WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

онная зона опустеет, начнут опустошаться уровни этих дефектов.

Таким образом, ширина спектра фотоионизации моС аналогичной ситуацией нам приходилось встречать- жет быть не намного больше 1 eV. В нашем случае ся при исследовании процесса разрушения под действи- E 0.01 eV и для получения необходимой ширины ем света фотостопоров на неподвижных дислокациях спектра потребуется величина md (100-150)mc. В ка(электронные ловушки, по-разному взаимодействующие честве возможных причин столь большой массы „дислос дислокацией в зависимости от наличия или отсут- кационного“ электрона можно назвать следующие.

ствия захваченного ими электрона) [15]. Такое пове1) Расстояние между эквивалентными узлами на кра дение объясняется сложным характером воздействия евой дислокации в 2 раза больше, чем аналогичное используемого света. С одной стороны, свет опустошарасстояние в идеальной решетке NaCl, что приводит к ет ловушки, находясь в спектре их чувствительности, уменьшению интеграла перекрытия в 3–4 раза.

с другой — возбуждая F-центры (возможно, также 2) Структурный фактор — количество эквивалентных M-центры), поставляющие электроны для заполнения узлов, окружающих данный узел в решетке NaCl, — в ловушек, выбивает из них электроны и таким образом раз больше, чем на дислокации (12 и 2 соответственно), снова заполняет исследуемые ловушки. Это и приводит что в 6 раз при прочих равных условиях уменьшает к появлению предельного уровня, до которого он может вероятность того, что дислокационный электрон покиих разрушить. Поскольку свет 562 nm ближе к F-полосе нет занимаемый им узел, по сравнению с аналогичной (475 nm), чем свет 1000 nm, восстанавливающий эффект вероятностью для электрона в зоне проводимости.

от него сильнее, что и обеспечивает, как это видно 3) Между двумя эквивалентными узлами (ионами наиз рис. 4, более высокий равновесный уровень концентрия) краевой дислокации располагается отрицательный трации заполненных ловушек, устанавливаемый в этом ион хлора, что не может не сказаться на форме волновой случае.

функции электрона и не уменьшить резко интеграл Таким образом, этот эксперимент показал, что спектр перекрытия.

создаваемых пластической деформацией ловушек (криЕсли приведенная выше гипотеза, объясняющая больвая 1 на рис. 2), начинаясь от 0.64 eV, простирается шую ширину спектра фотоионизации, верна, то ширина до энергии фотонов не менее 2 eV. Трудно предстаэтого спектра будет сильно зависеть от температуры.

вить, какой объект может вызвать появление такого Это открывает возможности для экспериментальной широкого и неделимого на отдельные составляющие проверки, несмотря на трудности низкотемпературных спектра. Спектры фотоионизации электронных ловушек исследований из-за наличия при T < 78 K мощного на основе точечных дефектов и их простых комплексов сигнала в ИК-диапазоне, вызванного связанными поляобычно не столь широки.

ронными состояниями, изучавшимися нами ранее [17].

В качестве объектов, способных обусловить столь Следует также отметить, что реальная ситуация гораздо широкий спектр фотоионизации, могут выступить элексложнее, так как захваченный на дислокацию электрон троны в достаточно узкой дислокационной зоне. Тогда является скорее „дислокационным“ поляроном, нежели масса „дислокационного“ электрона md будет гораздо „дислокационным“ электроном.

больше массы электрона в зоне проводимости mc;

следовательно, из-за сильного различия в крутизне па- В заключение автор считает своим приятным долгом рабол их дисперсионных кривых получится большая поблагодарить В.Я. Кравченко за полезное обсуждение.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Исследование спектра ИК-фотоионизации электронных состояний... Список литературы [1] Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках.

Мир, М. (1974). 463 с.

[2] Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Под ред. Ю.А. Осипьяна. Эдиториал УРСС, М. (2000).

319 с.

[3] J. Trinks. Sitzber. Akad. Wiss. Wien. (IIa) 147, 217 (1938).

[4] F.J. Metz, R.N. Schweiner, H.R. Leider, G.A. Girifalko. J. Phys.

Chem. 61, 86 (1957).

[5] C.T. Butler. Phys. Rev. 141, 2, 750 (1966).

[6] В.В. Коршунов, Ф.Д. Сенчуков, С.З. Шмурак. Письма в ЖЭТФ 13, 289 (1971).

[7] М.И. Молоцкий. ФТТ 26, 2, 1204 (1984).

[8] В.А. Закревский, А.В. Шульдинер. ФТТ 27, 10, (1985).

[9] А.А. Кусов, М.И. Клингер, В.А. Закревский. ФТТ 31, 7, (1989).

[10] М.В. Гольдфарб, М.И. Молоцкий, С.З. Шмурак. ФТТ 32, 8, 2398 (1990).

[11] В.А. Закревский, Т.С. Орлова, А.В. Шульдинер. ФТТ 37, 3, 675 (1995).

[12] В.А. Закревский, А.В. Шульдинер. ФТТ 42, 2, 263 (2000).

[13] M.I. Molotskii, S.Z. Shmurak. Phys. Lett. A 166, 3–4, (1992).

[14] Г.А. Ермаков, Э.М. Надгорный. Письма в ЖЭТФ 14, (1971).

[15] Г.А. Ермаков, Е.В. Коровкин, Я.М. Сойфер. ФТТ 16, 3,(1974).

[16] Е.В. Коровкин. ФТТ 24, 2, 524 (1982).

[17] Е.В. Коровкин, Т.А. Лебедкина. ФТТ 42, 8, 1412 (2000).

[18] Е.В. Коровкин, Т.А. Лебедкина. ФТТ 44, 12, 2155 (2002).

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.