WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В менее лабильной и более жесткой матрице селенида мышьяка такие структурные перестройки менее вероятны. Пленка более соответствует структуре стекла, поэтому внедрение в такую матрицу сложных и крупных комплексных соединений типа Ln(ddtc)3 может приводить к тому, что в результате формирования упорядоченных областей среднего порядка будет нарушаться непрерывность сетки. При этом возможно образование границ между микронеоднородностями, а также рост последних, что определяет формирование поверхности определенного типа. В этом случае на первый план выходят связи между этими микрообластями, в формировании которых активное участие принимают внедренные координационные соединения и соответственно химические связи, существующие в них, например геРис. 5. Спектр люминесценции пленки As2S3, модифитеросвязи типа As–O, Se–O. В работе [8] показано, что цированной Eu(thd)3 (длина волны возбуждения 365 нм, T = 300 K). „просветление“ в пленках ХСП может быть связано с Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1016 С.А. Козюхин, А.Р. Файрушин, Э.Н. Воронков окислением исходной матрицы в процессе изготовления. [8] E.N. Borisov, V.B. Smirnov, A. Tverjanovich, Yu.S. Tveryanovich. J. Non-Cryst. Sol., 326–327, 316 (2003).

В нашем случае „просветление“ также можно связать с [9] M. Takahashi, H. Niida, Y. Tokuda, T. Yoko. J. Non-Cryst. Sol., внедрением в состав пленки „легких“ элементов, прежде 326–327, 524 (2003).

всего кислорода, и формированием новых химических [10] El.C. Zampronio, D.N. Greggio, H.P. Oliveira. J. Non-Cryst.

связей. Наличие кислорода в составе комплексного соSol., 332, 249 (2003).

единения является также принципиальным для электри[11] Е.Л. Александрова, Е.И. Теруков, М.Е. Компан, Н.Н. Хических свойств, что следует из рис. 2 и 3. Очевидно, мич. Сб. тр. IV Межд. конф. „Аморфные и микрокричто изменение спектра дефектов в материале, модифисталлические полупроводники“ (СПб, 2004) с. 194.

цированном кислородным комплексом, более сильное.

[12] R.P. Draper, B.C. McCollum, E. Snitzer. J. Ligthwave Technol., Участок ОДС является типичным для ХСП, обладающих 8 (11), 1680 (1990).

эффектом переключения, и сам эффект переключения [13] С.А. Козюхин, Н.А. Маркова, А.Р. Файрушин, Н.П. Кузьсвязывают с локальными морфологическими измененимина, Э.Н. Воронков. Неорг. матер., 40 (8), 908 (2004).

ями аморфной матрицы, в результате которых появля- [14] Н.Г. Дзюбенко, Л.И. Мартыненко. В сб.: Проблемы химии ются неоднородности, способные образовывать проводя- и применения -дикетонатов металлов (М., Наука, 1982) с. 19.

щие каналы (см. [22], с. 455-487). Эксперимент на моди[15] Н.П. Кузьмина, Р.А. Иванов, А.Б. Илюхин, С.Е. Парамофицированных пленках селенида мышьяка показал, что нов. Координац. химия, 25 (8), 635 (2000).

эффект переключения происходит при более высоких [16] Р.А. Иванов, И.Е. Корсаков, А.А. Формановский, С.Е. Панапряжениях, чем в немодифицированных пленках.

рамонов, Н.П. Кузьмина. Координац. химия, 28 (9), (2002).

4. Заключение [17] Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (М., Мир, 1982).

Показано, что применение разнолигандных комплекс- [18] L.R. Tesler, A.C. Iniguez. In: Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology [MRS Proc., 907 (1998)].

ных соединений редкоземельных элементов с давлением [19] М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминасыщенных паров, близким к давлению паров хальконесценции европия (М., Наука, 1974).

генидов, позволяет получить термическим напылением [20] A.I. Popov. In: Semiconductors and Semimetals (Amsterdam, в вакууме пленки, преспективные для создания плосElsevier Inc., 2004) v. 78, p. 51.

ких световодов. Обнаружено, что ввeдение в селенид [21] P. Hari, S. Guzel, T. Su, P.C. Taylor, P.L. Kuhns, мышьяка комплексов Eu(thd)3, имеющих в своем соW.G. Moulton, N.S. Sullivan. J. Non-Cryst. Sol., 326–327, ставе кислород, приводит к снижению коэффициента (2003).

поглощения в области края Урбаха. Для этих пленок [22] А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных наблюдается значительное снижение энергии активации полупроводников (М., Мир, 1991).

электропроводности, что не характерно для материаРедактор Л.В. Шаронова лов этого класса. Полученные разультаты объясняются влиянием кислорода на средний порядок структурной Properties of amorphous arsenic матрицы.

chalcogenide films modified using Авторы выражают благодарность Н.П. Кузьминой rare-earth complexes (Химический факультет МГУ) за предоставление комплексных соединений, проведение элементного анали- S.A. Kozyukhin, A.R. Fairushin, E.N. Voronkov за аморфных пленок и обсуждение полученных реKurnakov Institute of General зультатов.

and Inorganic Chemistry, Работа поддержана грантом РФФИ 05-03-33113. Russian Academy of Sciences, 119991 Moscow, Russia Moscow Power Engineering Institute Список литературы (Technical University), 111250 Moscow, Russia [1] A. Zakery, S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330, 1 (2003).

[2] S.G. Bishop, D.A. Turnbull, B.G. Aitken. J. Non-Cryst. Sol., 266–269, 867 (2000).

Abstract

The optical and electrical properties of thin ar[3] H. Tamorin, M.T. de Araujo, E.A. Gouveia, A.S. Gouveia- senic chalcogenide As–X (X = S, Se) films modified by rareNeto, J.A. Medeiros Neto, A.S.B. Sombra. J. Luminesc., 78, earth complexes with organic mixed-ligands have been studeid.

271 (1998).

There were two types of complexes used: europium dipival[4] H. Harada, Keiji Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 246, 189 (1999).

oylmethanate Eu(thd)3 and lanthanide diethyldithiocarbamates [5] A.M. Lozac’h, S. Barnier, M. Guitard. In: Infrarouge chim.

Ln(ddtc)3 (Ln=Pr, Eu). In has been shown that the use of the raresolids (Paris, 1974) p. 127.

earth mixed-complexes with the volatility close to the chalcogenide [6] K. Wei, D.P. Machewirth, J. Wenzel, E. Snitzer, G.H. Sigel.

volatility permits to obtain the amorphous films by the thermal J. Non-Cryst. Sol., 182, 257 (1995).

evaporition. Such films are promising for making flat optical [7] S.G. Devinder, R.W. Eason, C. Zaldo, H.N. Rutt, N.A. Vainos.

waveguides.

J. Non-Cryst. Sol., 191, 132 (1995).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.