WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Photoluminescence (PL) spectra of Si-doped (также расположенной при h < Eg) от температуGaAs (100) layers have been studied. It is show that along ры и мощности возбуждения ФЛ оказалась идентичной side with the B-band corresponding to the band-to-band radiative соответствующим зависимостям для B-полосы. В соотrecombination, another band, so-called Si-band, was observed near ветствии с этим мы предполагаем, что -полоса, как и h = 1.4 eV. In the case of the multi -doped layer structure, an additional PL band appears, which is labeled here as -band. The B-полоса, также может быть обусловлена межзонными PL-band dependences on the Si-dopant concentration NSi, on the оптическими переходами, но существенно модифицироPL excitation power P, and on the test temperature T have been ванными в многослойных -легированных структурах за studied. It is shown that the Si-band is caused by optical electron счет эффектов размерного квантования.

transitions between the conduction band and the deep acceptor Работа выполнялась при поддержке Министерства на- level ( 100 meV), the latter being associated with Si-atoms уки РФ (программа ”Физика твердотельных нанострук- in As-sites. It is found that the P- and T-dependences on the -band and B-band are identical. We assume that the presence тур”, проект 2-030/4).

of the -band in PL-spectra is caused by a modification of the band-to-band optical transition due to effects of size quantization Список литературы in -doped structures.

[1] M. Kondo, C. Akayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, T.Tanahashi. J. Appl. Phys., 76, 914 (1994).

[2] S.S. Bose, B. Lee, M.H. Stilman. J. Appl. Phys., 63, 743 (1988).

[3] W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. J. Appl. Phys.

Lett., 47, 826 (1985).

[4] A. Chin, P. Martin, P. Ho, J. Ballingall, Y. Yu, J. Mazurowski.

Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991).

[5] Y. Okano, H. Seto, H. Katakama, S. Sichine, I. Fujimoto, J. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 151 (1989).

[6] S. Subbana, H. Kroemer, J. Merz. J. Appl. Phys., 59, 488 (1986).

[7] F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci, Technol., 7, 1504 (1992).

[8] L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, (1995).

[9] I.C.M. Henning, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W. van de Vleuten, I.H. Wolter, A.M. Frens. Semicond. Sci.

Technol., 6, 1079 (1991).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.