WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 ||

R.D. Dupuis. Appl. Phys. Lett., 77, 1900 (2000). Phys. Lett., 73, 2251 (1998).

[225] C.J. Collins, U. Chowdhury, M.M. Wong, B. Yang, A.L. Beck, [253] I.K. Sou, Z.H. Ma, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 75, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 80, 3754 (1999).

(2002). [254] I.K. Sou, Z.H. Ma, Z.Q. Zhang, G.K.L. Wong. Appl. Phys.

[226] V.V. Kuryatkov, H. Temkin, J.C. Campbell, R.D. Dupuis. Lett., 76, 1098 (2000).

Appl. Phys. Lett., 78, 3340 (2001). [255] A. Zeuner, H. Alves, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, M. Heu[227] H. Morkoc, A. Di Carlo, R. Cingolani. Sol. St. Electron., 46, ken, J. Blsing, A. Krost. Appl. Phys. Lett., 80, 2078 (2002).

157 (2002). [256] H. Fabricius, T. Skettrup, P. Bisgaard. Appl. Optics, 25, [228] Technical perort. III-VReview, 15 (7), 14 (2002). (1986).

[229] Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мо- [257] Y. Liu, C.R. Gorla, S. Liang, N. Ewanetoglu, Y. Lu, H. Chen, хов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 26, 1008 (1992). M. Wraback. J. Electron. Mater., 29, 69 (2000).

[230] SiC UV Detectors, Laser Components Catalog (Boston [258] W. Yang, R.D. Vispute, S. Choopun, R.P. Sharma, T. VenElectronics Corp., 1996). katesan, H. Shen. Appl. Phys. Lett., 78, 2787 (2001).

[231] M.M. Anikin, A.N. Andreev, S.N. Pyatko, N.S. Savkina, [259] P. Sharma, A. Mansingh, K. Sreenivas. Appl. Phys. Lett., 80, A.M. Strelchuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Sensors Ac- 553 (2002).

tuators, A33, 91 (1992). [260] K. Keis, E. Magnusson, H. Lindstom, S.-E. Lindquist, [232] C. Frojdn, G. Thungstrom, H.E. Nilsson, C.S. Petersson. Phys. A. Hagfeldt. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 73 (1), Scr., 54, 169 (1994). (2002).

[233] V.I. Sankin, Chelibanov. Phys. St. Sol., 185 (1), 153 (2001). [261] Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, [234] А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. W. Fuhs, A. Froitzheim. ФТП, 36, 1128 (2002).

ФТП, 34, 245 (2000). [262] M.D. Whitfield, S.S.M. Chan, R.B. Jackman. Appl. Phys.

[235] G. Violina, A. Andreev, E. Violin. Second Europ. Conf. on Lett., 68, 290 (1996).

High Temperature Electronics — HITEC (1996) p. 195. [263] F. Foulon, P. Bergonzo, C. Borel, R.D. Marshall, C. Jany, [236] D.M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, G. Michon, E. Shu. L. Besombes, A. Brambilla, D. Riedel, L. Museur, M.C. CasSecond Europ. Conf. on High Temperature Electronics — tex, A. Gicquel. J. Appl. Phys., 84, 5331 (1998).

HITEC (1996) p. 23. [264] G. Popovici, A. Melnikov, V.V. Varichenko, T. Sung, [237] D.M. Brown, E.T. Downey, M. Chezzo, J.W. Kretchmer, M.A. Prelas, R.G. Wilson, S.K. Loyalka. J. Appl. Phys., 81, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, 2429 (1997).

W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 325 (1993). [265] Satoshi Koizumi, Kenji Watanabe, Masataka Hasegawa, [238] J. Edmond, H. Kong, A. Suvorov, D. Waltz, C. Carter. Phys. Hisao Kanda. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 307 (2002).

St. Sol. (a), 162, 481 (1997). [266] R.D. McKeag, S.S.M. Chan, R.B. Jackman. Appl. Phys. Lett., [239] J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physics B, 185, 453 67, 2117 (1995).

(1997). [267] S. Salvatori, A. Della Scala, M.C. Rossi, G. Conte. Diamond [240] Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Коссов, Relat. Mater., 11 (3-6), 458 (2002).

Р.Р. Яфаев, А. Халлен, А.О. Константинов. ФТП, 36, 746 [268] L. Thaiyotin, E. Ratanaudompisut, T. Phetchakul, S. Cheir(2002). sirikul, S. Supadech. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), [241] Д.М. Аксененко, М.Л. Бараночников. Справочник по (2002).

оптическим детекторам излучения (М., Радио и связь, [269] S.P. Lansley, O. Gaudin, Haitao Ye, N. Rizvi, M.D. Whitfield, 1987). R.D. McKeag, R.B. Jackman. Diamond Relat. Mater., [242] С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, 11 (3-6), 433 (2002).

Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35, 626 (2001). [270] T.V. Semikina, A.N. Shmyryeva. Diamond Relat. Mater., [243] A. Gerhard, J. Nurnberg, K. Schull, V. Hock, G. Schumaher, 11 (7), 1329 (2002).

M. Ehinger, W. Faschinger. J. Cryst. Growth, 184/185, 1319 [271] S. Noguchi, H. Kuriyama, T. Matsuyama, H. Tarui. Sanyo (1998). Techn. Rev., 23, 70 (1991).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра... [272] P. Mandracci, M.L. Rastello, P. Rava, F. Guiliani, F. Giorgis.

Thin Sol. Films, 337, 232 (1999).

[273] Ж. Атаев, В.А. Васильев, А.С. Волков, М.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, И.В. Шведков. ФТП, 25, 1350 (1991).

[274] Marko Topi, Helmut Stiebig, Mathias Krause, Heribert Wagner. Appl. Phys. Lett., 78, 2387 (2001).

[275] G. de Cesare, F. Irrera, F. Palma, M. Tucci, E. Jannitti, G. Naletto, P. Nicolosi. Appl. Phys. Lett., 67, 335 (1995).

[276] В.В. Соболев, А.И. Колугин. ФТП, 36, 155 (2002).

[277] Alan Mills. III-VReview, 15 (2), 36 (2002).

[278] B. Chu, D. Fan, W.L. Li, Z.R. Hong, R.G. Li. Appl. Phys.

Lett., 81, 10 (2002).

[279] Peigen Ni, Bingying Cheng, Daozhong Zhang. Appl. Phys.

Lett., 80, 1879 (2002).

[280] Hidenori Hiramatsu, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Orita, Masahiro Hirano, Hideo Hosono. Appl. Phys.

Lett., 81, 598 (2002).

[281] Samson A. Jenekhe, Shujian Yi. Appl. Phys. Lett., 77, (2000).

Редактор Л.В. Шаронова Ultraviolet semiconductor photoelectroconvertors T.V. Blank, Yu.A. Goldberg Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Abstract In recent years, the ultraviolet photoelectronics has been formed in accordance with requirements of medicine, biology, military technologies and the ozone hole“ problem.

” Peculiar to it is detection of very weak signals, of which the influence on human life is very serions, against a background of powerful visible and infrared radiation. The base of the UV photoelectronics are semiconductor photoelectroconventors: Si p-n structures, GaP Schottky barriers, GaN and AlGaN Schottky barriers and p-n structures (solar–blind devices), SiC structures with potential barriers (high–temperature devices), ZnO and ZnS photoconductive cells and Schottky diodes.

Parameters of original wide-bandgap semiconductors, principals of ohmic contacts, device characteristics, and probable further research directions are being discussed in this review.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 ||





© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.