WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

4. Заключение В данной работе, основываясь на представлениях о различных механизмах прыжковой проводимости, мы попытались объяснить экспериментальные температурные зависимости проводимости крупно- и мелкозерниРис. 3. Температурная зависимость удельного сопротивле- стых поликристаллов p-CdTe. Вполне возможно, что ния неотожженного мелкозернистого поликристалла p-CdTe. наши представления упрощены. Обычно прыжковая проФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1032 Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, А.Ф. Плотников водимость наблюдается при достаточно низких темпе- The carrier transport in coarse-grain ратурах, в наших экспериментах она обнаруживается and fine-grain polycrystalline CdTe почти при комнатных температурах. Это некое противоY.V. Klevkov, S.A. Kolosov, A.F. Plotnikov речие с имеющимися литературными данными. Однако объяснить температурные зависимости проводимости с Lebedev Physical Institute, энергией активации, зависящей от температуры, наRussian Academy of Sciences, блюдаемые в аморфных Si и Ge, p-CdTE и даже в 119991 Moscow, Russia таких экзотических материалах, как MoSe2 (молибден– диселенид), кроме как прыжковой проводимостью, пока

Abstract

The effect of annealing in a saturated vapor of Cd at что никто не смог.

various temperatures on the carrier transport in fine and coarsegrain polycrystalline CdTe has been investigated. It has been Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты shown that before annealing carrier transport both in fine-grain № 05-02-16676, 04-02-17078).

and coarse-grain polycrystals is determined basically by hopping conductivity. The result of annealing is desappearance of hopping Список литературы conductivity and formation of only one complex defect in coarsegrain polycrystals. We suppose that this defect has no relation [1] С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП, 38, to the grain boundary existence. In fine-grain polycrystals the 473 (12004).

annealing results in the formation of complex extended defects.

[2] С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП, 38, These defects are caused by a segregation of impurities or by 305 (12004).

native defects at grain boundaries.

[3] M. Fiederle, C. Eiche, M. Salk, R. Schwarz, K.W. Benz.

J. Appl. Phys., 84, 6689 (1998).

[4] Su-Huai Wel, S.B. Zhang. Phys. Status Solidi (b), 229, (2002).

[5] Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982).

[6] Н.В. Агринская, О.А. Матвеев. ФТП, 11, 116 (1977).

[7] Б.И. Шкловский. ФТП, 7, 112 (1973).

[8] A.P. Didkovskii, V.I. Khivrich. Phys. Status Solidi (a), 32, (1975).

[9] N. Krsmanovic, K.G. Lynn, M.H. Weber, R. Tjossem, Th. Gessmann, Cs. Szeles, E.E. Eissler, J.P. Flint, H.L. Glass.

Phys. Rev. B, 62, 16 279 (2000).

[10] P. Rudolph, A. Engel, I. Schenteke, A. Grochocki. J. Cryst.

Growth, 147, 297 (1995).

[11] К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).

[12] I. Shen, D.K. Aidun, L. Regel, W.R. Wilcox. J. Cryst. Growth, 132, 250 (1993).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.