WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

impedance components have been studied for single crystals of the Pb0.75Sn0.25Te(In) solid solution in the frequency range of 20-106 Hz at the temperatures 4.2-300 K. The impedance 5. Заключение spectra were analyzed in terms of the equivalent circuit model. The impedance spectrum is represented by a semicircle at the liquid Таким образом, можно сделать вывод, что увеличение helium temperature, but this may be related to the RC circuit емкостного вклада в проводимость обусловлено исключительно ростом концентрации свободных носителей за- that has been connected in parallel. The calculated parameters of this circuit corresponds to the permittivity values of about ряда. Поскольку генерация носителей заряда происходит с примесного уровня, в образце появляются дополни- at low temperatures. It is not incounceivable that the increase тельные заряженные примесные центры. Переменное in the charge carrier concentration induced by sample heating or электрическое поле возбуждает процесс перезарядки illumination at temperatures lower than T = Tc 25 K results in этих центров, что может приводить к возрастанию a significant rise in the capacitive contribution to the conductivity.

емкостного вклада в сопротивление образца. Аналогич- The experimental data are analyzed from the point of view of ные процессы наблюдались ранее в гетеропереходах a possible phase transition. It is shown that this concept gives Ge–Si [9]. Пока трудно предложить микроскопическую unsatisfactory explanation of the results obtained. The increase of модель, описывающую эти процессы. Однако можно the capacitive contribution to the conductivity is being discussed in полагать, что это достаточно быстрый процесс, харакthe context of the impurity subsystem charge exchange processes терные времена которого сравнимы с величиной. Не induced by an alternative electric field.

исключено, что это именно тот тип процессов, которые приводят к гашению задержанной фотопроводимости СВЧ импульсом.

Работа выполнена при частичной поддержке гранта РФФИ № 05-02-16657.

Список литературы [1] Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, (2002).

[2] Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Вестн.

МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, № 1, 59 (2005).

[3] Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Д.Р. Хохлов, С.Н. Чесноков.

Письма ЖТФ, 14, 731 (1988).

[4] B.A. Akimov, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 8, S(1993).

[5] А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела (СПб., Изд-во Санкт-Петербургского ун-та, 2000) т. 1.

[6] В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985).

[7] А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Прикл. физика, № 3, (2004).

[8] Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов. ФНТ, 30, 1209 (2004).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.