WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами As-Sb © П.Н. Брунков¶, А.А. Гуткин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия (Получена 1 января 2004 г. Принята к печати 1 января 2005 г.) С помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования электронных ловушек в слоях низкотемпературного GaAs толщиной 40 нм, содержащих наноразмерные кластеры As-Sb. Проведение измерений при различных напряжениях смещения и небольших величинах заполняющего импульса позволило выявить две группы ловушек T 1 и T 2 с заметно различающимися скоростями термической эмиссии электронов. Показано, что плотность ловушек T 2 (энергия активации 0.56 ± 0.04 эВ, сечение захвата электронов 2 · 10-13-10-12 см2) составляет 2 · 1012 см-2, тогда как плотность ловушек T 1 (энергия активации 0.44 ± 0.02 эВ, сечение захвата электронов 2 · 10-14-10-13 см2) — на порядок ниже.

Предполагается, что в соответствии с существованием двух групп кластеров, наблюдавшихся в исследуемых слоях, ловушки T 2 связаны с кластерами с диаметром 4-7 нм, тогда как ловушки T 1 — с группой крупных кластеров с диаметром до 20 нм.

1. Введение 2. Исследования скоростей эмиссии электронов с глубоких ловушек Легирование арсенида галлия, выращенного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитакПри достаточно большом обратном смещении на сии, (LT-GaAs) может быть использовано для управбарьере Шоттки (Ub -3В) в случае, если в момент ления пространственным распределением кластеров в действия заполняющего импульса напряжение на нем этом материале [1–5]. Обычно получаемые при этом становится не ниже -1 В, в спектре НСГУ исследуе„двумерные“ слои кластеров содержат, кроме атомов мых образцов наблюдается два хорошо разрешаемых избыточного As, значительное количество атомов ле- пика, которые свидетельствуют о перезарядке двух разгирующего элемента (Si, In, Sb). Это обстоятельство личных глубоких центров (рис. 1, a). Однако при данных может влиять на свойства слоев и содержащихся в условиях измерения после выключения заполняющего импульса слой объемного заряда барьера Шоттки в силу них ловушек для электронов. Однако параметры этих накопления на этих центрах большого отрицательного ловушек практически не исследовались. В единственной заряда проникает в сильно легированную подложку, что посвященной этому вопросу работе [6], выполненной на искажает вид кривых релаксации емкости и спектра „двумерных“ слоях кластеров As–Sb в LT-GaAs, были НСГУ [7]. Поэтому для построения графиков Аррениуса, обнаружены ловушки с энергией активации термической характеризующих глубокие уровни, мы использовали эмиссии электронов около 0.5 эВ, плотность которых измерения спектров НСГУ при различных значениях достигала 2 · 1012 см-2.

Ub, сохраняя при этом амплитуду заполняющего имНастоящая работа продолжает исследования, начатые пульса Up небольшой и постоянной (1В). Как показав работе [6]. В ней проведено детальное изучение ли исследования изменений емкости структур, в этих термической эмиссии электронов с ловушек в тонком условиях выход области объемного заряда в подложку слое LT-GaAs методом нестационарной емкостной спекв процессе НСГУ отсутствовал, что обеспечивало нортроскопии глубоких уровней (НСГУ).

мальный вид временной релаксации емкости, соответИспользование различных величин обратного смеществующий смещениям границы слоя объемного заряда в ния исследуемой структуры с барьером Шоттки, ободнородно легированной области. При этом заполнялась ласть объемного заряда которой включала „двумерный“ и опустошалась только небольшая часть всей совокупнослой кластеров As-Sb, позволило выявить группы лости глубоких центров, энергетические уровни которых вушек с заметно различающимися скоростями терминаходились вблизи квазиуровня Ферми в „двумерном“ ческой эмиссии электронов и оценить их параметры.

слое кластеров, и в спектре НСГУ обычно наблюдался Результаты подтверждены и дополнены измерениями один пик, соответствующий почти моноэнергетическим вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) харакуровням (рис. 1, b, кривые 1 и 3). Изменение обратного теристик исследуемых структур.

смещения приводило к сдвигу пика в НСГУ спектре Образцы для исследования и установка для измерений (рис. 1, b), так как менялось положение квазиуровня были описаны в работе [6].

Ферми относительно спектра энергетических состояний ¶ E-mail: brunkov@mail.ioffe.ru в слое кластеров [6].

1050 П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, В.В. Преображенский...

Графики Аррениуса, построенные на основании спектров НСГУ при различных напряжениях смещения, представлены на рис. 2. Для Ub -3.1 В параметры глубоких центров, как и в работе [6], определялись из высокотемпературной части кривых, приведенных на рис. 2, поскольку низкотемпературная часть оказывалась искаженной из-за зависимости степени заполнения уровней от температуры [6].

Как видно из рис. 2, обнаруженные в исследуемых структурах ловушки для электронов могут быть разделены на две группы. Первую из этих групп, обозначаемую нами как T 1, составляют центры, проявляющиеся при небольших напряжениях обратного смещения (-1.8--2.7В). Энергия активации этих центров (ET1) составляет 0.44 ± 0.02 эВ, а сечения захвата электронов (T 1), вычисленные в предположении, что коэффициент, определяемый вырождением исследуемого уровня, равен 1, лежат в диапазоне 2 · 10-14-10-13 см2. При этом с увеличением обратного смещения скорость эмиссии электронов с зондируемой части этих центров в изРис. 2. Графики Аррениуса электронных ловушек, детектимеренном интервале температур (190-240 K) уменьшаруемых при различных напряжениях смещения на структуре ется. Поскольку увеличение обратного смещения привопри Up = 1В и Ub, В: 1 — (-2), 2 — (-2.3), 3 — (-2.5), дит к росту энергии активации зондируемой части глубо4 — (-2.7), 5 — (-3.1), 6 — (-5), 7 — (-8), 8 — (-13).

ких центров, такое уменьшение, по крайней мере частично, связано с этим ростом, который происходит в указанном выше интервале значений ET 1. Во вторую группу ловушек, обозначаемую нами как T 2, входят центры, обнаруживаемые при Ub -3.1В (рис. 2). Термическая эмиссия электронов с этих центров характеризуется следующими величинами параметров: ET2 = 0.56 ± 0.04 эВ, T 2 = 2 · 10-13-5 · 10-12 см2.

В промежуточной области обратных смещений (Ub --2.8---2.9В) пик в спектре НСГУ сильно уширялся (рис. 1, b, кривая 2), так как вклад в изменение емкости давала перезарядка обоих наблюдавшихся групп центров, пики от которых не разрешались в НСГУ спектре.

3. Исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик структуры Прежде всего отметим, что при достаточно больших прямых смещениях барьера Шоттки ток через структуру ограничивается сопротивлением высокоомного слоя LT-GaAs и линейно растет с увеличением прямого смещения (рис. 3, a). Зависимость проводимости структуры на этом участке вольт-амперной характеристики от обратной температуры (рис. 3, b) характеризуется энергией активации 0.42 эВ, которая практически совпадает с энергией активации термической эмиссии электронов с уровней T1. Такое совпадение показывает, что в слое LT-GaAs уровень Ферми определяется центрами T 1, сечение захвата электронов которых слабо меняется с Рис. 1. Спектры НСГУ исследуемых структур с окном темпов изменением температуры.

эмиссии en = 1.55 мс-1 при различных напряжениях смещеЗависимость высокочастотной (1МГц) емкости иссления. a — Ub = -4В, Up = 4В, b — 1 — Ub = -4В, Up = 1В;

2 — Ub = -2.8В, Up = 0.8В; 3 — Ub = -2.5В, Up = 1В. дуемых структур от обратного смещения, измеренная Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия... емкости с температурой на участках начального спада емкости и ее квазинезависимости связано с изменением встроенного контактного потенциала барьеров, а также с уменьшением вклада в емкость структуры высокочастотного обмена электронами между зоной проводимости GaAs и относительно неглубокими электронными состояниями, существующими как в LT-GaAs, так и в окружающем его низкоомном n-GaAs материале. Основные изменения вольт-фарадной характеристики образцов с уменьшением температуры состоят в уменьшении протяженности участка квазипостоянной емкости (рис. 4), что связано с уменьшением числа состояний, которые в процессе роста обратного смещения успевают отдавать захваченные электроны в зону проводимости GaAs.

Поскольку при Ub -2.7 В в спектрах НСГУ пики, соответствующие уровням T 2, не наблюдались (рис. 1, b и 2), в стационарном состоянии квазиуровень Ферми в слое LT-GaAs при этих напряжениях смещения лежит выше уровней центров T2. Поэтому участок квазипостоянства емкости, наблюдающийся при температуре 190 K (рис. 4), который заканчивается при Ub -2.7 В, определяется только испусканием электронов с ловушек группы T 1. Данные, представленные на рис. 2, показывают, что скорость термической эмиссии электронов с ловушек этой группы при T = 190 K не ниже 2 с-1, и, следовательно, практически все ловушки этой группы, захватившие электроны при Ub = 0, Рис. 3. Вольт-амперные характеристики структуры при разуспевают отдать их в зону проводимости в процессе личных: a — температурах T, K: 1 — 306, 2 — 291, 3 — 275, 4 — 261, 5 — 245, 6 — 230. b — температурная зависимость измерения вольт-фарадной характеристики. В то же проводимости структуры при напряжении смещения > 2В.

время экстраполяция кривых Аррениуса для самых быстрых из центров группы T2 (рис. 2) в область низких температур показывает, что при T = 190 K скорость эмиссии электронов для этих ловушек лежит в диапазоне 0.03-0.05 с-1. Это означает, что даже в случае, если квазиуровень Ферми близок к уровням центров группы T 2, эти центры при T = 190 K не успевают в полном объеме поддерживать квазипостоянство емкости при используемых в наших экспериментах темпах изменения напряжения смещения. С другой стороны, при T = 270 K все центры T2 обладают достаточно высокими скоростями эмиссии электронов, что и обеспечивает протяженность участка квазипостоянства емкости до Ub -18 В (рис. 4). Поскольку количество эмитируемого заряда равно произведению емкости на разность напряжений ( Ub), соответствующую протяженности этого участка, данные, представленные на рис. 4, позволяют оценить плотность электронов, Рис. 4. Вольт-фарадные характеристики структуры при раззахваченных ловушками T 1 и T 2 в равновесии при нуличных температурах, T (K): 1 — 190, 2 — 210, 3 — 230, левом напряжении смещения. Так как площадь образца 4 — 250, 5 — 270.

равна 1.1 · 10-3 см2, такая оценка дает nT 1 1011 см-( Ub 1В), а nT2 2 · 1012 см-2 ( Ub 18-3 = 15 В).

Поскольку уровень Ферми в слое LT-GaAs в исследопри различных температурах, представлена на рис. 4. ванных нами структурах, как показано в этом разделе, Как и в работе [6], напряжение смещения менялось лежит в области энергетических уровней ловушек T 1, от Ub = 0 ступенчато через 15 мВ, и время, в течение полная концентрация самих ловушек T 1 несколько выкоторого образец выдерживался при каждом значении ше, чем nT1, тогда как полная концентрация ловушек T смещения, составляло 2.5 с. Небольшое уменьшение равна nT 2.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1052 П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, В.В. Преображенский...

4. Заключение Electron traps in thin layers of the low temperature grown gallium arsenide Проведенные исследования показывают, что в тонких with As–Sb nanoclusters слоях LT-GaAs, содержащих кластеры As–Sb, существует две группы центров, которые обладают значитель- P.N. Brunkov, A.A. Gutkin, V.V. Chaldyshev, N.N. Bert, но различающимися скоростями термической эмиссии S.G. Konnikov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, электронов. Можно предположить, что это обстоятель- B.R. Semyagin ство обусловлено существованием в исследуемом маIoffe Physicotechnical Institute, териале двух групп кластеров As–Sb, различающихся Russian Academy of Sciences, по своим размерам, а именно кластеров с диамет194021 St. Petersburg, Russia ром 4-7 нм и особо крупных кластеров с диаметром Institute of Semiconductor Physics, до 22 нм [6]. Поскольку скорости эмиссии электронов Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, для центров T2 близки к соответствующим величинам 630090 Novosibirsk, Russia для центров Q2, связываемых нами ранее [7] с кластерами As диаметром 6-8 нм, в предположении, что

Abstract

Electronic traps in the 40 nm thick layers of the включение в состав кластеров значительного количеlow temperature GaAs, contained nanoscale clusters As–Sb, ства атомов Sb не сильно меняет параметры ловушек, were investigated by means of deep level transient spectroscopy.

обусловленных этими кластерами, можно считать, что The measurements, carried out with different bias voltages and ловушки T 2 вызваны кластерами с диаметром 4-7нм.

small values of filling pulse, revealed two groups of traps T Тогда ловушки T 1 можно связать с особо крупныand T 2 with notably differing rates of thermal emission of ми кластерами As–Sb. Однако точная идентификация electrons. It was found, that density of T 2 traps (activaприроды обнаруженных ловушек требует дальнейших tion energy 0.44 ± 0.02 eV, capture cross-section of electrons исследований.

2 · 10-14-10-13 cm2) is 2 · 1012 cm-2, whereas density of T Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант traps (activation energy 0.44 ± 0.02 eV, capture cross-section of № 03-02-16607).

electrons 2 · 10-14-10-13 cm2) is by one order lower. It is supposed, that according to existence of two groups of clusters, observed in investigated laeyrs, T 2 traps are related to 4–7nm Список литературы diameter clusters, whereas T 1 traps are related to group of large-scale clusters with diameter up to 20 nm.

[1] M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.K. Kirchner, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61, 177 (1992).

[2] T.M. Cheng, C.Y. Chang, J.H. Huang. J. Appl. Phys., 76, (1994).

[3] Н.Н. Берт, В.В. Чалдышев, Д.Н. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 123 (1995).

[4] N.N. Bert, B.B. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997).

[5] V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B, 88, 195 (2002).

[6] П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 39, 41 (2005).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.