WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

накопление основных вторичных РД. Эти факты не N, см-3, см-являются тривиальными, так как означают отсутствие или необычайно слабое взаимодействие между отрица1017 5 · 10-тельно заряженной (в типичных условиях эксперимен1018 6 · 10-та) первичной радиационной вакансией и положитель1019 4 · 10-но заряженным КТД. Такое взаимодействие в случае 1020 3 · 10-химических доноров приводит к образованию E-центра Таким образом, термообработка (ТО) при 530Cпри- (комплекса ”вакансия–донор”). Одним из возможных водит к возникновению в запрещенной зоне Si по крайней объяснений отсутствия может быть предположение, что мере четырех новых уровней. Их количество и концен- основная часть КТД-530 сосредоточена в мелких, но трация изменяются с длительностью ТО. А именно, с ро- очень плотных скоплениях [3]. Тогда при условии стом времени ТО концентрация образовавшихся вначале R d L (R — средний размер скоплений, L — Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Электрические свойства кремния, термообработанного при 530C и облученного электронами среднее расстояние между скоплениями, d — длина щественного влияния на кинетику накопления основных свободного пробега вакансий), указанное явление может вторичных радиационных дефектов вакансионного типа.

быть обусловлено малой вероятностью встречи вакансий Авторы благодарят А.Н. Кабалдина за полезное обсу(V) и КТД по сравнению с вероятностью захвата V на ждение результатов работы.

другие стоки. Альтернативным объяснением может служить экранирование КТД в микроскоплениях, способное Список литературы существенно ослабить кулоновское взаимодействие КТД с V, подобно выше рассмотренному объяснению при [1] A. Bourett. Proc. 13th Int. Conf. on Defects in Semicond., интерпретации сечения захвата электронов на КТД-530.

ed. by L.C. Kimerling, J.M. Parsey, Jr. Warendale (1985);

Однако в данном случае о роли экранирования можно Warendale. Metallurg. Soc. AIME (1985) p. 129.

говорить лишь в качественном смысле, так как не учтен[2] P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A, A49, 123 (1989).

ным остается коррелированное распределение атомов Oi [3] В.М. Бабич, Н.П. Баран, Ю.П. Доценко, Л.Т. Зотов, В.Б. Ков микроскоплениях КТД и вокруг них. Микроскопления вальчук. ФТП, 26, 447 (1992).

КТД, по-видимому, всегда погружены в ”атмосферу” из [4] K. Schmalz, P. Gaworzewski. Phys. St. Sol. (a), 64, атомов Oi из-за того, что являются результатом преци- (1981).

[5] Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия питации Oi в исходных микрофлуктуациях концентрации глубоких центров в полупроводниках (М., Наука, 1991).

Oi — ”кислородных облаках” [11]. Эта атмосфера может [6] Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупрослужить дополнительным препятствием для проникновеводниках (М., Мир, 1985).

ния V в микроскопления КТД и, соответственно, для их [7] В.И. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. ФТП, 12, взаимодействия.

(1978).

[8] В.Б. Неймаш, Т.Р. Саган, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, В.Л. Шиндич, В.С. Штым. Укр. физ. журн., 37, 437 (1992).

Заключение [9] А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, А.В. Батунина, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин. Укр. физ.

Таким образом, полученные результаты позволяют журн., 38, 34 (1993).

сделать следующие выводы.

[10] В.Б. Неймаш, Т.Р. Саган, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, 1. Минимум эффективности генерации кислородсодерВ.Л. Шиндич. ФТП, 25, 1857 (1991).

жащих термодоноров при изменении температуры тер[11] А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, мообработки Tann наблюдается в области Tann 530C, В.С. Штым. Укр. физ. журн., 40, 218 (1995).

соответствующей переходу от доминирования дефекРедактор Т.А. Полянская тов типа КТД-1 (образующихся при Tann в интервале 350 500C) к доминированию дефектов КТД-Electrical properties of a heat treated and (Tann = 600 800C). Однако и при температуре irradiated silicon Tann = 530C происходит генерация КТД с начальной V.B. Neimash, V.M. Siratskii, A.N. Kraichinskii, скоростью около 2 · 109 см-3 · c-1.

E.A. Puzenko 2. При Tann = 530C в Si образуются по крайней мере Institute of Physics 4 донорных уровня дефектов КТД-530, концентрация of Ukrainian Academy of Sciences, и энергия ионизации которых зависят от длительности Kiev, Ukraine термообработки. При длительностях ТО от 5 до 300 ч энергия ионизации этих КТД изменяется в диапазоне

Abstract

The influence of heat treatment at 530C and electron от 0.05 до 0.018 эВ. Концентрация КТД-530 при ТО irradiation on electrical parameters of Silicon single crystals has в течение tann = 300 ч достигает 1015 см-3, однако не been investigated by DLTS and the Hall effect methods. The temявляется предельной.

perature 530C was determined as a minimum on the temperature 3. Сечение захвата электронов на КТД-530 на нескольdependence of the oxygen related thermal donor (OTD) generation ко порядков меньше, чем на химический донор (фосфор).

rate in the range 500-600C. Thermal defects created at 530C Дефекты КТД-530 в отличие от донора P не теряют do not influence the generation of main kinds of the secondary электрической активности под воздействием электронradiation defects under the electron irradiation. Three levels of ного облучения и не влияют на генерацию вторичных OTD-530 and their parameters were determined, their modification радиационных дефектов. Оба этих факта могут служить during heat treatment being showed. An abnormally small capture section of electrons on OTD-530 and lack of interaction свидетельством сильно неоднородного пространстенного between ODT and primary radiation defects were interpreted in распределения КТД-530 (существования микрофлуктуаterms of the screening of OTD interaction with mobile electrical ций концентрации КТД с локальной плотностью порядка charges as a result of heterogeneous distribution of OTD. Local 1017 1019 см-3), что приводит к значительному ослаconcentration of OTD in micro-inhomogeneities was estimated to блению взаимодействия КТД с подвижными зарядами be 1017-1019 cm-3.

вследствие экранирования.

Fax: 38-044-4. Электрически нейтральные формы второй фазы E-mail: neimash@elvisti.kiev.ua кислорода, образующиеся при 530C, не оказывают суФизика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.