WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

в верхней половине запрещенной зоны. Кроме того под В политипе 6H-SiC также наблюдались спектры двух действием облучения происходит образование глубоких типов. Центру со спином S = 1/2 соответствует слаакцепторных центров, на которые переходят электроны бо анизотропная одиночная линия с g-фактором, почти совпадающим с g-фактором примеси азота. Посколь- с более мелких донорных уровней. Это приводит к заглублению положения уровня Ферми и получению ку в исследованных образцах спектр атомов азота не полуизолирующих при комнатной температуре слоев исчезал и оставался достаточно интенсивным, на его n-4H-SiC. Такие слои могут быть использованы в техфоне терялись возможно присутствующие в спектре слабые линии сверхтонкой структуры, обусловленные нологии приборов, не предназначенных для работы при взаимодействием электронного спина с ядерными спи- высоких температурах — например, фотоприемников 29 нами изотопов Si и C. В связи с этим пока не или различных детекторов излучения.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1062 А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук Список литературы [1] В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, (2000).

[2] А.А. Лебедев, В.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП (в печати).

[3] J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993).

[4] N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel’chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61–62, 165 (1999).

[5] Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова, В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997).

[6] А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982).

[7] D.C. Look, J.P. Sizelove. J. Appl. Phys., 62, 3660 (1987).

[8] T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997).

[9] J.P. Doyle, M.O. Aboelfotoh, B.G. Svensson et al. Diamond and Rel. Mater., 6, 1388 (1977).

[10] W.C. Michel, A. Saxler, R. Perrin et al. Abstracts of International Conference on SiC and related Materials (Raleigh, NC, USA, Oct. 10–15, 1999) Abstact No 281.

[11] C. Pool. Electron Spin Resonance (J. Wiley & Sons, N.Y.–London, 1967). [Русск. пер.: Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии (М., Мир, 1970)].

[12] R.K. Nadela, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997).

[13] W. Puff, P. Mascher, A.G. Balogh, H. Baumann. Mater. Sci.

Forum, 258–263, 733 (1997).

[14] А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков.

ФТП, 15, 1557 (1981).

[15] Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975).

Редактор Т.А. Полянская Radiation defects in n-4H-SiC irradiated by 8 MeV protons A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, A.M. Strel’chuk Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.