WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

2) Эффект сенсибилизации излучения наиболее отчетливо наблюдается в вюрцитных кристаллах p-GaN Mg при легировании Eu и Zn. Интенсивность внутрицентровых f - f -переходов европия в области спектра = 5900-6230 увеличивается при дополнительном введении мелкой примеси Zn.

3) Энергетическое положение примесных уровней легирующих компонентов Eu, Eu + Zn определяется типом проводимости исходной полупроводниковой матрицы и концентрацией дефектов в ней.

4) Интенсивность внутрицентровых f - f -переходов, характерных для Eu3+, увеличивается с увеличением температуры от T = 77 до 300 K.

Работа выполнена при поддержке программы презиРис. 11. Зависимость интенсивности фотолюминесценции диума РАН „Низкоразмерные квантовые структуры“ кристаллов GaN Mg + Eu + Zn от интенсивности возбуждеи программы фундаментальных исследований СПб ния. T = 77 K.

НЦ РАН.

Список литературы случае реализуется достаточно эффективный перенос возбуждения на гигантское расстояние (около 1 см).

[1] В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, Исследовалась зависимость интенсивности излучеС.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003).

ния исследуемого кристалла при варьировании ин[2] Y. Hori, X. Biquard, E. Monroy, D. Jalabert, F. Enjalbert, тенсивности возбуждения W для оценки процессов Le Si Dang, M. Tanaka, O. Oda, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., генерации неравновесных носителей в кристаллах 84 (3), 206 (2004).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Eu... [3] G. Koley, H.Y. Cha, J. Hwang, W.J. Schaff, L.F. Fastman, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 86 (5), 052 101 (2005).

[4] S. Kim, S.J. Phee, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl.

Phys. Lett., 76 (17), 2403 (2004).

[5] Y. Peng, C.W. Lee, H.O. Everitt, D.C. Lee, A.J. Steckl, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 86, 051 110 (2005).

[6] М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974).

[7] В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004).

[8] R. Birkhahn, R. Hudgins, D. Lee, A.J. Steckl, R.J. Molnar, A. Saleh, J.M. Zavada. J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectron.

and Nanometer Structures, 17 (3), 1195 (1999).

[9] M. Hahko, T. Boeck, A.-K. Gerlitzu, F. Syrowatka, F. Heyroth, R. Koler. Appl. Phys. Lett., 86, 142 101 (2005).

[10] В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 46 (12), (2004).

[11] В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 47 (7), (2005).

[12] M.A. Reschnikov, H. Morcos. J. Appl. Phys., 97, 061 (2005).

Редактор Т.А. Полянская A sensitizing luminescence of wurtzite GaN crystals doped with Eu and with an additional impurity Zn V.V. Krivolapchuk, M.M. Mezdrogina, Yu.V. Kozhanova, S.N. Rodin Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Saint Petersburg’s State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia 2 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.