наличием дислокаций несоответствия вплоть до очень маленьких толщин r = Ns. (6) какого-либо из слоев PbTe и PbS.

d Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1068 О.А. Александрова, Р.Ц. Бондоков, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров Список литературы [1] С.С. Борисова, И.Ф. Михайлов, Л.С. Палатник, А.Ю. Сипатов, А.И. Федоренко, Л.П. Шпаковская. Кристаллография, 34, 716 (1989).

[2] С.Н. Давиденко, Ф.Ф. Сизов, В.В. Тетеркин. Укр. физ.

журн., 38, 938 (1993).

[3] Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. ФТП, 31, 1342 (1997).

[4] С.Л. Милославов, И.В. Саунин, Д.А. Яськов. Изв.

АН СССР. Неорг. матер., 19, 55 (1983).

[5] В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T -x-диаграммы состояния систем металл–халькоген (М., Наука, 1987).

[6] P.R. Vaya, J. Majhi, B.S.V. Gopalam, C.D. Dattarreyan. Phys.

St. Sol. (a), 87, 341 (1985).

[7] R.L. Ramey, W.D. McLennan. J. Appl. Phys., 38 3491 (1967).

[8] D.L. Dexter, F. Seitz. Phys. Rev., 86, 964 (1952).

[9] Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990).

[10] К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках (М., Мир, 1972).

[11] Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968).

[12] Ю.В. Кочетков, В.Н. Никифоров, О.Н. Васильева, А.М. Гаськов. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 35, 68 (1994).

[13] С.И. Пекар. ФТТ, 8, 1115 (1966).

[14] Ю.В. Корнюшин, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. ФТП, 15, (1981).

[15] Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974).

Редактор Т.А. Полянская Carrier mobility of binary-layer structures PbTe / PbS O.A. Alexandrova, R.Tz. Bondokov, I.V. Saunin, Yu. M. Tairov St.Petersburg State Electrotechnical University, 197376 St.Petersburg, Russia

Abstract

The p-PbTe / n-PbS epitaxial heterostructures were grown on BaF2 substrates by hot wall epitaxy. Thickness and temperature dependencies of the effective mobility measured by Hall effect were studied from 0.1 to 2 µm and over the range 100-300 K, respectively. It has been found that the mobility depends on sample thickness as well as on that of its components.

The effective mobility calculation has been made on the supposition that there is carrier scattening both on the surface and on dislocations that were generated by the interface.

Fax: (812) 234-31-64 (Saunin) E-mail: root@me.etu.spb.ru (Saunin) Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.