WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

веденным на рис. 3. Полевые зависимости после отжига — образованием примесной зоны и возникающей представлены на рис. 6. Отчетливо виден переход к прыжковой проводимостью.

проводимости p-типа при высоких значениях магнитной Первая причина обусловлена свойством самого КРТ индукции. Обработка результатов измерений по модели и должна проявляться независимо от метода получения с двумя типами носителей (электронами и дырками) удоКРТ и обработки поверхности. Однако особенности зонвлетворительно описывает результаты измерений и дает ной структуры не должны давать разной концетрации значения концентрации и подвижности для электронов малоподвижных электронов в образцах с одинаковым n = 8.4 · 1013 см-3, µn = 125 000 см2/В · с и для дырок положением уровня Ферми. Другими словами, если маp = 1·1017 см-3, µp = 200 см2/В · с. Вклада электронов с лоподвижные (тяжелые) электроны есть следствие осонизкой подвижностью не обнаруживается. В этом экспебенностей зонной структуры КРТ, то их концентрация рименте исключена не только поверхность как причина должна однозначно коррелировать с концентрацией легпоявления тяжелых электронов, но и благодаря малости ких электронов (в отсутствие дырок, т. е. компенсации) концентрации электронов устранены другие причины и не должна зависеть от способа или режима приговозможного образования тяжелых электронов — хвосты товления КРТ. Результаты, приведенные в работе [2], плотности состояний [17] и тем более примесная зона однозначно свидетельствуют, что в объемном КРТ (крис прыжковой проводимостью, хотя при больших кон- сталлы КРТ) в отсутствие существенной компенсации центрациях донорной примеси эти причины устранить концентрация тяжелых электронов падает при увелинельзя. чении концентрации легких электронов, т. е. экспериФизика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1040 В.С. Варавин, А.Ф. Кравченко, Ю.Г. Сидоров ментальные результаты, полученные на объемных кри- Список литературы сталлах КРТ, не подтверждают определяющего влияния [1] В.А. Погребняк, И.М. Раренко, Д.Д. Халамейда, В.М. Якозонной структуры на появление тяжелых электронов.

венко. ФТП, 39, 319 (1998); Y.S. Gui, G.Z. Zheng, I.H. Chu, Более того, экспериментальные исследования спектра S.L. Guo, X.C. Zhang, D.Y. Tang. J. Appl. Phys., 82, оптического поглощения в КРТ при энергии фотонов, (1997); T. Thio, S.A. Solin. Appl. Phys. Lett., 72, 3497 (1998);

превышающей ширину запрещенной зоны, не показали J. Antoszewski, L. Faraone. Proc. SPIE, 2552, 146 (1995).

никаких особенностей, связанных со сложным законом [2] E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 53, 1052 (1982).

дисперсии [17].

[3] D.L. Leslie-Pelesky, D.G. Seiler, M.R. Loloee, G.L. Littler.

Если малоподвижные электроны не вызваны (по крайAppl. Phys. Lett., 51, 1916 (1987).

ней мере в основном) наличием свободной поверхности [4] J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 80, 3881 (1996).

КРТ, тогда следует рассматривать образование обла- [5] I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.A. Hoffman, D. Redfern, стей в объеме, в которых подвижность электронов по J. Antoszewski, L. Faraone, J.R. Lindemuth. J. Appl. Phys., 84, 4966 (1998).

каким-то причинам понижена. Границы включений впол[6] K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, не могут соответствовать таким областям. Плотность и A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, размер включений должны зависеть от метода пригоV.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 745 (1994).

товления КРТ (объемные кристаллы, ЖФЭ, МЛЭ), так [7] Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якукак в этих методах отличаются соотношения активностей шев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.О. Сусляков, В.Н. Овкомпонентов, температуры роста и скорости роста, присюк. Прикл. физика, № 5, 121 (2000).

веденные к температуре. Однако для КРТ, выращенного [8] V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, любым методом, характерно присутствие электронов с Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996).

низкой подвижностью и, следовательно, характеристикой [9] В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Э. Климов, В.Н. Шумматериала должно служить соотношение концентраций ский. Автометрия, № 4, 59 (1998).

подвижных и малоподвижных электронов в зависимости [10] L. He, J.R. Yang, S.L. Wang, S.P. Guo, M.F. Yu, X.Q. Chen, W.Z. Fang, Y.M. Qiao, Q.Y. Zhang, R.J. Ding, T.L. Xin. J. Cryst.

от концентрации подвижных электронов. Чем выше это Growth, 175/176, 766 (1997).

отношение при одной и той же концентрации подвижных [11] O.A. Shegai, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, электронов, тем меньше включений с областями малоA.M. Palkin, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev. Proc. 8th Int.

подвижных электронов вокруг них. Если, несмотря на Conf. on Narrow Gap Semicond. (Shanghai, China, 1997) разные условия приготовления КРТ, это соотношение изp. 52.

меняется только с изменением концентрации подвижных [12] Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982).

носителей, а при их равенстве одинаково для разных ме[13] H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981).

тодов выращивания, то это — фундаментальное свойство [14] Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Миматериала.

хайлов, И.В. Сабинина, А.П. Шотов, Ю.Г. Селиванов, А.В. Бабушкин, В.В. Копылов. Тез. докл. 2-го Росс.-Укр.

семинара ”Нанофизика и наноэлектроника” (Киев, Заключение 2000) с. 109.

[15] E. Weiss, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 138, 993 (1991).

Проведенные исследования свидетельствуют о суще[16] E. Weiss, N. Mainzer. J. Vac. Sci. Technol. A, 6, 2765 (1988).

ственном влиянии характера обработки поверхности [17] V.N. Brudnyu, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, пленок КРТ на результаты холловских измерений. Поэто429 (1995).

му для однозначной характеризации пленок КРТ n-типа с [18] V. Nathan. J. Appl. Phys., 83, 2812 (1998).

низкой концентрацией и высокой подвижностью электроРедактор Л.В. Шаронова нов проводимости необходимо формировать состояние поверхности с известными изгибом зон и плотностью Investigation of peculiarities поверхностного заряда и высокой однородностью плотof galvanomagnetic phenomena ности заряда по поверхности. Качество материала может быть охарактеризовано отношением концентрации лег- in n-CdxHg1-xTe layers grown ких электронов к концентрации тяжелых электронов — by molecular-beam epitaxy при постоянной концентрации легких электронов пленки V.S. Varavin, A.F. Kravchenko, Yu.G. Sidorov становятся более совершенными с увеличением этого отношения.

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Авторы приносят благодарность Программе «Физика 630090 Novosibirsk, Russia твердотельных наноструктур», частично поддержавшей данную работу по гранту № 2000-3Т.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.