WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 || 7 | 8 |   ...   | 9 |

Свойства фотоэлектропреобразователей (в частности, m-s-m-структур) существенно зависят от структурных свойств исходного материала и, следовательно, от величины рассогласования постоянных решетки подложки и слоя a/a. Обычно GaN выращивается на сапфире ( a/a = 16%) или SiC ( a/a = 3.2%), кроме того перспективной может быть подложка из LiGaO( a/a = 0.19%) [197]. В работе [198] отмечалось, что облучение нейтронами (доза 1 · 1013 см-2) готовых структур Au-GaN приводит к уменьшению количества вакансий и улучшению характеристик приборов.

Рис. 12. Спектр фоточувствительности GaN-фотоэлектропреВ качестве полупроницаемого для света металла образователя с m-s-m-структурой при напряжении смещев GaN-диодах Шоттки вместо Au можно использония 5 В (a) и зависимость фототока от плотности потока вать ITO, что, как и в случае GaP, приводит к росту излучения для различных длин волн (b) [194]. T = 300 K.

квантовой эффективности (от 27 до 40%) [199].

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1046 Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг Фотодиоды Шоттки на основе n-GaN (n = 3 · 1016 см-3), пассивированные слоем SiO2, имели постоянную времени 15 нс, определяемую RC-цепью, и спектральную плотность шума 5 · 10-23 А2/Гц при частоте 10 Гц, причем наблюдалось внутреннее усиление при прямом смещении [200]. Усиление связано с тем, что поверхностные состояния на m-s-границе могут захватывать фотодырки, уменьшая высоту потенциального барьера qB (например, в структурах Ti/Pt-GaN при освещении величина qB уменьшалась от 1.08 до 0.75 эВ) [201].

Темновые токи меза-диодов Шоттки на основе Pd-n-GaN (n = 5 · 1017 см-3) были очень низкими (Id = 2.1 · 10-8 А/см2 при -2В), а шум при 1 Гц составлял 9 · 10-29 А2/Гц и имел характер шума 1/ f [202].

В работе [203] на подложках n+-GaN (n+ =1018 см-3) Рис. 13. Спектры фоточувствительности Alx Ga1-x N-фотопутем выращивания n--слоя (n- =1016 см-3) и p-слоя электропреобразователей с барьером Шоттки при различном (p = 1018 см-3) создавались p-n-структуры на основе содержании AlN в твердом растворе [220]. T = 300 K.

GaN, которые имели SI = 0.11 А/Вт в максимуме ( = 0.36 мкм) и = 8.2мкс. В работе [204] p--nструктуры, в которых компенсированный p-GaN был расположен между сильно легированными p- и n-слоем, x = 0.36) [208] или от 0.285 до 0.35 (при x = 0.35) [215] имели SI = 0.1А/Вт при = 0.363 мкм, Id = 2.7мкА токовая чувствительность SI уменьшается на 4 порядка при V = -3В, NEP = 6.6 · 10-15 Вт · Гц-1/2, а постоянвеличины. В УФ области величина SI почти ная времени определялась RC-цепью.

постоянна [216] и составляет: 0.025-0.03 А/Вт В работах [205,206] были созданы лавинные (при x = 0.22) [217]; 0.05 А/Вт при 0 В и 0.11 А/Вт p+-i-n+-фотодиоды на основе GaN с коэффициентом при V = -5В ( = 0.232 мкм) [216]; 0.05 А/Вт умножения более 25 и эффективностью 13%. Токи утеч- ( = 0.257 мкм) [214]; 0.033 А/Вт ( = 0.275 мкм) [218].

ки лавинных диодов были менее 20 нА при V = 0.9VBR, Теоретический анализ [219,220] показал, что велитемпературный коэффициент напряжения пробоя VBR чина SI в структурах Alx Ga1-xN-GaN возрастает с составлял +0.2В/K.

уменьшением толщины слоя твердого раствора в инФоторезисторы на основе GaN имеют резкий длин- тервале 4-1мкм (из-за уменьшения последовательного новолновый край и очень высокую токовую чувстви- сопротивления), с ростом концентрации электронов в тельность. При 5-15 В достигнута чувствительность нем от 1 · 1015 до 1 · 1016 см-3 и с уменьшением содерSI = 2000 А/Вт (согласно [207]) и даже SI = 3200 А/Вт жания AlN (x).

(согласно [208]); при = 0.254 мкм SI = 125 А/Вт при Удельная обнаружительная способность D фотоV = 25 В (согласно [209]) и SI = 30 А/Вт при V = 14 В детекторов на основе AlGaN-диодов Шоттки обычно (согласно [210]). Высокие значения SI обусловлены составляет 1.2 · 109-2.3 · 1010 Гц1/2 · Вт-1 · см, а постомодуляцией сопротивления толщи GaN вследствие фо- янная времени ограничивается RC-цепью (14 нс при тоэффекта в слое объемного заряда, присутствующего x = 0.22). Основным шумом Al0.4Ga0.6N-диодов Шоттки на поверхности GaN, и изменений его ширины при при прямом смещении был шум типа 1/ f и генерацигенерации носителей [211,212].

онно-рекомбинационный шум. Спектральная плотность Твердые растворы GaN-AlN используются для изго- шума [221] возрастала при низких токах (I) как I1.5, а товления солнечно-слепых (solar-blind) фотоприемников, при высоких как I2-2.5.

т. е. приемников, не чувствительных ко всему солнечно- Близкие параметры имели и фотоприемники на осному излучению, доходящему до Земли ( <0.3мкм), а ве p-i-n-структур [222]: величина токовой чувствитакже приемников, не чувствительных к видимому и ИК тельности SI = 0.12 А/Вт при = 0.364 мкм и уменьизлучению ( <0.38 мкм) (blind to the optical light) [213], шалась на 3 порядка при >0.39 мкм. В рабокоторые используются для регистрации УФ излучения те [215] были изготовлены p-i-n-фотодиоды с освеСолнца в космосе и на Земле. щением как со стороны верхнего слоя (SI = 0.08 А/Вт С ростом содержания AlN в твердом растворе при = 0.285 мкм), так и со стороны подложки Alx Ga1-xN длинноволновый край фоточувствительности (SI = 0.033 А/Вт при = 0.275 мкм). Для p-i-n-фотосдвигается в сторону более коротких волн [214–220] приемников D = 4.85 · 1013 Гц1/2 · Вт-1 · см (соглас(рис. 13). Он соответствует = 0.365 мкм (x = 0), но [223]), = 0.35 при = 0.28 мкм (согласно [224]).

= 0.32 мкм (x = 0.35), = 0.23 мкм (x = 0.75), В работе [225] p-i-n-структуры с Al0.6Ga0.4N-окном = 0.2мкм (x = 1) [208,214]. Обычно этот край очень имели = 0.46 и D = 2 · 1014 Гц1/2 · Вт-1 · см. Очень резкий: с ростом длины волны от 0.3 до 0.36 мкм (при низкие обратные токи (1 · 10-10 А при -5В) и высоФизика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра... кие D (2.4 · 1014 Гц1/2 · Вт-1 · см) были получены на гетероструктурах p-Al0.13Ga0.87N-n-GaN; основным шумом при f < 1кГц и V < 10 В был шум типа 1/ f, а при f > 1 кГц — тепловой и дробовой шум [226]. Более подробные сведения о солнечно-слепых фотоприемниках на основе p-n-структур из GaN и AlGaN приведены в работе [227].

6.4. Фотоприемники на основе SiC Карбид кремния имеет множество политипов, причем наиболее актуальными для УФ фотометрии являются 6H-SiC и 4H-SiC с Eg = 3.0 и 3.23 эВ соответственно.

Важными достоинствами SiC являются высокая насыщенная скорость электронов, отсутствие деградации при мощном длительном УФ излучении и нечувствительРис. 14. Спектр фоточувствительности фотоэлектропреобраность SiC-фотодиодов к видимому и ИК излучению.

зователя с барьером Шоттки Cr-4H-SiC [90]. T = 300 K.

SiC-приборы способны работать при высоких температурах (высокотемпературная электроника) и при высоких напряжениях и токах [228].

Фотоприемники с барьером Шоттки Cr-n-SiC [229], с n+ = 5 · 1018-1 · 1019 см-3, имели = 0.7-0.так же как и коммерческие фотоприемники (SI = 0.15-0.175 А/Вт при = 0.27 мкм) [237].

типа JECO [230], имеют спектральную область Плотность темнового тока в p-n-структурах на основе фоточувствительности 0.2-0.4 мкм с максимумом 6H-SiC была 10-11 А/см2 (при -1 В и 473 K), и эти диопри 0.275 мкм, SI = 0.15 А/Вт, Id < 10-12 А/см2 и ды успешно работали как УФ фотоприемники [238,239] NEP = 10-13-10-14 Вт · Гц-1/2 при = 0.25 мкм. Эти до 623 K.

приборы могут работать при высоких напряжениях Фотоприемники на основе n-4H-SiC с n = и температурах. Так, фотодиоды Au-n-6H-SiC =(3-5) · 1015 см-3 с мелким (0.6 мкм) p+-n-переходом, (n = 5 · 1016-1017 см-3) могли работать вплоть сформированным ионным легированием [240], сочетают до 573 K; напряжение пробоя VBR = 100-170 В при в себе достоинства p-n-переходов и диодов Шоттки:

300 K (обратный ток при V < VBR не превышал 10-10 А), при энергиях фотонов 3.5-4.25 эВ эффективность SI = 0.15 А/Вт ( = 0.8) [231] при = 0.215 мкм.

собирания неосновных носителей заряда была близка Сравнение фотодиодов Шоттки на основе 6H-SiC n- и к 100%, а обратные токи при T = 500C и V = -10 В p-типа проводимости [232] показало, что в последних были менее 10-7 А.

можно достичь большей фоточувствительности из-за большей контактной разности потенциалов и из-за того, 6.5. Фотоприемники на основе что диффузионная длина для электронов больше, чем полупроводников типа AIIBVI для дырок.

Край фоточувствительности фотодиодов находился Первым материалом типа AIIBVI для фотоприемников при 0.435 и 0.410 мкм в случаях барьеров Шоттки был CdS (Eg = 2.43 эВ); спектральная область фотои p-n-структур на основе 6H-SiC и 4H-SiC соответ- резисторов на его основе близка к области фоточувственно. Такие структуры использовались для регист- ствительности человеческого глаза [241]. Диоды Шоттки рации озона [233], в качестве детекторов ядерных час- на основе Cu0.18S-CdS использовались в УФ области тиц [234,235] и детекторов пламени газовых турбин и спектра [242], хотя они чувствительны и к видимому ракет [236]. свету. По мере продвижения в УФ область начинают Особенности зонной структуры 4H-SiC дают уникаль- использоваться все более широкозонные материалы, ную возможность создать полосовой фотоприемник со в частности ZnSe (Eg = 2.7эВ), ZnS (Eg = 3.6эВ) и спектром, близким к спектру бактерицидного излуче- твердые растворы на их основе [243–247]. ZnSe легко ния: спектральная область 0.24-0.3 мкм с максимумом выращивается на GaAs-подложке и используется для при 0.252 эВ ( = 0.3) [90] (рис. 14). синей и УФ областей спектра, в основном для регистраФотоприемники с p-n-переходами на основе SiC ции лазерного излучения. Фотоприемники на основе имели параметры, близкие к параметрам диодов Шоттки. ZnS-барьеров Шоттки [247] имели очень резкий край Так, p-n-структуры [229], полученные диффузией Al фоточувствительности, SI = 0.1А/Вт (при V = -3.5В), или B в n-SiC (n = 1018 см-3), имели спектральную D = 1.4 · 1012 Гц1/2 · Вт-1 · см.

область фоточувствительности 0.2-0.4мкм с Фотоприемники с барьерами Шоттки на основе SI = 0.15 А/Вт. Меза-структуры, включающие p-6H-SiC ZnMgBeSe имели SI = 0.17 А/Вт (при = 0.375 мкм) (подложка), p-SiC с p =(5-8) · 1017 см-3 и n+-SiC и D = 2 · 1012 Гц1/2 · Вт-1 · см, при этом в области Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1048 Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг 0.315-0.38 мкм = 0.5, а постоянная времени (1.5 мкс) определялась RC-цепью структуры [248]. Для p-i-nструктур [249] величина SI составила 0.22 А/Вт при = 0.42 мкм, она была максимальной при = 0.45 мкм и уменьшалась на 3 порядка при = 0.515 мкм, на 4 порядка при = 0.65 мкм [250].

Лавинные p+-n-фотодиоды на основе ZnSe [251] имели спектральную область фоточувствительности 0.35-0.47 мкм, причем с ростом напряжения от до 15 В величина возрастала от 0.3 до 0.6, а усиление достигало 60.

Твердые растворы ZnSSe [252] и ZnSTe [253] использовались для сдвига длинноволнового края фоточувствительности в барьерах Шоттки. Он находился при = 0.37 мкм (SI = 0.12 А/Вт) для ZnS0.8Se0.2-структур, при = 0.34 мкм (SI = 0.10 А/Вт) для ZnS0.95Te0.05-структур, при = 0.338 мкм Рис. 15. Спектр фоточувствительности фотоэлектропреобра(SI = 0.15 А/Вт) для ZnS-структур, причем край зователя с барьером Шоттки Au-ZnO [256]. T = 300 K.

был более резкий в ZnSSe-структурах, чем в ZnSTe-структурах. С ростом температуры величина SI возрастала [254].

Перспективным для УФ области спектра является оксид цинка ZnO (Eg = 3.46 эВ). Он радиационно устойчив, используется для изготовления низкопороговых синих и УФ лазеров, которые, благодаря высокой энергии связи экситона (60 мэВ), могут быть сопряжены с ZnO-фотодетекторами; ZnO легко выращивается на GaN-подложках [255]. На основе ZnO были изготовлены барьеры Шоттки [256] (рис. 15) и m-s-m-фотодиоды [257], а на основе твердого раствора Mg0.34Zn0.66O (Eg = 4.05 эВ) — солнечно-слепые фоторезисторы (рис. 16) [258]. Фоторезисторы имели фоточувствительность 1200 А/Вт при = 0.308 мкм и V = 5 В, причем при = 0.4мкм величина SI уменьшалась на 4 порядка, а увеличение напряжения от 0.до 5 В увеличивало SI в 6 раз (рис. 16, b); постоянные времени нарастания и спада для m-s-m-структур на основе ZnO достигали 8 нс.

Фоторезисторы на основе слоев пористого ZnO, изготовленного магнетронным распылением, имели высокую чувствительность в УФ области (0.365 мкм), причем времена нарастания и спада были 800 мс. Фоторезисторы практически не деградировали [259]. Такие слои могут использоваться также как фотоаноды в солнечных фотохимических элементах [260]. Фотоприемники со структурой ZnO (ITO)/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al могут использоваться в качестве фотоприемников линейно поляризованного излучения, причем слои ZnO (ITO) играют роль просветляющей пленки [261].

6.6. Фотоприемники на основе алмаза и других полупроводников Рис. 16. Спектр фоточувствительности Mg0.34Zn0.66O-фотоАлмаз (Eg 5.5эВ, E0 7.3эВ) — самый широкорезистора при напряжении смещения 5 В (a) и зависизонный из исследуемых полупроводников, однако он еще мость токовой фоточувствительности от напряжения смещетолько начинает осваиваться. Диоды Шоттки на основе ния при 0.308 мкм (b) [258]. T = 300 K.

алмаза [262] имели длинноволновый край фоточувствиФизика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра... на основе флюорита [276] использовались для работы в области вакуумного УФИ. В работе [277] сообщалось об использовании фотоприемников УФ излучения на основе аморфного n-GaN для мониторинга „озоновых дыр“ над Антарктидой.

В заключение отметим, что для фотоэлектропреобразования могут быть перспективными и уже начинают использоваться органические полупроводники [278], полупроводниковый опал (Eg 5.5эВ) [279], LaCuOS (Eg 3.1эВ) [280] и полимерные пленки [281]. В частности, детекторы на основе пленок имели спектральную область фоточувствительности 0.3-0.7мкм с SI = 0.16-0.17 А/Вт при 0.44-0.48 мкм.

7. Итоги и направления дальнейших Рис. 17. Спектры фоточувствительности (нормированные) исследований фотоэлектропреобразователей на основе пленки алмаза:

1 — фоторезистор, 2 — фотодиод Шоттки [268]. T = 300 K.

В последние два десятилетия в связи с требованиями медицины, биологии, экологии, военной техники и проблемой „озоновой дыры“ сформировалась ультрафиолетовая фотоэлектроника. Ее особенностью является тельности вблизи 0.22 мкм, что близко к ширине запренеобходимость регистрировать слабые, но исключительщенной зоны алмаза. Эти приборы были солнечно-слено сильно влияющие на жизнедеятельность человека пыми и использовались для регистрации вакуумного сигналы на фоне мощного видимого и ИК излучения.

УФ излучения [263]. Алмазные детекторы с p-n-струкВ настоящее время УФ фотоэлектропреобразователи турой [264,265] имели область фоточувствительности представляют собой:

Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 || 7 | 8 |   ...   | 9 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.