WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

In: Defects in Semiconductors 18, ed. by M. Suezawa and H. Katayama-Yoshida (Mater. Sci. Forum, 196–201, pt. 1, 1995) p. 231.

[6] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов.

в [13]. При этом величина m с ростом концентрации ФТП. 30, 1123 (1996).

электронов увеличивалась примерно от 0.4 до 0.9 и [7] G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, 1359 (1964).

соответствовала оценкам, сделанным на основании вы[8] E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968).

ражения (13). Однако, как указывалось выше, отличие [9] X.-Q. Fan, S.-G. Shen, D.-X. Zhang. Phys. Rev. B, 42, расчетных кривых, полученных без учета переориента(1990).

ции дисторсии в возбужденном состоянии, от экспери[10] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, ментальных кривых невелико (рис. 6, a). В связи с этим В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991).

существующая погрешность измерений, а также упро- [11] A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physikalische Chemie (будет опубликовано в 1997 г.).

щенность модели, предполагающей независимость m от [12] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, температуры и отсутствие термической эмиссии дырок, 1516 (1993).

образующихся при поглощении света неконтролируемы[13] К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович, В.Е. Родионов. ФТП, 11, ми акцепторами, не позволяют однозначно утверждать, 35 (1977).

что эта переориентация играет заметную роль в депо[14] П.П. Феофилов. Поляризованная люминесценция атоляризации излучения при T = 130 230 K. Поэтому мов, молекул, кристаллов (Гос. изд-во физ.-мат. лит-ры, согласие расчетов с экспериментальными данными, деМ., 1959).

монстрируемое на рис. 6, b и 7, означает лишь, что [15] Е.Е. Букке, Н.Н. Григорьев, М.В. Фок. Тр. ФИАН, 79, барьер для переориентации в возбуженном состоянии не (1974).

[16] K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. Stat. Sol (a), 44, может быть ниже 200 мэВ.

(1977).

[17] A.A. Gutkin, M.A. Reshchikiv, V.R. Sosnovskii. Semicond. Sci.

Technol., 9, 2247 (1994).

5. Заключение [18] И.А. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27, 748 (1985).

Проведенный анализ показывает, что поляризация по[19] В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович.

лосы ФЛ с максимумом около 1.18 эВ в n-GaAs : Te ФТП, 14, 1003 (1980).

при резонансном возбуждении поляризованным светом в широком интервале температур (2 230 K) хорошо Редактор В.В. Чалдышев описывается однодипольным приближением в рамках модели вызывающего эту ФЛ комплекса VGaTeAs, развитой в работах [5,6,11,12]. Уменьшение поляризации этой полосы, индуцированной возбуждением поляризованным светом, при температурах выше 120 K обусловлено, главным образом переносом возбуждения к комплексам с любыми возможными ориентациями исходной оси Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1070 А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов Investigation of the VGaTeAs complex in n-GaAs through polarized photolumeniscence study in the temperature range of 77–230 K A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov A.F. Ioffe Phys.-Technical Inst., 194021 St.-Petersburg, Russia

Abstract

In GaAs : Te with different electron concentrations, polarization of the 1.18 eV photoluminescence band caused by resonant excitation of the VGaTeAs complexes by polarized light has been studied in the temperature range of 77 230 K. Within the model of these defects suggested before, we have obtained in one-dipole approximation theoretical expressions for polarization of their emission, accounting for possible reorientation of the Jahn– Teller distortions of the complexes. It is shown that temperature dependence of polarization of the investigated band is described well by these expressions and parameters characterizing optical dipoles of the complexes are evaluated. A decrease in polarization at temperatures higher than 120 K results from transport of excitation to the complexes with any possible orientations of the initial complex axis and the Jahn–Teller distortion (due to thermal emission and back capture of holes bound to the excited complexes) and also may be partially related to reorientation of distortions during life of the excited state of the complex. The barrier height for such reorientation is not less than 200 meV.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.