WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Существенно, что комплекс Er–O6 является акцептором в Si. Это утверждение справедливо только для такого комплекса, но не для кластера Er2O3, который скорее всего ответствен за оптические свойства Si : Er, O.

2 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1044 Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров Electron structure of Er–O6 complex in silicon N.P. Ilyin, V.F. Masterov St.Petersburg State Technical University, 195251 St.Petersburg, Russia

Abstract

The energy diagram of the Er–O6 complex in silicon is calculated. Amplitudes of wave functions of the complex on erbium atom are found. Results of calculations show Er–O6 complex to be an acceptor in silicon. Besides, the electron trap energy level might occur in the energy gap of silicon. By and large, the results of calculation correspond to the quantum dot model proposed previously.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.