WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ © А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 22 февраля 2000 г. Принята к печати 24 февраля 2000 г.) Емкостными методами и методом электронного парамагнитного резонанса проведено исследование глубоких центров, образующихся в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ. В качестве образцов были исследованы диоды Шоттки и p-n-структуры на слоях, изготовленных как методом сублимационной эпитаксии, так и коммерчески выпускаемых CREE Inc (США). Обнаружено, что тип вводимых облучением центров не зависит от технологии изготовления материала и от вида заряженных частиц. На основе данных по отжигу дефектов и данных электронного парамагнитного резонанса сделаны предположения о возможной структуре образовавшихся центров.

Введение электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) использовались подложки фирмы CREE толщиной около 0.5 мм Известно, что облучение протонами используется в с исходной концентрацией азота 2 · 1018 см-3.

полупроводниковой технологии для создания локальных Облучение протонами выполнялось на циклотроне полуизолирующих областей [1]. В нашей предыдущей МГЦ-20. Использовались протоны с энергией 8 МэВ в работе [2] сообщалось о получении полуизолирующих диапазоне доз облучения D = 1014-1016 см-2.

(при комнатной температуре) слоев наиболее распространенного политипа 6H-SiC [2–4] и исследовании параРезультаты эксперимента метров образующихся в этом материале радиационных дефектов (РД). Однако более перспективным для со1. Вольт-фарадные характеристики (C-U) здания полупроводниковых приборов политипом карбида кремния является 4H-SiC, имеющий большую ширину Измерение C-U характеристик производилось на запрещенной зоны и меньшую энергию ионизации основ- стандартной установке с параллельной схемой заменых донорных уровней. Поэтому в настоящей работе мы щения и синусоидальной частотой 10 кГц. Исследоваповторили представленные в работе [2] исследования ние облученных образцов показало уменьшение величидля 4H-SiC.

Таким образом, цель настоящей работы состоит в получение полуизолирующих слоев 4H-SiC протонным облучением и исследовании параметров РД, определяющих свойства этих слоев.

Образцы В качестве образцов использовались эпитаксиальные слои SiC, коммерчески выпускаемые фирмой CREE [3], а также слои, изготовленные нами методом сублимационной эпитаксии [4]. В последнем случае толщина n-слоя составляла около 5 мкм, толщина подложки — около 400 мкм. Диаметр барьеров Шоттки составлял 300-1200 мкм. Концентрация нескомпенсированных доноров в n-слое (Nd - Na) составляла (1-4) · 1016 см-3, в подложке —(3-5) · 1018 см-3. Таким образом, уровень легирования подложки не менее чем на 2 порядка превосходил уровень легирования базового слоя n-типа.

Поскольку скорость генерации РД в полупроводнике практически не зависит от уровня его легирования [5], Рис. 1. Зависимости величины Nd - Na при T = 300 K (1), мы предполагали, что сопротивление данных структур T = 650 K (2), их разности (3) и суммарной концентрации в прямом направлении (R) определяется концентрацией радиационных центров (RD1/2 + RD3 + RD4) (4) от дозы носителей заряда в n-слое. Для исследования РД методом облучения D.

Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ Облучение приводило также к росту величины R — сопротивления барьера Шоттки в прямом направлении.

С увеличением дозы облучения рост R приводил к невозможности емкостных измерений — измеряемая величина емкости переставала зависеть от приложенного напряжения [6]. С нагревом величина R уменьшалась по экспоненциальному закону с энергией активации A (рис. 2).

С увеличением дозы облучения величина -A увеличивалась, достигая значения 1.25 эВ при D = 2 · 1016 см(рис. 3). Подобный характер изменения сопротивления под действием облучения (”пининг” уровня Ферми) характерен и для других полупроводниковых материалов (см., например, GaAs [7] или 6H-SiC [2]).

2. DLTS-измерения При исследовании глубоких центров (ГЦ) в верхней половине запрещенной зоны было обнаружено 5 типов глубоких центров, большинство из которых обнаружено в n-4H-SiC, имплантированном ионами He+ [8], либо были близки по параметрам к структурным дефектам.

В таблице представлены энергии ионизации обнаруженРис. 2. Температурные зависимости прямого сопротивления ных центров (Ec - E0), сечения захвата электронов (n) диода Шоттки R при разных дозах облучения D, 1014 см-2:

и их концентрации после дозы облучения 2 · 1014 см-2.

1 —6, 2 — 10, 3 — 20, 4 — 50, 5 — 100, 6 — 200.

Один из обнаруженных центров с энергией Ec - 0.18 эВ полностью отжигался при температурах 500-650 K. Не было обнаружено заметной разницы в спектре ГЦ, образующихся в эпитаксиальных слоях CREE и выращенных сублимационной эпитаксией. На рис. 4 представлены зависимости Аррениуса для обнаруженных РД.

Полный отжиг обнаруженных РД наблюдался при температурах 1500 K.

3. Электронный парамагнитный резонанс радиационных дефектов, полученных протонным облучением Облучение объемных образцов (часть подложки CREE) проводилось в тех же условиях эксперимента (доза облучения 2 · 1016 см-2). Для измерений использовался ЭПР спектрометр E-112 фирмы Varian. Измерения проводились при температуре 77 K. При этой температуре до облучения наблюдался ЭПР примесных атомов азота, концентрация которых была настолько велика, что сигнал представлял собой одиночную уширенную линию без каких-либо признаков наличия сверхтонкой Рис. 3. Зависимость величины A от дозы облучения для диода структуры. Кроме того, при температуре 77 K наблюдаШоттки (рис. 2) на основе эпитаксиального слоя, полученного лась заметная проводимость образцов, что приводило к сублимационной эпитаксией.

уменьшению добротности и к искажению формы линии.

Она приобретала дайсоновскую форму с отношением крыльев производной около 3, что указывает на большую ны Nd - Na, измеряемой при комнатной температуре с глубину скин-слоя по сравнению с длиной свободного возрастанием дозы облучения, в то же время величина пробега относительно спиновой релаксации [11]. В реNd - Na заметно увеличивалась при нагреве структуры зультате облучения концентрация электронов уменьшидо 650 K (рис. 1). С увеличением дозы облучения лась приблизительно в 2.6 раза, линия сузилась и стала разность между высокотемпературным и низкотемпера- более симметричной (отношение крыльев производной турным значением Nd - Na возрастала. уменьшилось до 1.3). На фоне линии появились слабо 3 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1060 А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук Рис. 4. Зависимости Аррениуса для обнаруженных радиационных дефектов типа: 1 — P1/P2, 2 — Z1 после облучения, 3 — Z1 до облучения, 4 —RD1/2, 5 —RD3, 6 —RD4.

выраженные дополнительные пики, часть которых мож- жается к энергии ионизации наиболее глубокого центра.

но приписать появлению спектра от одиночных атомов Имеющиеся у нас экспериментальные данные не позвоазота, а часть — появлению новых спектров, связанных ляют сделать однозначного вывода о том, являются ли с РД. Кроме того, как и в облученном 6H-SiC, наблюда- данные центры донорами или акцепторами (подробнее лись спектры РД с большим тонким расщеплением [2], см. [21]). Однако независимо от природы РД максисамый сильный из которых состоял из 12 линий при мальная энергия активации сопротивления базы с ростом произвольной ориентации образца. Другие линии, не величины дозы D будет стремиться к энергии ионизации принадлежащие этому спектру, были гораздо слабее.

наиболее глубокого из них, т. е. к величине 1.5эВ.

Таким образом, разность величин Nd - Na, измеренных при 300 и 650 K, должна быть равна концентрации ценОбсуждение результатов тров RD1/2+RD3+RD4, определенной из DLTS-спектров.

Как видно из рис. 1, это равенство хорошо согласуется 1. Компенсация с экспериментом для доз 3 · 1014 см-2. При больших Как показали проведенные исследования, под дозах облучения C-U-измерения при комнатной темдействием протонного облучения в n-4H-SiC происходит пературе были невозможны из-за большой величины R.

образование нескольких глубоких центров в диапазоне С нагревом сопротивление облученных структур уменьэнергий 0.96-1.5 эВ. Как следует из параметров шается по экспоненциальному закону, что и наблюдалось центра RD1/2, постоянная времени его перезарядки ( ) ранее экспериментально [12].

составляет 5 · 103 с при T = 300 K. Таким образом, зарядовое состояние данного центра (и более глубоких) 2. Идентификация и возможная не изменится в процессе C-U-измерений при комнатной структура центров температуре. В то же время для ближайшего к этому Как видно из таблицы, наблюдается хорошее соотуровню центра Z1 составляет 36 · 10-3 с при 300 K.

ветствие между спектрами РД 4H-SiC, возникающими Следовательно, центр Z1 (и все более мелкие) при после протонного облучения и имплантации ионов He+.

C-U-измерениях при комнатной температуре можно считать полностью опустошенным. При больших дозах Также существует корреляция между температурами облучения проводимость образцов начинает опреде- отжигов Tann введенных центров. Таким образом, можно ляться термической ионизацией электронов с данных сделать вывод, что в SiC, как и в других полупроводницентров, и энергия активации сопротивления прибли- ковых материалах [7], различные типы радиационного Параметры обнаруженных глубоких центров Соответствие литературным данным Возможная структура дефектов Ec - E0, эВ n, см2 Ng, см-3 Tann, K Имплантация He+ [8] Структурные дефекты 0.18 6 · 10-15 2 · 1014 500-650 P1/P2 Первичные дефекты 0.63-0.70 5 · 10-15 5 · 1015 800 < Tann < 1500 Z1 Z1 [8,9], VC 0.96 5 · 10-15 6.3 · 1015 ” RD1/1.0 1 · 10-16 6.3 · 1015 ” RD3 Ec - 1.1эВ [10] VC + VSi 1.5 2 · 10-13 5 · 1015 ” RDФизика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ воздействия приводят к образованию одних и тех же ГЦ, удалось однозначно идентифицировать структуру этого но с различным соотношением концентраций. центра. Однако сравнение со спектром термодефектов Несмотря на совпадение параметров РД с параметра- позволяет предположить, что линию ЭПР спектра со ми некоторых собственных дефектов (Z1, Ec - 1.1эВ), спином S = 1/2 дает одиночная вакансия в подрешетке с нашей точки зрения, пока рано говорить о полной углерода с термической энергией активации 0.63-0.7эВ идентичности данных РД и собственных дефектов. Напо- (в работе [14] измеренная оптическая энергия активации мним, что полный отжиг РД наблюдается при температу- оказалась равной 0.65 эВ).

ре 1500 K, в то время как близкие к ним по параметрам Гораздо более точную идентификацию удалось прособственные дефекты существуют в эпитаксиальных словести для центра со спином S = 1. В произвольной ях n-4H-SiC, выращенных сублимацией при 2100 K.

ориентации спектр содержит 12 линий, как и в политиКак отмечалось в работе [13], где механизм формиропе 6H, и это значит, что центр, дающий такой спектр, вания и отжига РД в SiC изучался на основе эксперименобладает симметрией 2-го порядка, и ось симметрии тов с позитронным временем жизни, протонное облучележит в плоскости, содержащей ось c и одну из осей ние приводит к образованию углеродных и кремниевых 2-го порядка. Максимальное наблюдаемое значение тонвакансий, а также других первичных дефектов, которые кого расщепления D = 567 Э (508 · 10-4 см-1) и лежит рекомбинируют при отжиге до 400-600 K с образованипод углом 30 к оси c. Подобным спектром обладает ем термически стабильных комплексов. Таким образом, наблюдавшийся в работе [15] центр G2 в политипе 4H, на основе наших исследований DLTS-спектров до и после который интерпретирован как пара ближайших вакансий отжига можно предположить, что центр Ec - 0.18 эВ в подрешетках углерода и кремния. Похожим спектром связан с первичными РД.

обладает и наблюдавшийся в [14] в политипе 6H фотоПо данным ЭПР хорошо определяется структура РД, чувствительный термодефект P7 с энергией оптической но для того, чтобы связать структуру с электрическиактивации 1.17 эВ. Следует также отметить, что разми свойствами, необходимы дополнительные условия.

личным образом ориентированные дивакансии обладают В частности, это возможно, когда дефекты являются близкими энергиями активации. Отсюда следует, что фоточувствительными.

спектр центра с S = 1 можно с большой долей вероятноВ общем случае до настоящего времени не удается сти отождествить с одним из представленных в таблице однозначно связать структуру РД, возникающих в SiC РД центром, имеющим энергию активации 0.96-1эВ.

при радиационном воздействии, с их электрическими хаТаким образом, в облученном протонами n-4H-SiC рактеристиками. Для некоторых структурных дефектов, удалось сопоставить структуру и электрические свойвозникающих в SiC при закалке образцов, это удалось ства двух РД: вакансию углерода с энергией активасделать благодаря фоточувствительности их спектров ции 0.63-0.7 эВ и пару вакансий в подрешетках углерода ЭПР [14]. Изучение влияния света на амплитуду спеки кремния с энергией активации 0.96-1эВ.

тров ЭПР поглощения в исследованных нами образцах показало их нечувствительность к свету. В связи с этим для отождествления структуры и электрических свойств РД, как и в политипе 6H-SiC [2], мы сравЗаключение нивали параметры ЭПР спектров, полученных нами, с параметрами, полученными при изучении термодефектов Проделанная работа позволяет следать два вывода.

в закаленных образцах 6H-SiC [14], и радиационных 1. Наблюдается тождественность свойств и параметдефектов в образцах 4H-SiC, облученных нейтронами ров РД, образующихся в n-4H-SiC под действием облуи -частицами [15]. Как показано в этих работах, чения различными видами заряженных частиц.

дефекты в SiC обусловливают появление двух типов ЭПР 2. В отличие от 6H-SiC наблюдается не увеличение, спектров: со спином S = 1/2 и со спином S = 1.

а уменьшение суммарной концентрации нескомпенсироВ последних наблюдается тонкая структура. ЭПР паванных доноров в облученных протонами образцах. Это раметры центров в обоих политипах очень близки, что показывает, что под действием облучения происходит позволяет предполагать наличие такого же соответствия образование акцепторых центров в нижней половине ЭПР параметров и электрических характеристик, как и запрещенной зоны либо разрушение донорных центров в политипе 4H-SiC.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.